本公開至少一實施例涉及一種顯示基板的制作方法、顯示基板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

在薄膜晶體管液晶顯示器(Thin-Film-Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)產(chǎn)品中，常采用平坦層(Organic layer，ORG)平坦膜層和降低負載。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本公開的至少一實施例涉及一種顯示基板的制作方法、顯示基板和顯示裝置，利于減小周邊區(qū)的平坦層的厚度或去除周邊區(qū)的平坦層，利于第一導電單元和第二導電單元之間的連接，并利于第二導電單元與驅(qū)動電路連接，接觸面積大，接觸電阻小，連接性好。

本公開的至少一實施例提供一種顯示基板的制作方法，包括：

在襯底基板上形成絕緣層，所述襯底基板包括顯示區(qū)和周邊區(qū)；

在所述絕緣層上形成平坦膜；

對所述平坦膜進行圖案化工藝，在所述顯示區(qū)形成第一厚度的平坦層，在所述周邊區(qū)形成第二厚度的平坦層，且在所述第二厚度的平坦層中形成第一過孔，所述第二厚度小于所述第一厚度；

對所述周邊區(qū)進行刻蝕處理，以使所述第二厚度的平坦層被減薄或去除，且在所述絕緣層中形成與所述第一過孔對應的第二過孔。

本公開的至少一實施例還提供一種顯示基板，包括：

襯底基板，所述襯底基板包括顯示區(qū)和周邊區(qū)；

絕緣層，設(shè)置在所述襯底基板上；

平坦層，設(shè)置在所述絕緣層上，所述平坦層包括設(shè)置在所述顯示區(qū)的顯示區(qū)平坦層和設(shè)置在所述周邊區(qū)的周邊區(qū)平坦層，所述周邊區(qū)平坦層的厚度小于所述顯示區(qū)平坦層的厚度，在所述周邊區(qū)設(shè)有貫穿所述平坦層和所述絕緣層的過孔。

本公開的至少一實施例還提供一種顯示基板，包括：

襯底基板，所述襯底基板包括顯示區(qū)和周邊區(qū)；

柵極絕緣層，設(shè)置在所述襯底基板上；

鈍化層，設(shè)置在所述柵極絕緣層上，所述鈍化層包括設(shè)置在所述顯示區(qū)的第一厚度的鈍化層和設(shè)置在所述周邊區(qū)的第二厚度的鈍化層，所述第二厚度小于所述第一厚度，在所述柵極絕緣層和所述第二厚度的鈍化層中設(shè)有過孔，或者，在所述第二厚度的鈍化層中設(shè)有過孔。

本公開的至少一實施例還提供一種顯示裝置，包括本公開實施例所述的任一顯示基板。

附圖說明

為了更清楚地說明本公開實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開的一些實施例，而非對本公開的限制。

