襯底213是平板剛性襯底，例如玻璃襯底。在輔助襯底213上涂覆有聚合物214，例如3M LC5200/5320聚合物。該聚合物例如可以通過紫外線固化，并且可以通過紅色激光解鍵合。
[0110]在圖4K中，通過輔助襯底213對ACF 203進行處理。例如，處理條件為，溫度在150 °C至200 0C之間，所施加的壓力是在IMPa至4MPa之間，施加壓力的時間是在10秒至30秒之間。通過所述處理，ACF 203在垂直方向上將微發(fā)光二極管與對應(yīng)的接墊互連。
[0111]之后，(通過聚合物214)對輔助襯底213進行解鍵合。
[0112]在圖4L中，執(zhí)行通常的后續(xù)處理:對聚合物214進行蝕刻，以暴露微發(fā)光二極管的外延層；在微發(fā)光二極管的外延層上形成N電極215 (例如，ITO材料電極)；以及在N電極上進行封裝216 (例如，進行PET層疊)。
[0113]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法的又一個示意性實施例的流程圖。
[0114]如圖5所示，在步驟S3100，將至少一個微發(fā)光二極管從原始襯底轉(zhuǎn)移到支撐體。例如，原始襯底是激光透明的。
[0115]在一個例子中，該步驟可以包括:將原始襯底安裝到支撐體，其中，在原始襯底上形成有微發(fā)光二極管，在支撐體的表面上有光釋放粘合劑，微發(fā)光二極管通過光釋放粘合劑粘合到支撐體上；從原始襯底側(cè)用激光照射原始襯底，用于從原始襯底剝離所述至少一個微發(fā)光二極管；以及從支撐體側(cè)照射光，以釋放未被剝離的微發(fā)光二極管。在這個例子中，支撐體是透光的。
[0116]例如，光釋放粘合劑可以是紫外線照射膠帶(UVTape)。例如，支撐體是硬性的。在轉(zhuǎn)移過程中微發(fā)光二極管的移位會影響最終產(chǎn)品的質(zhì)量。本申請的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)通過采用硬性的支撐體，可以減小這種移位。這是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員尚未注意到的地方。例如，支撐體的材料可以是PET。
[0117]通常，紅色微發(fā)光二極管很難在諸如藍寶石襯底的激光透明襯底上形成。因此，在一個例子中，可以預(yù)先形成紅色微發(fā)光二極管，然后將紅色微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到原始襯底上，以用于最終轉(zhuǎn)移到接收襯底上。例如，在該實施例中，可以在生長襯底上形成紅色微發(fā)光二極管。接著，將紅色微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到中間襯底上。之后，將紅色微發(fā)光二極管從中間襯底轉(zhuǎn)移到原始襯底上。
[0118]在步驟S3200，將所述至少一個微發(fā)光二極管從支撐體轉(zhuǎn)移到備用襯底。
[0119]例如，備用襯底在其表面上具有彈性體或聚合物。例如，通過彈性體或聚合物將所述至少一個微發(fā)光二極管鍵合到備用襯底。
[0120]在一個例子中，該步驟還可以包括:將具有所述至少一個微發(fā)光二極管的支撐體鍵合到備用襯底，以及從支撐體側(cè)照射光，以釋放所述至少一個微發(fā)光二極管。
[0121]在步驟S3300，將所述至少一個微發(fā)光二極管從備用襯底轉(zhuǎn)移到接收襯底上。
[0122]在一個例子中，該步驟還可以包括:將所述至少一個微發(fā)光二極管與接收襯底上的接墊對準；以及通過彈性體或聚合物剝離所述至少一個微發(fā)光二極管。
[0123]例如，可以分別針對紅色微發(fā)光二極管、藍色微發(fā)光二極管和綠色微發(fā)光二極管執(zhí)行上述轉(zhuǎn)移步驟。在這里不再重復(fù)描述。
[0124]在上述處理之后，可以對微發(fā)光二極管執(zhí)行常規(guī)的后續(xù)處理。例如，后續(xù)處理可以包括:在具有微發(fā)光二極管的接收襯底上涂覆聚合物；對聚合物進行固化；對聚合物進行蝕刻，以暴露微發(fā)光二極管的外延層；在微發(fā)光二極管的外延層上形成N電極；以及在N電極上進行封裝。
[0125]本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移過程中，通常僅轉(zhuǎn)移原始襯底上的部分微發(fā)光二極管。如果直接將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上，則容易污染原始襯底上的剩余微發(fā)光二極管。在這個實施例中，通過經(jīng)由中間的支撐體的轉(zhuǎn)移，可以減小這種污染。
[0126]在該又一個實施例中，本發(fā)明還包括一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法。該制造方法包括使用根據(jù)所述實施例的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的方法將微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到接收襯底上。所述接收襯底例如是顯示屏面板或顯示襯底。所述微發(fā)光二極管裝置例如是顯示屏裝置。
[0127]在該又一個實施例中，本發(fā)明還包括一種微發(fā)光二極管裝置，例如顯示屏裝置?？梢允褂酶鶕?jù)所述實施例的用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法來制造所述微發(fā)光二極管裝置。
[0128]在該又一個實施例中，本發(fā)明還包括一種電子設(shè)備。該電子設(shè)備包含根據(jù)所述實施例的微發(fā)光二極管裝置。例如，該電子設(shè)備可以是手機、平板電腦等。
