發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例涉及一種顯示面板及其制造方法。更具體地，發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例涉及一種用于透明顯示設(shè)備的顯示面板及其制造方法。

背景技術(shù)：

顯示裝置利用發(fā)光的像素來顯示圖像。有機發(fā)光顯示裝置包括具有有機發(fā)光二極管(“oled”)的像素。oled發(fā)光，光的波長取決于oled中包括的有機材料。例如，oled可以包括預定的有機材料，使得oled發(fā)射紅色光、綠色光和藍色光中的一種。有機發(fā)光顯示裝置通過將由多個oled的有機材料發(fā)射的光混合來顯示圖像。

已經(jīng)開發(fā)了顯示圖像并且外部光穿過的透明有機發(fā)光顯示設(shè)備。透明顯示設(shè)備可以將入射到它的前表面的外部光透射，從而設(shè)置在透明有機發(fā)光顯示設(shè)備后面的物體對于用戶可見。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

透明有機發(fā)光顯示設(shè)備的透明度可以由通過其的外部光的透射率來確定。然而，包括在透明有機發(fā)光顯示設(shè)備內(nèi)的用于顯示圖像的元件可能導致通過其的外部光的透射率的降低。

發(fā)明構(gòu)思的一個或更多個示例性實施例提供一種具有改善的外部光透射率的透明有機發(fā)光顯示設(shè)備。

發(fā)明構(gòu)思的一個或更多個示例性實施例也提供一種制造透明有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，顯示面板包括：信號線，在第一方向或與第一方向交叉的第二方向上延伸；第一晶體管，電連接到信號線，并包括第一有源圖案和第一柵電極；以及第一電極，電連接到第一晶體管。在這樣的實施例中，多個開口以使得信號線通過其透射外部光的方式限定在信號線中。

在示例性實施例中，信號線可以包括：柵極線，在第一方向上延伸；數(shù)據(jù)線，在第二方向上延伸；以及驅(qū)動電源線，在第二方向上延伸，并與數(shù)據(jù)線間隔開。

在示例性實施例中，柵極線、數(shù)據(jù)線和驅(qū)動電源線中的每個可以具有限定開口的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

在示例性實施例中，網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)可以由形成重復的x形狀的多條精細線限定。

在示例性實施例中，每條精細線可以具有小于大約2.0微米(μm)的寬度。

在示例性實施例中，第一柵電極可以電連接到第一存儲電極。在這樣的實施例中，開口可以不在第一柵電極處，從而第一柵電極阻擋外部光。

在示例性實施例中，第一電極可以包括透明導電材料，第一電極的一部分可以與信號線疊置。

在示例性實施例中，第一有源圖案可以包括透明的氧化物半導體。

在示例性實施例中，顯示面板還可以包括形成存儲電容器的第一存儲電極和第二存儲電極。在這樣的實施例中，第一存儲電極可以包括透明的氧化物半導體，第二存儲電極可以包括透明導電材料。

在示例性實施例中，第一存儲電極和第一有源圖案可以由同一層限定，第一存儲電極可以具有比第一有源圖案的氫濃度高的氫濃度。

在示例性實施例中，顯示面板還可以包括包含有機材料并位于第一存儲電極與第二存儲電極之間的絕緣層。

在示例性實施例中，顯示面板還可以包括位于第一存儲電極和第二存儲電極之間的第一絕緣層和第二絕緣層。在這樣的實施例中，第一絕緣層可以包括無機材料，第二絕緣層可以包括有機材料。

在示例性實施例中，第二存儲電極和第一電極可以由同一層限定。

在示例性實施例中，顯示面板還可以包括位于第一電極上并包括透明材料的像素限定層，暴露第一電極的一部分的開口限定在像素限定層中。

在示例性實施例中，顯示面板還可以包括將信號線、第一晶體管和第一電極彼此絕緣的多個絕緣層。在這樣的實施例中，信號線、第一晶體管和第一電極可以通過穿過絕緣層限定的接觸孔彼此電連接。在這樣的實施例中，開口可以不在信號線和第一晶體管的通過接觸孔連接信號線和第一晶體管處的部分處，以及可以不形成在第一晶體管和第一電極的通過接觸孔連接第一晶體管和第一電極處的部分處，使得信號線和第一晶體管的所述部分以及第一晶體管和第一電極的所述部分不透明。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，制造顯示面板的方法包括：在基體基底上設(shè)置信號線；在設(shè)置有信號線的基體基底上設(shè)置絕緣層；以及在絕緣層上設(shè)置透明圖案。在這樣的實施例中，設(shè)置信號線的步驟包括以使得信號線通過其透射外部光的方式在信號線中形成多個開口。