圖1為一種顯示基板俯視示意圖；

圖2為一種顯示基板的周邊區(qū)的接線俯視示意圖；

圖3為圖1沿A-B處的剖視示意圖；

圖4為一種顯示基板的周邊區(qū)的俯視示意圖；

圖5為圖4沿C-D處的一種剖視示意圖；

圖6為圖4沿C-D處的另一種剖視示意圖(本公開一實施例提供的在減薄時恰巧第二厚度的平坦層被完全去除時第二導電單元與第一導電單元連接的示意圖)；

圖7為一種顯示基板的周邊區(qū)的俯視示意圖；

圖8為圖7沿E-F處的剖視示意圖；

圖9A為本公開一實施例提供的在周邊區(qū)/Pad區(qū)形成第一導電單元、柵極絕緣層和鈍化層的示意圖；

圖9B為本公開一實施例提供的在周邊區(qū)/Pad區(qū)形成平坦膜的示意圖；

圖9C為本公開一實施例提供的在周邊區(qū)/Pad區(qū)形成第二厚度的平坦層的示意圖；

圖9D為本公開一實施例提供的在周邊區(qū)/Pad區(qū)在柵極絕緣層和鈍化層中對應第二厚度的平坦層中的第一過孔處形成第二過孔的示意圖；

圖9E為本公開一實施例提供的在周邊區(qū)/Pad區(qū)形成第二導電單元的示意圖；

圖9F為本公開一實施例提供的在周邊區(qū)/Pad區(qū)形成第二導電單元與驅(qū)動電路連接的示意圖；

圖10為本公開一實施例提供的在周邊區(qū)/Pad區(qū)刻蝕工藝中第二厚度的平坦層被完全去除并且鈍化層(絕緣層)被刻蝕部分厚度的示意圖；

圖11為本公開一實施例提供的在周邊區(qū)/Pad區(qū)刻蝕工藝中第二厚度的平坦層被完全去除并且鈍化層(絕緣層)被刻蝕部分厚度時第二導電單元與第一導電單元連接的示意圖；

圖12為本公開一實施例提供的第一導電單元設(shè)置在柵極絕緣層和鈍化層之間時第二導電單元通過第二過孔與第一導電單元連接的示意圖；

圖13為本公開一實施例提供的第一導電單元設(shè)置在柵極絕緣層和鈍化層之間時第二導電單元通過第二過孔與第一導電單元連接的示意圖。

附圖標記：

101-襯底基板；10-顯示區(qū)；01-周邊區(qū)；011-接線區(qū)；012-扇出區(qū)；121-薄膜晶體管；01020-連接線；1021-柵線；1041-數(shù)據(jù)線；105-鈍化層；0105-厚度被減薄的鈍化層；106-黑矩陣；107-彩膜層；0133-平坦層過孔；0134-鈍化層過孔；0102-第一導電單元；135-絕緣層；平坦膜1080；108-第一厚度的平坦層；0108-第二厚度的平坦層；0131-第一過孔；0132-第二過孔；01320-過孔；151-驅(qū)動電路；1511-連接電極；141-各向異性導電膠；1411-各向異性導電膠的導電部分；1412-各向異性導電膠的不導電部分；24-子像素單元；1091-像素電極。

具體實施方式

為使本公開實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本公開實施例的附圖，對本公開實施例的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本公開的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于所描述的本公開的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本公開保護的范圍。

除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學術(shù)語應當為本公開所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣，“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關(guān)系，當被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關(guān)系也可能相應地改變。

在彩色濾光片整合于陣列基板(Color filter on Array，COA)的產(chǎn)品中，常采用ORG平坦子像素(例如RGB)色阻段差，ORG位于RGB色阻之上。而在低功耗小尺寸移動產(chǎn)品中常采用ORG降低負載，從而降低產(chǎn)品功耗。

以COA液晶顯示面板的陣列基板為例，如圖1所示，陣列基板包括襯底基板101，襯底基板101包括顯示區(qū)10和周邊區(qū)01。如圖1所示，襯底基板101上還設(shè)置有多條柵線1021和多條數(shù)據(jù)線1041。例如，多條柵線1021與多條數(shù)據(jù)線1041相互絕緣，多條柵線1021與多條數(shù)據(jù)線1041交叉限定多個子像素單元24。

例如，周邊區(qū)01設(shè)置在顯示區(qū)10的至少一側(cè)。例如，周邊區(qū)01圍繞顯示區(qū)10設(shè)置。例如，顯示區(qū)10位于顯示基板的中部，例如，顯示區(qū)10包括按陣列排列的多個子像素單元，每個子像素單元包括薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)121作為開關(guān)元件。薄膜晶體管121例如包括柵極、柵極絕緣層、有源層和源漏極。

如圖2所示，周邊區(qū)01包括接線區(qū)(Pad區(qū))011和扇出區(qū)(Fanout區(qū))012，接線區(qū)011內(nèi)的第一導電單元0102與扇出區(qū)012內(nèi)連接線01020電連接。例如，第一導電單元0102與扇出區(qū)012的連接線01020可一體形成，但不限于此。第一導電單元0102可通過過孔(圖中未示出)經(jīng)第二導電單元(例如ITO或金屬，圖中未示出)與各向異性導電膠(圖中未示出)相連，再與驅(qū)動電路(例如COF或者IC，圖中未示出)連接，驅(qū)動電路的信號依次經(jīng)第二導電單元、第一導電單元0102以及扇出區(qū)012連接線01020進入顯示面板，實現(xiàn)信號寫入(可參照圖9F)。

