技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)器及其制備方法，所述制備方法包括：在用于形成位線接觸的位線接觸區(qū)的半導(dǎo)體襯底中形成一摻雜區(qū)，在用于形成外圍晶體管的外圍電路有源區(qū)的半導(dǎo)體襯底上形成一外圍閘極介電層，所述摻雜區(qū)和所述外圍閘極介電層的形成工藝相互結(jié)合；在位線接觸區(qū)的半導(dǎo)體襯底上形成一與所述摻雜區(qū)接觸的位線接觸，在所述外圍閘極介電層上形成一外圍閘極電極層，所述位線接觸與所述外圍閘極電極層形成在不同的區(qū)域中，兩者并沒(méi)有接觸，同時(shí)在對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器電路中也沒(méi)有直接連接，并且，所述位線接觸和所述外圍閘極電極層通過(guò)同一工藝步驟形成。即，本發(fā)明中的存儲(chǔ)器的制備方法，其制備工藝更為簡(jiǎn)單，有效節(jié)省了工藝流程，節(jié)省制備成本；同時(shí)，還可有效改善所形成的存儲(chǔ)器的漏電流現(xiàn)象，提高存儲(chǔ)器的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：不公告發(fā)明人
受保護(hù)的技術(shù)使用者：合肥智聚集成電路有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.07
技術(shù)公布日：2017.08.18