在示例性實施例中，設(shè)置信號線的步驟還可以包括：在基體基底上設(shè)置導電層；以及通過使用光刻法或壓印光刻法使導電層圖案化來形成信號線。在這樣的實施例中，可以在使導電層圖案化時在信號線中同時形成開口。

在示例性實施例中，絕緣層可以包括有機材料，所述方法還可以包括在基體基底上設(shè)置有源圖案以及在設(shè)置透明圖案之前使用包括氫的清洗流體來清洗絕緣層。在這樣的實施例中，有源圖案可以包括透明的氧化物半導體并包括第一存儲電極和第一有源圖案，透明圖案可以包括第一電極和第二存儲電極，第一存儲電極、絕緣層和第二存儲電極可以共同地限定存儲電容器。

在示例性實施例中，所述方法還可以包括在第一電極上設(shè)置包括透明材料的像素限定層，暴露第一電極的一部分的開口可以限定在像素限定層中。在這樣的實施例中，透明圖案可以不與第一有源圖案疊置，第二存儲電極可以與第一存儲電極疊置。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，顯示面板包括：信號線，包括金屬；第一電極和晶體管，第一電極包括透明導電材料，晶體管電連接到信號線；以及發(fā)光結(jié)構(gòu)，位于第一電極上。在這樣的實施例中，多個開口以使得信號線通過其透射外部光的方式限定在信號線中。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，顯示面板包括其中限定有多個開口的信號線，使得可以改善透明度。在這樣的實施例中，顯示面板可以包括包含透明的氧化物半導體的第一存儲電極和包含透明圖案的第二存儲電極，使得大幅度改善與形成有存儲電容器處對應的外部光的透射率。

附圖說明

通過參照附圖對發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例詳細地描述，發(fā)明構(gòu)思的以上和其它特征將變得更加明顯，在附圖中：

圖1是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的顯示面板的平面圖；

圖2是沿圖1的線i-i'截取的剖視圖；

圖3是示出圖1的顯示面板的布線的透射區(qū)域和非透射區(qū)域的平面圖；

圖4是示出圖1的顯示面板的像素的示例性實施例的等效電路圖；

圖5是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的可選擇的示例性實施例的顯示面板的平面圖；

圖6a至圖14是示出制造圖1的顯示面板的方法的示例性實施例的平面圖和剖視圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將在下文中參照附圖更充分地描述發(fā)明，在附圖中示出了各種實施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實施，并且不應被解釋為限于這里所闡述的實施例。相反，提供這些實施例使得本公開將是徹底的和完整的，并且這些實施例將把發(fā)明的范圍充分地傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。同樣的附圖標記始終表示同樣的元件。

將理解的是，當元件被稱為“在”另一元件“上”時，該元件可以直接在所述另一元件上，或者可以在其間存在中間元件。相反，當元件被稱為“直接在”另一元件“上”時，不存在中間元件。

將理解的是，盡管術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等可以在這里用于描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不脫離這里的教導的情況下，下面討論的“第一元件”、“第一組件”、“第一區(qū)域”、“第一層”或“第一部分”可以被稱為第二元件、第二組件、第二區(qū)域、第二層或第二部分。

這里使用的術(shù)語僅用于描述特定實施例的目的，而不意圖限制。如在這里所使用的，除非上下文另有清楚地指明，否則單數(shù)形式“一個”、“一種(者)”和“該(所述)”以及“……中的至少一個(種)(者)”意圖包括復數(shù)形式?！盎颉北硎尽昂?或”。如這里所使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或更多個相關(guān)所列項的任何和所有組合。還將理解的是，術(shù)語“包括”和/或其變型當用在本說明書中時，說明存在所述特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但是并不排除存在或附加一個或更多個其它特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。