如圖3所示，在顯示區(qū)10，顯示基板包括襯底基板101和依次設(shè)置在襯底基板101上的柵極絕緣層(Gate insulating layer，GI)103、數(shù)據(jù)線1041、鈍化層(Passivation layer，PVX)105、黑矩陣106、彩膜層107、第一厚度的平坦層108和像素電極1091。像素電極1091可與TFT的漏極電連接。顯示區(qū)10的第一厚度的平坦層108的厚度為T0。本公開的實施例中，厚度例如是指在垂直于襯底基板的方向上的高度。

圖4示出了在周邊區(qū)，第二導電單元0109通過平坦層過孔0133與第一導電單元0102電連接。平坦層過孔0133貫穿柵極絕緣層103、鈍化層105和第一厚度的平坦層108。第一厚度的平坦層108即為初始厚度的平坦層。

對于設(shè)置了平坦層的產(chǎn)品，因平坦層很厚(一般大于2μm)，若接線區(qū)011的接線采用平坦層過孔0133連接，則過孔很大(一般大于20μm)，如圖5所示，同時過孔很深，第二導電單元0109位于過孔內(nèi)的部分不能與驅(qū)動電路有效接觸，從而，第二導電單元0109與驅(qū)動電路的接觸面積小，接觸電阻大，連接性不好。

采用平坦層的產(chǎn)品，為了增強驅(qū)動電路與第二導電單元0109的接觸性，Pad區(qū)011通常有以下兩種方式設(shè)計。

一、使用鈍化層掩模(PVX Mask)。平坦膜曝光顯影完成后，Pad區(qū)的平坦膜被去除，經(jīng)過一道鈍化層掩模，得到Pad區(qū)連接接線的過孔，Pad區(qū)011的接線被過孔暴露的部分通過鈍化層過孔0134與第二導電單元0109相連，鈍化層過孔0134貫穿鈍化層105和柵極絕緣層103，如圖4和圖6所示。此種設(shè)計可避免Pad區(qū)011的接線被氧化腐蝕，但需要增加一道PVX Mask，成本上升，同時影響產(chǎn)能。

二、不使用PVX Mask，平坦膜曝光顯影完成后，去除整個Pad區(qū)的平坦膜，再進行絕緣層(PVX/GI)刻蝕，Pad區(qū)的第一導電單元0102完全裸露，再直接與第二導電單元0109相連，如圖7和圖8所示。因Pad區(qū)無絕緣保護層，接線容易在環(huán)境中氧化腐蝕，影響產(chǎn)品良率和使用壽命。

不設(shè)置平坦層的產(chǎn)品的Pad區(qū)設(shè)計也可如圖6所示，第一導電單元0102通過PVX過孔0134與第二導電單元0109連接。第二導電單元0109一般完全覆蓋第一導電單元0102被過孔暴露的部分，Pad區(qū)的第一導電單元0102除過孔外其他區(qū)域有GI和PVX絕緣保護。GI和PVX膜厚一般為千埃級別(例如，膜厚為)，因絕緣層較薄，所以過孔較小(一般小于10μm)，同時過孔較淺，過孔內(nèi)的第二導電單元0109也能和各向異性導電膠接觸，因而驅(qū)動電路幾乎能與整個接線區(qū)的第二導電單元0109接觸，接觸面積大，電阻小，連接性好。

本公開至少一實施例提供一種顯示基板的制作方法，包括：

在襯底基板上形成絕緣層，襯底基板包括顯示區(qū)和周邊區(qū)；

在絕緣層上形成平坦膜；

對平坦膜進行圖案化工藝，在顯示區(qū)形成第一厚度的平坦層，在周邊區(qū)形成第二厚度的平坦層，且在第二厚度的平坦層中形成第一過孔，第二厚度小于第一厚度；

對周邊區(qū)進行刻蝕處理，以使第二厚度的平坦層被減薄或去除，且在絕緣層中形成與第一過孔對應的第二過孔。

本公開至少一實施例提供的顯示基板的制作方法，在對平坦膜進行圖案化工藝時，在顯示區(qū)形成第一厚度的平坦層的同時，在周邊區(qū)形成第二厚度的平坦層，從而，利于減小周邊區(qū)(例如，Pad區(qū))平坦層的厚度或去除周邊區(qū)(例如，Pad區(qū))平坦層，利于第一導電單元和第二導電單元之間的連接，并利于第二導電單元與驅(qū)動電路連接，接觸面積大，接觸電阻小，連接性好。

