本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域里的一種TFT的結(jié)構(gòu)，具體是關(guān)于一種在LTPS制成中的TFT的結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

在顯示面板的制造中，開口率是每一個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在設(shè)計(jì)每一款的產(chǎn)品時(shí)必須考慮的事情，開口率指除去每一個(gè)次像素的配線部、晶體管部(通常采用黑色矩陣隱藏)后的光線通過部分的面積和每一個(gè)次像素整體的面積之間的比例。開口率越高，光線通過的效率越高。當(dāng)光線經(jīng)由背光板發(fā)射出來時(shí)，并不是所有的光線都能穿過面板，比如給LCD source驅(qū)動芯片及gate驅(qū)動芯片用的信號走線，以及TFT本身，還有儲存電壓用的儲存電容等。這些地方除了不完全透光外，也由于經(jīng)過這些地方的光線不受電壓控制，而無法顯示正確的灰階，所以都需利用黑矩陣(black matrix)加以遮蔽，以免干擾其它透光區(qū)域。而有效的透光區(qū)域與全部面積的比例就稱之為開口率。像素(Pixel)Pixel顯示器或電視機(jī)圖象的)象素的圖案設(shè)計(jì)、各類金屬線的放置等各類因素都會極大的影響最終產(chǎn)品的開口率。

如圖1所示，為傳統(tǒng)LTPS工藝中TFT的形狀及布局，相鄰兩列像素之間設(shè)有兩個(gè)相互平行的數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線21和第二數(shù)據(jù)線22，每列相鄰兩像素分別通過U字型TFT1與第一數(shù)據(jù)相連21，TFT2與第一數(shù)據(jù)線21相連，與上述兩像素相對應(yīng)的相鄰列的兩像素的TFT，分別與第二數(shù)據(jù)線22連接，所述第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線電壓可以為正，這種現(xiàn)實(shí)模式為面反轉(zhuǎn)或幀反轉(zhuǎn)；所述第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線的電壓可以相反，一個(gè)為正一個(gè)未負(fù)，這樣相鄰兩列的像素一列為正電，一列為負(fù)電，這種顯示模式叫做列反轉(zhuǎn)。

此外，在顯示面板的制造中，由于在畫面切換時(shí)使用點(diǎn)反轉(zhuǎn)的方式畫面閃爍的現(xiàn)象表現(xiàn)最為輕微，因此在圖像顯示方式上人們更傾向于這種方式，但是為實(shí)現(xiàn)點(diǎn)反轉(zhuǎn)的效果面板的功耗非常高，從而降低了產(chǎn)品在市場中的競爭性，因此一般產(chǎn)品中使用功耗較小的列反轉(zhuǎn)的反轉(zhuǎn)模式進(jìn)行顯示。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于：克服現(xiàn)有技術(shù)中實(shí)現(xiàn)點(diǎn)反轉(zhuǎn)的效果面板的功耗高，產(chǎn)品在市場中的競爭性低的缺點(diǎn)，設(shè)計(jì)一種低功耗，增加開口率的TFT分布方式，在列反轉(zhuǎn)的顯示模式下實(shí)現(xiàn)點(diǎn)反轉(zhuǎn)的顯示效果。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

一種LTPS制程中的TFT器件的分布結(jié)構(gòu)，第i行像素和第i+1行像素之間設(shè)有一對相互平行的數(shù)據(jù)線；

所述每對數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線；

第i行相鄰兩像素分別通過相應(yīng)的U字型的TFT結(jié)構(gòu)連接第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線；

第i+1行與上述兩相鄰像素對應(yīng)的兩像素分別通過相應(yīng)的U字形結(jié)構(gòu)的TFT分別與第二數(shù)據(jù)線和第一數(shù)據(jù)線連接；

所述第i行像素的U字型TFT和與之對應(yīng)的第i+1行像素的U字型TFT開口相對，交錯(cuò)設(shè)置；

所述TFT器件由柵極線導(dǎo)通。

所述的LTPS制程中的TFT器件的分布結(jié)構(gòu)，其中：所述U字型TFT器件的源極和與之對應(yīng)的數(shù)據(jù)線相連。

所述的LTPS制程中的TFT器件的分布結(jié)構(gòu)，其中：所述第一數(shù)據(jù)線電壓為正，第二數(shù)據(jù)線電壓為負(fù)。

所述的LTPS制程中的TFT器件的分布結(jié)構(gòu)，其中：與第一數(shù)據(jù)線連接的U字型TFT器件所在像素電極為負(fù)，與第二數(shù)據(jù)線連接的U字型TFT所在的像素電極為正。