此外，在這里可以使用諸如“下”或“底”和“上”或“頂”的相對術(shù)語來描述如圖中所示出的一個元件與另一元件的關(guān)系。將理解的是，相對術(shù)語意圖包含除了圖中描繪的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一幅圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其它元件的“下”側(cè)上的元件將隨后被定位為在所述其它元件的“上”側(cè)。因此，示例性術(shù)語“下”可以根據(jù)附圖的特定定向包含“下”和“上”兩種方位。類似地，如果一幅圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其它元件“下方”或“下面”的元件將隨后被定位為在所述其它元件“上方”。因此，示例性術(shù)語“下方”或“下面”可以包含上方和下方兩種方位。

如這里使用的“大約”或“近似”包括所述的值，并意味著：考慮到正在被談及的測量以及與具體量的測量有關(guān)的誤差(即，測量系統(tǒng)的局限性)，在由本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員確定的具體值的可接受偏差范圍之內(nèi)。例如，“大約”可以表示在一個或更多個標準偏差內(nèi)，或者在所陳述的值的±30％、20％、10％、5％之內(nèi)。

除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學術(shù)語)具有與本公開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。還將理解的是，術(shù)語(諸如在通用字典中定義的術(shù)語)應當被解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域和本公開的上下文中的含義一致的含義，并且將不以理想化的或過于形式化的含義來解釋，除非這里明確地如此定義。

在這里參照作為理想化實施例的示意圖的剖視圖來描述示例性實施例。如此，預期例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，這里描述的實施例不應被解釋為限于如這里示出的區(qū)域的特定形狀，而是包括例如由制造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區(qū)域通常可以具有粗糙的和/或非線性的特征。此外，示出的銳角可以被倒圓。因此，圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，并且它們的形狀不意圖示出區(qū)域的精確形狀，并且不意圖限制本權(quán)利要求的范圍。

在下文中，將參照附圖詳細描述發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例。

圖1是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的顯示面板的平面圖。圖2是沿圖1的線i-i'截取的剖視圖。圖4是示出圖1的顯示面板的像素的示例性實施例的等效電路圖。

參照圖1和圖2，顯示面板的示例性實施例可以包括基體基底100、柵極圖案、第一絕緣層110、有源圖案、第二絕緣層120、數(shù)據(jù)圖案、第一晶體管tr1、第二晶體管tr2、第三絕緣層130、第四絕緣層140、透明圖案、像素限定層150、發(fā)光結(jié)構(gòu)160、第二電極el2和密封基底200。

基體基底100可以是透明絕緣基底。在一個示例性實施例中，例如，基體基底100可以包括玻璃、石英或透明樹脂等。用于基體基底100的透明樹脂可以包括聚酰亞胺類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚丙烯酸酯類樹脂、聚碳酸酯類樹脂、聚醚類樹脂、含磺酸樹脂或聚對苯二甲酸乙二醇酯類樹脂等。

柵極圖案可以設(shè)置在基體基底100上。例如，柵極圖案可以包括金屬、合金、導電金屬氧化物或透明導電材料。在一個示例性實施例中，例如，柵極圖案可以使用從鋁(al)、含鋁合金、氮化鋁(alnx)、銀(ag)、含銀合金、鎢(w)、氮化鎢(wnx)、銅(cu)、含銅合金、鎳(ni)、含鎳合金、鉻(cr)、氮化鉻(crnx)、鉬(mo)、含鉬合金、鈦(ti)、氮化鈦(tinx)、鉑(pt)、鉭(ta)、氮化鉭(tanx)、釹(nd)、鈧(sc)、氧化鍶釕(sro)、氧化鋅(znox)、氧化銦錫(“ito”)、氧化錫(snox)、氧化銦(inox)、氧化鎵(gaox)和氧化銦鋅(“izo”)中選擇的至少一種材料來形成。在這樣的實施例中，以上所列材料可以單獨使用或以它們的組合使用。在示例性實施例中，柵極圖案可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，所述單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)可以包括金屬膜、合金膜、金屬氮化物膜、導電金屬氧化物膜和/或透明導電膜。

柵極圖案可以包括柵極線101、第一柵電極ge1和第二柵電極ge2。

柵極線101可以在第一方向d1上延伸。可以通過柵極線101將掃描信號提供給第二柵電極ge2。柵極線101可以透射外部光。在示例性實施例中，可以在柵極線101的基本上整個區(qū)域處限定或形成多個開口。在一個示例性實施例中，例如，柵極線101可以包括以使得精細線可以形成重復的x形狀以限定網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的方式設(shè)置的多條精細線。精細線可以具有小于大約2.0微米(μm)的寬度以對用戶不可見。因此，呈網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的柵極線101可以通過開口有效地透射外部光。