實施例一

本實施例提供一種顯示基板的制作方法，如圖1、圖9A-圖9E所示，包括如下步驟。

步驟S1：如圖9A所示，提供襯底基板101，襯底基板101包括顯示區(qū)10和周邊區(qū)01，周邊區(qū)01包括Pad區(qū)011，本實施例以周邊區(qū)01的Pad區(qū)011為例進行說明。在襯底基板101的Pad區(qū)011上形成第一導電單元0102，在第一導電單元0102上形成絕緣層135，絕緣層135包括柵極絕緣層103和鈍化層105，柵極絕緣層103比鈍化層105更靠近襯底基板101。

步驟S2：如圖9B所示，在絕緣層135上形成平坦膜1080；平坦膜1080的厚度為T0。平坦膜1080的材料例如包括有機材料。本實施例中以平坦膜1080的材料為有機材料為例進行說明。

步驟S3：如圖9C所示，對平坦膜1080進行圖案化工藝，在顯示區(qū)10形成第一厚度的平坦層108，在周邊區(qū)01形成第二厚度的平坦層0108，且在第二厚度的平坦層0108中形成第一過孔0131，第二厚度T1小于第一厚度T0。例如，第一厚度即平坦膜的初始厚度。

步驟S4：如圖9D所示，對周邊區(qū)01進行刻蝕處理，以使第二厚度的平坦層0108被減薄，被減薄后的平坦層01081的厚度為T2，T2小于T1。且在絕緣層135中形成與第一過孔0131對應的第二過孔0132；因第二過孔0132與第一過孔0131位置對應，第二過孔0132貫穿被減薄后的平坦層01081和絕緣層135。

步驟S5：如圖9E所示，在周邊區(qū)01形成第二導電單元0109，第二導電單元通過第二過孔0132與第一導電單元0102電連接。

在對平坦膜進行圖案化工藝時，可采用同一張掩模板，例如采用多色調(diào)掩模板，以在顯示區(qū)形成第一厚度的平坦層的同時，在周邊區(qū)形成第二厚度的平坦層，從而，與上述通常的為了增強驅(qū)動電路與第二導電單元0109的接觸性而采取的第二種方式相比，可省去一張掩模板(PVX掩模板)，降低成本，提升產(chǎn)能，并可利于減小Pad區(qū)平坦層的厚度，利于第一導電單元0102和第二導電單元0109之間的連接，并利于第二導電單元0109與驅(qū)動電路151(如圖9F所示)連接，接觸面積大，接觸電阻小，連接性好，從而，利于提高產(chǎn)品良率和使用壽命。

圖9F中還示出了各向異性導電膠141，各向異性導電膠141包括位于驅(qū)動電路151的連接電極1511和第二導電單元0109之間的導電部分1411和位于其余區(qū)域的不導電部分1412。第二導電單元0109與驅(qū)動電路151的連接方式不限于圖9F所示。例如，導電部分1411在垂直于襯底基板101的方向上導電，在平行于襯底基板101的方向上不導電，不導電部分1412在垂直于襯底基板101的方向上和平行于襯底基板101的方向上均不導電。

一個示例中，圖案化工藝包括曝光工藝和顯影工藝，為了節(jié)省掩模板的數(shù)量，可采用多色調(diào)掩模板對平坦膜進行曝光。

例如，多色調(diào)掩模板可以包括半色調(diào)掩模板，可以采用一張半色調(diào)掩模板，對平坦膜進行曝光，同時得到第一厚度的平坦層和第二厚度的平坦層。半色調(diào)掩模板中，過孔處(包括顯示區(qū)的過孔和周邊區(qū)的過孔)為全透光區(qū)域，周邊區(qū)的除了過孔外的其他區(qū)域為半透光區(qū)域，顯示區(qū)的除了過孔外的其他區(qū)域為不透光區(qū)域。