所述的LTPS制程中的TFT器件的分布結(jié)構(gòu)，其中：所述的每根柵極線呈S型環(huán)繞每列每相鄰兩對數(shù)據(jù)線之間的兩個(gè)像素。

所述的LTPS制程中的TFT器件的分布結(jié)構(gòu)，其中：所述每個(gè)像素四周設(shè)置有黑色矩陣，所述柵極線在水平方向上與設(shè)置在每對數(shù)據(jù)線之間的黑色矩陣重合，所述柵極線在垂直方向上與設(shè)置在兩對相鄰數(shù)據(jù)線之間且垂直于兩對數(shù)據(jù)線的黑色矩陣重合。

所述的LTPS制程中的TFT器件的分布結(jié)構(gòu)，其中：所述柵極線設(shè)置在雙數(shù)據(jù)線層與TFT器件所在的半導(dǎo)體層之間。

所述的LTPS制程中的TFT器件的分布結(jié)構(gòu)，其中：所述每個(gè)像素分別對應(yīng)一個(gè)U字型TFT器件。

本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)：通過U字型TFT相互交叉設(shè)置，可以有效增加了產(chǎn)品的開口率；

第一幀給予第一數(shù)據(jù)線的信號為負(fù)值，第二幀給予第一數(shù)據(jù)線的信號為正值，采用了列反轉(zhuǎn)的顯示模式，但相鄰的兩個(gè)像素之間的極性均相反，即得到了點(diǎn)反轉(zhuǎn)的顯示效果，從而提升了產(chǎn)品的顯示品質(zhì)，使用這種方式可以在列反轉(zhuǎn)的情況下實(shí)現(xiàn)點(diǎn)反轉(zhuǎn)，節(jié)省產(chǎn)品的功耗。

附圖說明

在下文中將基于實(shí)施例并參考附圖來對本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述。其中：

圖1是傳統(tǒng)LTPS制程中的TFT的分布方式示意圖。

圖2是本發(fā)明LTPS制程中的TFT的分布示意圖。

圖3是本發(fā)明LTPS制程中的TFT的分布剖面圖。

在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標(biāo)記。附圖并未按照實(shí)際的比例。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

圖2是本發(fā)明LTPS制程中的TFT的分布示意圖，包括多行像素，其中第i行像素和第i+1行像素之間設(shè)有一對相互平行的數(shù)據(jù)線；所述數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線21和第二數(shù)據(jù)線22；第i行與第i+1行間相鄰兩像素10和20分別通過U字型TFT器件1’與2’分別連接第一數(shù)據(jù)線21和第二數(shù)據(jù)線22；第i+1行與上述兩相鄰像素10和20對應(yīng)的兩像素30和40分別通過U字形TFT器件1與2分別與第二數(shù)據(jù)線22和第一數(shù)據(jù)線21連接；所述第i行像素的U字型TFT器件1與與之對應(yīng)的第i+1行像素的U字型TFT器件1開口相對，交錯(cuò)設(shè)置。

所述U字型TFT器件1包括漏極11和源極12，所述源極12與數(shù)據(jù)線相連。所述漏極11用于把信號傳遞至像素內(nèi)部。

由于U字型結(jié)構(gòu)的TFT在開口內(nèi)側(cè)的部分無法透光，在傳統(tǒng)的TFT設(shè)置中，并沒有有效的利用起這個(gè)部分，導(dǎo)致顯示面板開口率不佳，本發(fā)明將兩個(gè)U字型TFT器件的開口相對交錯(cuò)設(shè)置，將U字型TFT器件的源極一端設(shè)置在U型TFT器件的開口內(nèi)，可有效利用U字型TFT器件開口內(nèi)側(cè)部分的面積，減少U字型TFT器件占有像素其他透光部分的面積，以增加產(chǎn)品的開口率。

所述TFT器件由柵極線3導(dǎo)通，柵極線用于導(dǎo)通TFT器件，使TFT發(fā)揮導(dǎo)電性能，其中，每列每個(gè)TFT器件由一根柵極線導(dǎo)通，每個(gè)TFT器件與一根柵極線連接。