在示例性實施例中，柵極線101可以具有形成如上所述的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的精細線，但是不限于此。在可選擇的示例性實施例中，柵極線101可以具有各種構(gòu)造以透射外部光。在一個示例性實施例中，例如，柵極線101可以包括多個狹縫。在示例性實施例中，柵極線101中的開口可以具有矩形、圓形或橢圓形形狀。開口可以規(guī)則地布置或者不規(guī)則地布置。

第一柵電極ge1可以與柵極線101間隔開。第一柵電極ge1可以具有其中不限定有開口的常規(guī)的形狀，以改善第一晶體管tr1的特性。因此，第一柵電極ge1不會透射外部光。

第二柵電極ge2可以電連接到柵極線101。第二柵電極ge2可以具有其中不限定有開口的常規(guī)的形狀，以改善第二晶體管tr2的特性。因此，第二柵電極ge2不會透射外部光。

盡管圖中未示出，但是還可以在柵極圖案與基體基底100之間設(shè)置緩沖層。緩沖層可以有效地防止金屬原子和/或雜質(zhì)從基體基底100的擴散。在基體基底100具有相對不規(guī)則的或不平坦的表面的示例性實施例中，緩沖層可以改善基體基底100的表面的平坦度。緩沖層可以使用硅化合物來形成。在一個示例性實施例中，例如，緩沖層可以包括從氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、碳氧化硅(sioxcy)和氮碳化硅(sicxny)中選擇的至少一種材料。在這樣的實施例中，以上所列材料可以單獨使用或以它們的混合物使用。緩沖層可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。在一個示例性實施例中，例如，緩沖層可以具有包括氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、碳氧化硅膜或氮碳化硅膜的單層結(jié)構(gòu)?？蛇x擇地，例如，緩沖層可以具有包括氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、碳氧化硅膜和氮碳化硅膜中的至少兩個的多層結(jié)構(gòu)。

第一絕緣層110可以設(shè)置在其上設(shè)置有柵極圖案的基體基底100上。第一絕緣層110可以包括硅化合物、金屬氧化物等。在一個示例性實施例中，例如，第一絕緣層110可以使用從氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、氧化鋁(alox)、氧化鉭(taox)、氧化鉿(hfox)、氧化鋯(zrox)和氧化鈦(tiox)中選擇的至少一種材料來形成。在這樣的實施例中，以上所列材料可以單獨使用或以它們的組合使用。在示例性實施例中，第一絕緣層110可以沿柵極圖案的輪廓均勻地形成在基體基底100上。在這樣的實施例中，第一絕緣層110可以具有基本上小的厚度，使得可以在第一絕緣層110的與柵極圖案相鄰的部分處形成臺階部。在一些示例性實施例中，第一絕緣層110可以具有用于充分地覆蓋柵極圖案的相對大的厚度，從而第一絕緣層110可以具有基本上平坦的表面。

有源圖案可以設(shè)置在第一絕緣層110上。有源圖案可以包括透明的氧化物半導體。在一個示例性實施例中，例如，氧化物半導體可以包括非晶氧化物，所述非晶氧化物包括從銦(in)、鋅(zn)、鎵(ga)、錫(sn)和鉿(hf)中選擇的至少一種。在一個示例性實施例中，例如，氧化物半導體可以包括包含銦(in)、鋅(zn)和鎵(ga)的非晶氧化物(或由包含銦(in)、鋅(zn)和鎵(ga)的非晶氧化物組成)，或者包括包含銦(in)、鋅(zn)和鉿(hf)的非晶氧化物(或由包含銦(in)、鋅(zn)和鉿(hf)的非晶氧化物組成)。氧化物半導體可以包括諸如氧化銦鋅(inzno)、氧化銦鎵(ingao)、氧化銦錫(insno)、氧化鋅錫(znsno)、氧化鎵錫(gasno)和氧化鎵鋅(gazno)的氧化物。

有源圖案可以包括第一有源圖案act1、第二有源圖案act2和第一存儲電極cst1。

當在顯示面板的厚度方向上觀察時，第一有源圖案act1可以與第一柵電極ge1疊置。當在顯示面板的厚度方向上觀察時，第二有源圖案act2可以與第二柵電極ge2疊置。

第一存儲電極cst1可以與第一有源圖案act1和第二有源圖案act2間隔開。第一存儲電極cst1可以具有比第一有源圖案act1和第二有源圖案act2的氫濃度高的氫濃度。當氫濃度增大時，載流子濃度增大，從而第一存儲電極cst1可以具有高的氫濃度，以有效地用作存儲電容器的下電極。