[0129]通常，紅色微發(fā)光二極管不能直接形成在諸如藍寶石襯底的激光透明的原始襯底上。因此，需要預(yù)先在另外的襯底上形成紅色微發(fā)光二極管，然后將其轉(zhuǎn)移到藍寶石襯底上。圖6A至圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的用于紅微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的例子。
[0130]如圖6A所示，在諸如GaAs襯底的生長襯底301上形成紅色微發(fā)光二極管302。
[0131]如圖6B所示，通過臨時鍵合聚合物303，將紅色微發(fā)光二極管302與諸如硅襯底的中間襯底304鍵合。聚合物303例如是熱釋放膠帶(TRT)。
[0132]如圖6C所示，例如通過濕法蝕刻去除生長襯底301。
[0133]如圖6D所示，諸如藍寶石襯底的原始襯底306上涂覆有光刻膠305。通過光刻膠305，原始襯底306與紅色微發(fā)光二極管302鍵合。光刻膠305能夠承受200°C以上的溫度，通常250°C以上。
[0134]如圖6E所示，在小于200°C的溫度，對聚合物303進行處理，以去除中間襯底304。
[0135]如圖6F所示，對光刻膠305執(zhí)行O2等離子蝕刻，以便隔離各個紅色微發(fā)光二極管302。
[0136]圖7A至圖7L示出了根據(jù)本發(fā)明的用于微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的又一個例子。
[0137]如圖7A所示，原始襯底406上具有光刻膠405和紅色微發(fā)光二極管402。紅色微發(fā)光二極管402被安裝到到紫外線照射膠帶411上。紫外線照射膠帶411位于硬性的PET支撐體412上。通過激光413，選擇性地剝離紅色微發(fā)光二極管。
[0138]如圖7B所示，從支撐體412側(cè)照射紫外線，從而釋放未被剝離的紅色微發(fā)光二極管。
[0139]被剝離的紅色微發(fā)光二極管402r很容易與原始襯底406脫離。如圖7C所示，被剝離的紅色微發(fā)光二極管402r粘在紫外線照射膠帶411上，而其他紅色微發(fā)光二極管仍留在原始襯底406上。
[0140]如圖7D所示，諸如玻璃襯底的備用襯底415上具有彈性體/聚合物416。例如，可以通過旋凃的方式將彈性體/聚合物416涂覆到備用襯底415上。彈性體/聚合物416例如可以是PDMS或3M LC5320，并且例如可以通過紫外線固化。
[0141]如圖7E所示，從支撐體側(cè)完全照射紫外線，從而釋放紅色微發(fā)光二極管及彈性體/聚合物416。
[0142]之后，例如，如果在微發(fā)光二極管上沒有微凸起，則可以利用銀漿對備用襯底415上的微發(fā)光二極管進行絲網(wǎng)印刷。
[0143]如圖7F所示，將備用襯底415上的紅色微發(fā)光二極管402r與接收襯底417上的接墊419對準。例如，接收襯底417是顯示襯底，并包括信號引線418。例如，通過回流，將紅色微發(fā)光二極管402r鍵合到接墊419?；亓鞯臏囟壤缈梢源笥?60°C。之后通過激光剝離，將備用襯底415與接收襯底417分離。
[0144]圖7G示出了分離后的接收襯底417。在接收襯底417上具有接墊419和紅色微發(fā)光二極管402r。
[0145]圖7H示出了從備用襯底420向接收襯底417轉(zhuǎn)移綠色微發(fā)光二極管422g的示意圖。備用襯底420具有彈性體/聚合物421。
[0146]圖71示出了分離后的接收襯底417。在接收襯底417上具有接墊419、紅色微發(fā)光二極管402r和綠色微發(fā)光二極管422g。
[0147]圖7J示出了從備用襯底423向接收襯底417轉(zhuǎn)移藍色微發(fā)光二極管425b的示意圖。備用襯底423具有彈性體/聚合物424。
[0148]圖7K示出了分離后的接收襯底417。在接收襯底417上具有接墊419、紅色微發(fā)光二極管402r、綠色微發(fā)光二極管422g和藍色微發(fā)光二極管425b。
[0149]在圖7L中，對轉(zhuǎn)移后的微發(fā)光二極管執(zhí)行常規(guī)的后續(xù)處理:在具有微發(fā)光二極管的接收襯底上涂覆聚合物426 ;對聚合物426進行固化；對聚合物進行蝕刻，以暴露微發(fā)光二極管的外延層；在微發(fā)光二極管的外延層上形成N電極427 ;以及在N電極上進行封裝(未示出)。
[0150]本發(fā)明的技術(shù)方案既可以使用垂直結(jié)構(gòu)的微發(fā)光二極管，也可以使用橫向結(jié)構(gòu)的微發(fā)光二極管(倒裝微發(fā)光二極管)。前面的附圖中示出的垂直結(jié)構(gòu)的微發(fā)光二極管僅僅是示例性的，并不用于限制本發(fā)明的范圍。圖8示出了橫向微發(fā)光二極管的例子。
[0151]在圖8所示的例子中，微發(fā)光二極管是橫向微發(fā)光二極管。在橫向微發(fā)光二極管中，P電極和N電極位于同一側(cè)。在圖8中示出了紅色橫向微發(fā)光二極管505、綠色橫向微發(fā)光二極管506和藍色橫向微發(fā)光二極管507。橫向微發(fā)光二極管505包括P電極505p (正電極)和N電極505η (負電極)。橫向微發(fā)光二極管506包括P電極506ρ和N電極506η。橫向微發(fā)光二極管507包括P電極507ρ和N電極507η。
[0152]在襯底504中設(shè)置引線結(jié)構(gòu)(包括接墊)515?、51511、516?、51611、517?、51711。引線結(jié)構(gòu)515p、516p、517p用于連接正電極。引線結(jié)構(gòu)515n、516n、517n用于連接負電極。
[0153]在圖8的例子中，橫向微發(fā)光二極管的電極505p、505n、506p、50