微發(fā)光二極管的預(yù)排除方法、制造方法、裝置和電子設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于顯示的微發(fā)光二極管，更具體地，涉及一種用于預(yù)排除缺陷微發(fā)光二極管的方法、一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法、一種微發(fā)光二極管裝置以及一種包含微發(fā)光二極管裝置的電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]微發(fā)光二極管(Micro LED)技術(shù)是指在襯底上以高密度集成的微小尺寸的LED陣列。目前，微發(fā)光二極管技術(shù)正開始發(fā)展，工業(yè)界正期待有高品質(zhì)的微發(fā)光二極管產(chǎn)品進(jìn)入市場。高品質(zhì)微發(fā)光二極管產(chǎn)品會對市場上已有的諸如LCD/0LED的傳統(tǒng)顯示產(chǎn)品產(chǎn)生深刻影響。
[0003]在制造微發(fā)光二極管的過程中，首先在施主晶圓上形成微發(fā)光二極管，接著將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接受襯底上。接受襯底例如是顯示屏。
[0004]在制造微發(fā)光二極管過程中的一個困難在于如何將微發(fā)光二極管從施主晶圓上轉(zhuǎn)移到接受襯底上。在現(xiàn)有技術(shù)中，一般通過靜電拾取的方式來執(zhí)行所述轉(zhuǎn)移。在靜電拾取的過程中需要使用轉(zhuǎn)移頭陣列。轉(zhuǎn)移頭陣列的結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜，并需要考慮它的可靠性。制造轉(zhuǎn)移頭陣列需要額外的成本。在利用轉(zhuǎn)移頭陣列的拾取之前需要產(chǎn)生相位改變。另外，在使用轉(zhuǎn)移頭陣列的制造過程中，微發(fā)光二極管用于相位改變的熱預(yù)算受到限制，通常小于350°C，或者更具體地，小于200°C ;否則，微發(fā)光二極管的性能會劣化。在使用轉(zhuǎn)移頭陣列的制造過程中通常需要兩次轉(zhuǎn)移，即，從施主晶圓到承載晶圓的轉(zhuǎn)移以及從承載晶圓到接受襯底的轉(zhuǎn)移。
[0005]美國專利US 8, 333, 860B1公開了一種用于傳送微器件的傳送頭陣列，其中通過向傳送頭中的電極施加電壓來拾取微器件。該專利在此全部引入作為參考。
[0006]美國專利US 8，426，227B1公開了一種用于形成微發(fā)光二極管陣列的方法，其中，使用傳送頭來將微發(fā)光二極管陣列轉(zhuǎn)移到接受襯底上。該專利在此全部引入作為參考。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的一個目的是提供一種用于預(yù)排除缺陷微發(fā)光二極管的新技術(shù)方案。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種用于預(yù)排除缺陷微發(fā)光二極管的方法，包括:獲得激光透明的襯底上的缺陷微發(fā)光二極管的缺陷圖案；以及按照缺陷圖案，從激光透明的襯底側(cè)用激光照射激光透明的襯底，以從激光透明的襯底剝離缺陷微發(fā)光二極管。
[0009]優(yōu)選地，通過自動視覺檢查、光致發(fā)光、電子光學(xué)檢測或電性能測試，獲得缺陷圖案。
[0010]優(yōu)選地，所述方法還包括:將激光透明的襯底上的微發(fā)光二極管安裝到紫外線照射膠帶；以及通過激光將缺陷微發(fā)光二極管剝離到紫外線照射膠帶，以及通過UV曝光將無缺陷微發(fā)光二極管保留在激光透明的襯底上。
[0011]優(yōu)選地，利用非接觸的作用力，從激光透明的襯底剝離缺陷微發(fā)光二極管。
[0012]優(yōu)選地，非接觸的作用力是重力、靜電力和電磁力中的至少一個。
[0013]優(yōu)選地，所述方法還包括:在激光透明的襯底上，在所剝離的微發(fā)光二極管的位置形成良好的微發(fā)光二極管。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，提供了一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法，包括使用根據(jù)本發(fā)明的方法預(yù)排除激光透明的襯底上的缺陷微發(fā)光二極管。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，提供了一種使用根據(jù)本發(fā)明的方法制造的微發(fā)光二極管裝置。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，提供了一種電子設(shè)備，包含根據(jù)本發(fā)明的微發(fā)光二極管裝置。
[0017]另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，盡管現(xiàn)有技術(shù)中存在許多問題，但是，本發(fā)明的每個實施例或權(quán)利要求的技術(shù)方案可以僅在一個或幾個方面進(jìn)行改進(jìn)，而不必同時解決現(xiàn)有技術(shù)中或者【背景技術(shù)】中列出的全部技術(shù)問題。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，對于一個權(quán)利要求中沒有提到的內(nèi)容不應(yīng)當(dāng)作為對于該權(quán)利要求的限制。
[0018]通過以下參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征及其優(yōu)點將會變得清楚。
【附圖說明】
[0019]被結(jié)合在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實施例，并且連同其說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。
[0020]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的一個示意性實施例的流程圖。
[0021]圖2A至圖2G示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的一個例子。
[0022]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的另一個示意性實施例的流程圖。
[0023]圖4A至圖4L示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的另一個例子。
[0024]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的又一個示意性實施例的流程圖。