在第一有源圖案act1和第二有源圖案act2包括氧化物半導體的示例性實施例中，顯示面板還可以包括與第一有源圖案act1和第二有源圖案act2疊置的光阻擋層，以有效防止氧化物半導體的特性由于外部光而劣化。

第二絕緣層120可以設(shè)置在其上設(shè)置有有源圖案的第一絕緣層110上。第二絕緣層120可以包括硅化合物或金屬氧化物等。在一個示例性實施例中，例如，第二絕緣層120可以使用從氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、氧化鋁(alox)、氧化鉭(taox)、氧化鉿(hfox)、氧化鋯(zrox)和氧化鈦(tiox)中選擇的至少一種材料來形成。在這樣的實施例中，以上所列材料可以單獨使用或以它們的組合使用。在示例性實施例中，第二絕緣層120可以沿有源圖案的輪廓均勻地形成在第一絕緣層110上。在示例性實施例中，第二絕緣層120可以具有基本上小的厚度，使得可以在第二絕緣層120的與有源圖案相鄰的部分處形成臺階部。在一些示例性實施例中，第二絕緣層120可以具有用于充分地覆蓋有源圖案的相對大的厚度，從而第二絕緣層120可以具有基本上平坦的表面。

數(shù)據(jù)圖案可以包括數(shù)據(jù)線121、第二源電極se2、第二漏電極de2、第一連接電極123、驅(qū)動電源線122、第一源電極se1和第二連接電極124。在一些示例實施例中，在沒有第一連接電極123的情況下，第二有源圖案act2和第一存儲電極cst1可以彼此直接連接。

數(shù)據(jù)線121可以在與第一方向d1交叉的第二方向d2上延伸?？梢酝ㄟ^數(shù)據(jù)線121將數(shù)據(jù)信號施加到第二源電極se2。數(shù)據(jù)線121可以透射外部光。在一個示例性實施例中，例如，可以在數(shù)據(jù)線121的基本上整個區(qū)域處限定或形成多個開口。數(shù)據(jù)線121可以包括多條精細線，從而精細線可以形成重復的x形狀以限定網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。精細線可以具有小于大約2.0μm的寬度以對用戶不可見。因此，數(shù)據(jù)線121可以通過開口有效地透射外部光。

在示例性實施例中，數(shù)據(jù)線121具有形成如上所述的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的精細線，但不限于此。在可選擇的示例性實施例中，數(shù)據(jù)線121可以具有各種構(gòu)造以透射外部光。在一個示例性實施例中，例如，數(shù)據(jù)線121可以包括多個狹縫。在示例性實施例中，數(shù)據(jù)線121中的開口可以具有矩形、圓形或橢圓形形狀。開口可以規(guī)則地布置或不規(guī)則地布置。

第二源電極se2可以電連接到數(shù)據(jù)線121。第二源電極se2可以通過穿過第二絕緣層120限定或形成的接觸孔電連接到第二有源圖案act2。第二源電極se2可以具有其中不限定有開口的常規(guī)的形狀，以改善第二晶體管tr2的特性。因此，第二源電極se2不會透射外部光。

第二漏電極de2可以通過穿過第二絕緣層120限定或形成的接觸孔電連接到第二有源圖案act2。第二漏電極de2可以電連接到第一連接電極123。第二漏電極de2可以具有其中沒有限定有開口的常規(guī)的形狀，以改善第二晶體管tr2的特性。因此，第二漏電極de2不會透射外部光。

第一連接電極123可以將第二漏電極de2電連接到第一存儲電極cst1。第一連接電極123可以電連接到第二漏電極de2。第一連接電極123可以通過穿過第二絕緣層120限定或形成的接觸孔電連接到第一存儲電極cst1。

第一連接電極123的填充接觸孔的部分可以具有其中沒有限定有開口的常規(guī)的形狀，以改善電特性。因此，該部分不會透射外部光。在這樣的實施例中，第一連接電極123的另一部分可以具有類似于數(shù)據(jù)線121的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，從而外部光可以通過其透射。