例如，平坦膜經(jīng)曝光、顯影后，對應全透光區(qū)域形成過孔，對應半透光區(qū)域留下第二厚度的平坦層(薄層平坦層)，對應不透光區(qū)域形成第一厚度的平坦層。然后直接進行刻蝕，在周邊區(qū)，第二厚度的平坦層中的第一過孔下方的絕緣層被刻蝕，而其他區(qū)域因有第二厚度的平坦層的保護，絕緣層被保留下來。此設(shè)計可實現(xiàn)Pad區(qū)接線處上方形成厚度較小的平坦層，易于在Pad區(qū)形成小的過孔，同時實現(xiàn)Pad區(qū)接線的有效保護，可增強第二導電單元與驅(qū)動電路的連接性，在省去一張PVX掩模板的同時確保產(chǎn)品良率和使用壽命。一個示例中，刻蝕處理采用干刻工藝。

例如，為了在步驟S4的刻蝕處理中，部分減薄第二厚度的平坦層0108或去除第二厚度的平坦層0108，第二厚度的平坦層0108的厚度小于或等于絕緣層135的厚度。

例如，平坦膜1080的材質(zhì)包括有機材料，有機材料例如包括亞克力樹脂或聚酰亞胺樹脂，但本實施例并不限于此。

例如，第一導電單元0102可采用金屬或?qū)щ娊饘傺趸铮诙щ妴卧?109可采用金屬或?qū)щ娊饘傺趸?，導電金屬氧化物例如包括氧化銦錫(ITO)，但本實施例并不限于此。

一個示例中，周邊區(qū)01的第一導電單元0102可以設(shè)置在襯底基板101和柵極絕緣層103之間，可以與柵極(圖中未示出)或柵線1021(可參照圖1)同層形成。此情況下，絕緣層135包括柵極絕緣層103和鈍化層105，柵極絕緣層103比鈍化層105更靠近襯底基板101，如圖9E所示。例如，柵極和柵線1021也可同層形成。例如，柵極和柵線1021可一體形成。

一個示例中，周邊區(qū)01的第一導電單元0102可以設(shè)置在柵極絕緣層103和鈍化層105之間，可以與源/漏極(圖中未示出)或數(shù)據(jù)線1041(可參照圖1和圖3)同層形成。此情況下，絕緣層135包括鈍化層105，如圖12所示。例如，源/漏極和數(shù)據(jù)線1041也可同層形成。

一個示例中，在形成平坦膜1080之前，還包括在顯示區(qū)10形成彩色濾光層107。

一個示例中，顯示基板的制作方法包括如下步驟。

步驟S11：在襯底基板101的周邊區(qū)01/Pad區(qū)011形成第一導電單元0102，在顯示區(qū)10形成柵極和柵線1021。

例如，可以通過鍍膜、曝光、顯影和刻蝕的方法同層形成第一導電單元0102、柵極和柵線1021。

步驟S12：形成柵極絕緣層103。

步驟S13：在顯示區(qū)形成有源層、源漏極，周邊區(qū)/Pad區(qū)不設(shè)置有源層和源漏極。

步驟S14：形成鈍化層105(保護層，例如，厚度可以在左右)。

步驟S15：在顯示區(qū)形成彩膜層(R/G/B膜層)，周邊區(qū)/Pad區(qū)不設(shè)置彩膜層。

步驟S16：在鈍化層105上形成平坦膜1080，平坦膜1080的厚度為T0。

步驟S17：采用半色調(diào)掩模板對平坦膜1080進行曝光，并顯影，得到顯示區(qū)10的第一厚度的平坦層108和Pad區(qū)011的第二厚度的平坦層0108。

曝光后，顯示區(qū)和周邊區(qū)的過孔處的平坦膜被全部曝光，周邊區(qū)除了過孔外的其它區(qū)域被部分曝光，顯示區(qū)除了過孔外的其它區(qū)域不被曝光。

經(jīng)顯影，過孔處的平坦膜被完全去除，形成第一過孔0131，其它半透處留下薄層平坦膜(第二厚度的平坦層0108)，沒被曝光處形成第一厚度的平坦層108。

經(jīng)干刻工藝，Pad區(qū)011的第一過孔0131下方的鈍化層105和柵極絕緣層103被刻蝕掉，同時第二厚度的平坦層0108經(jīng)干刻損傷被部分去除，得到第二過孔0132。最終實現(xiàn)Pad區(qū)接線處小過孔的形成，與不設(shè)置平坦膜的產(chǎn)品的Pad區(qū)效果類似。