[0025]圖6A至圖6F示出了根據(jù)本發(fā)明的用于紅微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的例子。
[0026]圖7A至圖7L示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的又一個例子。
[0027]圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的用于橫向微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的一個例子。
[0028]圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的用于橫向微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的另一個例子。
[0029]圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的又一個示意性實施例的流程圖。
[0030]圖11示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的又一個示意性實施例的流程圖。
[0031]圖12A至圖12F示出了根據(jù)本發(fā)明的用于修復(fù)微發(fā)光二極管缺陷的一個例子。
[0032]圖13示出了根據(jù)本發(fā)明的方法的又一個示意性實施例的流程圖。
[0033]圖14A至圖14C示出了根據(jù)本發(fā)明的用于預(yù)排除缺陷微發(fā)光二極管的一個例子。
[0034]圖15A至圖15B示出了根據(jù)本發(fā)明的用于預(yù)排除缺陷微發(fā)光二極管的另一個例子。
[0035]圖16A至圖16B是圖15B中方框A所示區(qū)域的放大視圖。
【具體實施方式】
[0036]現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的各種示例性實施例。應(yīng)注意到:除非另外具體說明，否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本發(fā)明的范圍。
[0037]以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的，決不作為對本發(fā)明及其應(yīng)用或使用的任何限制。
[0038]對于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說明書的一部分。
[0039]在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實施例的其它例子可以具有不同的值。
[0040]應(yīng)注意到:相似的標(biāo)號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進(jìn)行進(jìn)一步討論。
[0041]下面參照附圖來描述本發(fā)明的實施例和例子。
[0042]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法的一個示意性實施例的流程圖。
[0043]如圖1所示，在步驟S1100，在激光透明的原始襯底上形成微發(fā)光二極管。
[0044]所述激光透明的原始襯底例如可以是藍(lán)寶石襯底、SiC襯底等等。所述微發(fā)光二極管可以用于被安裝到顯示屏面板上。
[0045]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以在原始襯底上形成一個微發(fā)光二極管，或者也可以形成多個微發(fā)光二極管。例如，可以在激光透明的原始襯底上形成多個微發(fā)光二極管。所述多個微發(fā)光二極管可以形成陣列。
[0046]在一個例子中，在激光透明的原始襯底上形成多個微發(fā)光二極管的情況下，原始襯底還可以被分割或劃分成多個片，用于更加靈活的轉(zhuǎn)移。
[0047]在步驟S1200，使微發(fā)光二極管與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸。
[0048]例如，所述接收襯底是顯示屏面板。
[0049]例如，所述接墊可以被設(shè)置成用于顯示屏中的紅色像素陣列、黃色像素陣列或藍(lán)色像素陣列。
[0050]在一個例子中，在形成了多個微發(fā)光二極管的情況下，可以使多個微發(fā)光二極管中的至少一個微發(fā)光二極管與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的至少一個接墊接觸。所述至少一個微發(fā)光二極管可以是所述多個微發(fā)光二極管中的一個、多個或者全部。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，盡管在這里僅描述了希望被剝離的至少一個微發(fā)光二極管與接墊接觸，但是，所述多個微發(fā)光二極管中的其他微發(fā)光二極管也可以與接墊接觸。
[0051]例如，在接觸的步驟中，可以使微發(fā)光二極管經(jīng)由液體薄膜與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊接觸。例如，所述液體薄膜例如可以包含助焊劑。在這里，通過液體薄膜(助焊劑)的表面張力，微發(fā)光二極管的剝離可以變得很容易，并且成功率很高。
[0052]在步驟S1300，從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底，以從原始襯底剝離微發(fā)光二極管。
[0053]在一個例子中，在至少一個微發(fā)光二極管與接墊接觸的情況下，可以從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底上的至少一個區(qū)域，以從原始襯底剝離所述至少一個微發(fā)光二極管。例如，所述至少一個區(qū)域可以由技術(shù)人員選擇。例如，所述至少一個區(qū)域可以分別與所述至少一個微發(fā)光二極管對應(yīng)。所述至少一個區(qū)域可以僅是原始襯底上的部分區(qū)域，或者也可以是全部區(qū)域。
[0054]在另一個例子中，還可以偏移所述原始襯底，以用于轉(zhuǎn)移另外的微發(fā)光二極管。
[0055]在另一個例子中，在使用原始襯底完成轉(zhuǎn)移之后，為了應(yīng)對在顯示屏面板上的部分點處微發(fā)光二極管缺失的情況，可以使用另外的激光透明的備用襯底。例如，可以在另外的備用襯底上形成微發(fā)光二極管；使備用襯底上的微發(fā)光二極管與接收襯底上預(yù)先設(shè)置的接墊(在缺失位置)接觸；以及從備用襯底側(cè)用激光照射備用襯底，以從備用襯底剝離微發(fā)光二極管。以這種方式，可以進(jìn)一步提高顯示屏的質(zhì)量。
[0056]在將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底