驅(qū)動電源線122可以在第一方向d1上與數(shù)據(jù)線121間隔開，并在第二方向d2上延伸?？梢酝ㄟ^驅(qū)動電源線122將第一電源電壓elvdd(圖4中所示)施加到第一源電極se1。驅(qū)動電源線122可以透射外部光。在一個示例性實施例中，例如，可以在驅(qū)動電源線122的基本上整個區(qū)域處限定或形成多個開口。驅(qū)動電源線122可以包括多條精細線，從而精細線可以形成重復的x形狀以限定網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。精細線可以具有小于大約2.0μm的寬度以對用戶不可見。因此，驅(qū)動電源線122可以通過開口透射外部光。

在示例性實施例中，驅(qū)動電源線122具有形成如上所述的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的精細線，但不限于此。在可選擇的示例性實施例中，驅(qū)動電源線122可以具有各種構(gòu)造以透射外部光。在一個示例性實施例中，例如，驅(qū)動電源線122可以包括多個狹縫。在示例性實施例中，驅(qū)動電源線122中的開口可以具有矩形、圓形或橢圓形形狀。開口可以規(guī)則地布置或不規(guī)則地布置。

第一源電極se1可以通過穿過第二絕緣層120限定或形成的接觸孔電連接到第一有源圖案act1。第一源電極se1可以具有其中沒有限定有開口的常規(guī)的形狀，以改善第一晶體管tr1的特性。因此，第一源電極se1不會透射外部光。

第二連接電極124可以將第一柵電極ge1電連接到第一存儲電極cst1。第二連接電極124可以通過穿過第一絕緣層110和第二絕緣層120限定或形成的接觸孔電連接到第一柵電極ge1。第二連接電極124可以通過穿過第二絕緣層120限定或形成的接觸孔電連接到第一存儲電極cst1。

第二連接電極124的填充接觸孔的部分可以具有其中沒有限定有開口的常規(guī)的形狀，以改善電特性。因此，該部分不會透射外部光。在這樣的實施例中，第二連接電極124的另一部分可以具有類似于數(shù)據(jù)線121的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，從而外部光可以通過其透射。

第三絕緣層130可以設(shè)置在其上設(shè)置有數(shù)據(jù)圖案的第二絕緣層120上。第三絕緣層130可以包括硅化合物或金屬氧化物等。在一個示例性實施例中，例如，第三絕緣層130可以使用從氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、氧化鋁(alox)、氧化鉭(taox)、氧化鉿(hfox)、氧化鋯(zrox)和氧化鈦(tiox)中選擇的至少一種材料來形成。在這樣的實施例中，以上所列材料可以單獨使用或以它們的組合使用。在示例性實施例中，第三絕緣層130可以沿數(shù)據(jù)圖案的輪廓均勻地形成在基體基底100上。在這樣的實施例中，第三絕緣層130可以具有基本上小的厚度，使得可以在第三絕緣層130的與數(shù)據(jù)圖案相鄰的部分處形成臺階部。在一些示例性實施例中，第三絕緣層130可以具有用于充分地覆蓋數(shù)據(jù)圖案的相對大的厚度，從而第三絕緣層130可以具有基本上平坦的表面。

第一晶體管tr1可以由第一柵電極ge1、第一有源圖案act1、第一源電極se1和第一漏電極de1來限定。

第二晶體管tr2可以由第二柵電極ge2、第二有源圖案act2、第二源電極se2和第二漏電極de2來限定。

第四絕緣層140可以設(shè)置在第三絕緣層130上。第四絕緣層140可以具有單層結(jié)構(gòu)或包括至少兩個絕緣膜的多層結(jié)構(gòu)。第四絕緣層140可以使用有機材料來形成。在一個示例性實施例中，例如，第四絕緣層140可以包括從丙烯酸類樹脂和聚酰亞胺類樹脂中選擇的至少一種材料。在這樣的實施例中，以上所列材料可以單獨使用或以它們的組合使用。

透明圖案可以設(shè)置在第四絕緣層140上。透明圖案可以包括透明導電材料。在一個示例性實施例中，例如，透明圖案可以包括ito或izo。

透明圖案可以包括第一電極el1和第二存儲電極cst2。

當在顯示面板的厚度方向上觀察時，第一電極el1可以與柵極圖案的一部分和數(shù)據(jù)圖案的一部分疊置。在一個示例性實施例中，例如，第一電極el1可以與柵極線101的一部分疊置，以及與數(shù)據(jù)線121的一部分疊置。第一電極el1可以包括透明導電材料。在示例性實施例中，盡管第一電極el1與柵極線101或數(shù)據(jù)線121疊置，但是第一電極el1包括透明導電材料，柵極線101和數(shù)據(jù)線121具有通過其透射外部光的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，從而可以有效地透射外部光。