所述第一數(shù)據(jù)線21電壓為正，第二數(shù)據(jù)線22電壓為負(fù)。

與第一數(shù)據(jù)線21連接的U字型TFT器件1所在像素10電極為正，與第二數(shù)據(jù)線22連接的U字型TFT器件1’所在的像素30電極為負(fù)。

與像素10相鄰的像素20，其與第一數(shù)據(jù)線21連接的U字型TFT器件2，像素20的電極為負(fù)，與第二數(shù)據(jù)線22連接的U字型TFT器件2’所在的像素40電極為正。

以此類推，像素50的電極為正，像素60的電極為負(fù)。

其中，像素10是由U字型TFT器件1’控制，像素20是由U字型TFT器件2’控制；像素30由U字型TFT器件1控制，像素40由U字型TFT器件2控制，即第i行的像素是由位于第i+1行像素內(nèi)的U字型TFT器件控制的，第i+1行像素則是由位于第i行像素內(nèi)的U字型TFT器件控制的。

即第一幀給予第一數(shù)據(jù)線的信號為負(fù)值，第二幀給予第一數(shù)據(jù)線的信號為正值，即采用了列反轉(zhuǎn)的顯示模式，但每個(gè)第一數(shù)據(jù)線上相鄰的兩個(gè)像素之間的極性均相反，即得到了點(diǎn)反轉(zhuǎn)的顯示效果，從而提升了產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。

所述的第一數(shù)據(jù)線21電壓也可設(shè)置為負(fù)，第二數(shù)據(jù)線的電壓設(shè)置為正22，那么與第一數(shù)據(jù)線連接的U字型TFT器件所在的像素電極則為正，與第二數(shù)據(jù)線連接的U字型TFT器件所在的像素電極則為負(fù)，即任意一個(gè)像素的電壓極性與其相鄰的上、下、左、右像素電壓極性都相反。這樣的設(shè)計(jì)，得到了點(diǎn)反轉(zhuǎn)的顯示效果，從而提升了產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。

在每個(gè)像素的四周，還設(shè)置有條形的黑色矩陣(BM；black Matrix)用于遮擋光線，因此在LTPS制程中的TFT設(shè)計(jì)過程中，將柵極線3布置在于所述黑色矩陣相重合的部位，能夠減少柵極線在布置過程中占用像素透光面積，影響開口率。

所述柵極線3呈S型環(huán)繞每列像素。柵極線3呈水平方向和豎直方向設(shè)置，其中，柵極線3在水平方向上與設(shè)置在兩數(shù)據(jù)線之間的黑色矩陣重合，柵極線3在豎直方向上與設(shè)置在相鄰兩對數(shù)據(jù)線之間的兩個(gè)像素的垂直邊上的黑色矩陣重合。即所述每根柵極線3分別環(huán)繞每列每個(gè)像素的兩個(gè)相鄰邊。這樣設(shè)置有效減少柵極線占用像素的透光面積，增加產(chǎn)品的開口率。

如圖3所示，為本發(fā)明LTPS制程中的TFT的分布的剖面圖，包括由上至下依次設(shè)置的玻璃板121上的第一ITO111、鈍化層112、第二ITO113、平坦層114、數(shù)據(jù)線層115、介電層116、柵極線119、絕緣層117、TFT半導(dǎo)體層120以及緩沖層118。其中，數(shù)據(jù)線層115、絕緣層117和介電層116可根據(jù)不同產(chǎn)品的需要進(jìn)行設(shè)置，數(shù)據(jù)線層115分別與多晶硅層120、平坦層114和第一ITO層111和第二ITO層113相接觸。

所述柵極線119層設(shè)置在數(shù)據(jù)線層115與半導(dǎo)體層120之間。且不與數(shù)據(jù)線115和半導(dǎo)體層120相接觸。

圍繞每相鄰兩對數(shù)據(jù)線之間的像素的柵極線開口相反。

所述每個(gè)像素分別由一個(gè)TFT器件發(fā)揮作用，兩個(gè)相對的U字型TFT各自占有1個(gè)像素。

雖然已經(jīng)參考優(yōu)選實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對其進(jìn)行各種改進(jìn)并且可以用等效物替換其中的部件。尤其是，只要不存在結(jié)構(gòu)沖突，各個(gè)實(shí)施例中所提到的各項(xiàng)技術(shù)特征均可以任意方式組合起來。本發(fā)明并不局限于文中公開的特定實(shí)施例，而是包括落入權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有技術(shù)方案。