步驟S18：采用同一構(gòu)圖工藝，在周邊區(qū)/Pad區(qū)形成第二導電單元0109，在顯示區(qū)形成像素電極1091，第二導電單元0109通過第二過孔0132與第一導電單元0102電連接，像素電極1091通過過孔與TFT的漏極電連接。

上述示例以形成COA陣列基板為例進行說明，但本實施例不限于此。

實施例二

與實施例一不同的是，本實施例提供的顯示基板的制作方法，在步驟S4中，對周邊區(qū)01進行刻蝕處理的過程中，在減薄時恰巧第二厚度的平坦層0108被完全去除，在絕緣層135中形成與第一過孔0131對應的第二過孔0132，第二過孔0132貫穿絕緣層135，第二導電單元0109通過第二過孔0132與第一導電單元0102電連接。本實施例提供的制作方法制作的顯示基板，與不設(shè)置平坦膜的產(chǎn)品的Pad區(qū)效果一致。

因絕緣層采用干刻工藝，對平坦層有損傷作用，因而可通過調(diào)整半透率以及干刻參數(shù)，實現(xiàn)周邊區(qū)的平坦層(對應掩模板的半透光區(qū)域)無殘留。

形成的顯示基板的剖視圖可參照圖6所示。

實施例三

與實施例一不同的是，本實施例提供的顯示基板的制作方法，在步驟S4中，如圖10所示，對周邊區(qū)01進行刻蝕處理的過程中，在減薄時第二厚度的平坦層0108被完全去除，并且，鈍化層105(絕緣層135)被去除部分厚度，在厚度被減薄的鈍化層0105(厚度為T11，減薄后余下的絕緣層)中形成與第一過孔0131對應的第二過孔0132。如圖11所示，第二導電單元0109通過第二過孔0132與第一導電單元0102電連接。如圖6和圖9A所示，絕緣層105在未減薄前的厚度為T00。T11小于T00。

形成的顯示基板的剖視圖可參照圖11所示。

實施例四

與實施例一不同的是，本實施例提供的顯示基板的制作方法，第一導電單元012形成在柵極絕緣層103和鈍化層105之間，第二過孔0132貫穿被減薄后的平坦層01081和鈍化層105。形成的顯示基板的剖視圖可參照圖12所示。

實施例五

與實施例二不同的是，本實施例提供的顯示基板的制作方法，第一導電單元012形成在柵極絕緣層103和鈍化層105之間，第二過孔0132貫穿鈍化層105。

實施例六

與實施例三不同的是，本實施例提供的顯示基板的制作方法，第一導電單元012形成在柵極絕緣層103和鈍化層105之間，第二過孔0132貫穿被減薄后的鈍化層(第二厚度的鈍化層0105)。形成的顯示基板的剖視圖可參照圖13所示。

實施例七

本實施例提供一種顯示基板，如圖1和9E所示，包括：

襯底基板101，襯底基板101包括顯示區(qū)10和周邊區(qū)01，周邊區(qū)01包括Pad區(qū)011；

絕緣層135，設(shè)置在襯底基板101上；

平坦層，設(shè)置在絕緣層135上，平坦層包括設(shè)置在顯示區(qū)10的顯示區(qū)平坦層和設(shè)置在周邊區(qū)01的周邊區(qū)平坦層，周邊區(qū)平坦層的厚度小于顯示區(qū)平坦層的厚度，在周邊區(qū)平坦層中設(shè)有第一過孔0131(參照圖9C)，在絕緣層135中設(shè)有與第一過孔0131對應的第二過孔0132(參照圖9D)。

一個示例中，如圖9E所示，該顯示基板還包括設(shè)置在周邊區(qū)01的第一導電單元0102和第二導電單元0109，第一導電單元0102設(shè)置在襯底基板101和絕緣層135之間，第二導電單元0109設(shè)置在周邊區(qū)平坦層上，第二導電單元0109通過第二過孔0132與第一導電單元0102電連接。例如，絕緣層135包括柵極絕緣層103和鈍化層105，柵極絕緣層103比鈍化層105更靠近襯底基板101。

例如，本實施例提供的顯示基板可采用實施例一的任一方法形成。

另一個示例中，如圖12所示，絕緣層135包括鈍化層105。該示例提供的顯示基板可采用實施例四的方法形成。

例如，本實施例中的顯示區(qū)平坦層對應于前述顯示基板制作方法中的第一厚度的平坦層108，周邊區(qū)平坦層對應于前述顯示基板制作方法中的被減薄后的平坦層01081。

實施例八

本實施例提供的顯示基板，如圖11所示，包括：

襯底基板101，襯底基板101包括顯示區(qū)10和周邊區(qū)01；

柵極絕緣層103，設(shè)置在襯底基板101上；

鈍化層，設(shè)置在柵極絕緣層103上，鈍化層包括設(shè)置在顯示區(qū)10的第一厚度的鈍化層105和設(shè)置在周邊區(qū)01的第二厚度的鈍化層0105，第二厚度小于第一厚度，在柵極絕緣層103和第二厚度的鈍化層0105中設(shè)有過孔01320。

一個示例中，如圖11所示，還包括設(shè)置在周邊區(qū)01的第一導電單元0102和第二導電單元0109，第一導電單元0102設(shè)置在襯底基板101和柵極絕緣層103之間，第二導電單元0109設(shè)置在第二厚度的鈍化層0105上，過孔01320貫穿第二厚度的鈍化層0105和柵極絕緣層103，第二導電單元0109通過過孔01320與第一導電單元0102電連接。該示例提供的顯示基板可采用實施例三的方法形成。一個示例中，如圖13所示，第一導電單元0102設(shè)置在柵極絕緣層103和第二厚度的鈍化層0105之間，第二導電單元0109設(shè)置在第二厚度的鈍化層0105上，過孔01320可以設(shè)在第二厚度的鈍化層0105中。該示例提供的顯示基板可采用實施例六的方法形成。

實施例九

本實施例提供顯示裝置，包括上述實施例所述的任一顯示基板。

以上以TN模式的液晶顯示裝置中的COA陣列基板為例進行說明，但并不限于上述描述，顯示基板還可以用于其他模式的液晶顯示裝置中，而且，并不限于液晶顯示裝置，還可以用于發(fā)光二極管顯示裝置中。只要是能減小Pad區(qū)的平坦層或絕緣層(例如鈍化層)的厚度，利于第一導電單元與第二導電單元連接，從而利于第二導電單元與驅(qū)動電路連接即可。

例如，本公開的實施例中，第一導電單元0102可與顯示區(qū)的柵極、源漏極或像素電極同層設(shè)置，第二導電單元0109可與顯示區(qū)的柵極、源漏極或像素電極同層設(shè)置。當顯示基板上設(shè)置公共電極時，第一導電單元0102和第二導電單元0109之一可以與公共電極同層設(shè)置。

這里應該理解的是，在本公開的實施例中，“同層”指的是采用同一成膜工藝形成用于形成特定圖形的膜層，然后利用同一掩模板通過一次構(gòu)圖工藝形成的層結(jié)構(gòu)。根據(jù)特定圖形的不同，一次構(gòu)圖工藝可能包括多次曝光、顯影或刻蝕工藝，而形成的層結(jié)構(gòu)中的特定圖形可以是連續(xù)的也可以是不連續(xù)的，這些特定圖形還可能處于不同的高度或者具有不同的厚度。

有以下幾點需要說明：

(1)除非另作定義，本公開實施例以及附圖中，同一附圖標記代表同一含義。

(2)本公開實施例附圖中，只涉及到與本公開實施例涉及到的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計。

(3)為了清晰起見，在用于描述本公開的實施例的附圖中，層或區(qū)域的厚度被放大?？梢岳斫猓斨T如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。

(4)在不沖突的情況下，本公開的同一實施例及不同實施例中的特征可以相互組合。

以上所述，僅為本公開的具體實施方式，但本公開的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本公開揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本公開的保護范圍之內(nèi)。因此，本公開的保護范圍應以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。