第一漏電極de1可以通過穿過第二絕緣層至第四絕緣層120、130和140限定或形成的接觸孔電連接到第一有源圖案act1。第一漏電極de1可以電連接到第一電極el1。第一漏電極de1可以由第一電極el1的一部分來限定。

在一些示例性實施例中，第一漏電極de1可以形成為數(shù)據(jù)圖案，并通過穿過第二絕緣層120限定或形成的接觸孔電連接到第一有源圖案act1。第一電極el1可以通過穿過第三絕緣層130和第四絕緣層140限定或形成的接觸孔電連接到第一漏電極de1。

當在顯示面板的厚度方向上觀察時，第二存儲電極cst2可以與第一存儲電極cst1疊置。第二存儲電極cst2可以通過穿過第三絕緣層130和第四絕緣層140限定或形成的接觸孔電連接到驅(qū)動電源線122。第一存儲電極cst1和第二存儲電極cst2以及位于第一存儲電極cst1和第二存儲電極cst2之間的第二絕緣層至第四絕緣層120、130和140可以共同限定存儲電容器。

在示例性實施例中，如上所述，第一存儲電極cst1和第二存儲電極cst2以及位于第一存儲電極cst1和第二存儲電極cst2之間的第二絕緣層至第四絕緣層120、130和140共同限定存儲電容器，但是不限于此。在可選擇的示例性實施例中，可以省略第一存儲電極cst1和第二存儲電極cst2之間的第二絕緣層至第四絕緣層中的至少一個，以減小第一存儲電極cst1和第二存儲電極cst2之間的間隙。在這樣的實施例中，存儲電容器的電容會增大。

在示例性實施例中，驅(qū)動電源線122的填充接觸孔的部分可以具有其中沒有限定有開口的常規(guī)形狀，以改善電特性。因此，該部分不會透射外部光。

像素限定層150可以設(shè)置在其上設(shè)置有第一電極el1的第四絕緣層140上。像素限定層150可以包括有機材料或無機材料。在一個示例性實施例中，例如，像素限定層150可以使用從光致抗蝕劑、丙烯酸類樹脂、聚丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂和硅化合物中選擇的至少一種材料形成。在一些示例性實施例中，可以通過蝕刻像素限定層150來形成暴露第一電極el1的一部分的開口。顯示設(shè)備的顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域可以通過像素限定層150的開口來確定。在一個示例性實施例中，例如，顯示區(qū)域可以對應于像素限定層150的開口，非顯示區(qū)域可以與像素限定層150的與開口相鄰的部分對應。

像素限定層150可以包括透明材料，從而像素限定層150可以透射外部光。因此，非顯示區(qū)域可以透射外部光。

發(fā)光結(jié)構(gòu)160可以設(shè)置在由像素限定層150暴露的第一電極el1上。發(fā)光結(jié)構(gòu)160可以在像素限定層150的開口的側(cè)壁上延伸。例如，發(fā)光結(jié)構(gòu)160可以通過激光誘導熱成像工藝或印刷工藝來形成。例如，發(fā)光結(jié)構(gòu)160可以包括有機發(fā)光層(“el”)、空穴注入層(“hil”)、空穴傳輸層(“htl”)、電子傳輸層(“etl”)或電子注入層(“eil”)。在示例性實施例中，多個有機發(fā)光層可以使用用于產(chǎn)生與顯示裝置的顏色像素一致的諸如紅色光(r)、綠色光(g)和藍色光(b)的不同顏色的光的發(fā)光材料形成。在一些示例性實施例中，發(fā)光結(jié)構(gòu)160的有機發(fā)光層可以包括用于產(chǎn)生紅色光、綠色光和藍色光從而發(fā)射白色光的多個堆疊的發(fā)光材料。在這樣的實施例中，顯示面板還可以包括濾色器層以發(fā)射彼此不同的顏色光。

在示例性實施例中，發(fā)光結(jié)構(gòu)160和第一電極el1設(shè)置在數(shù)據(jù)線121和相鄰像素的驅(qū)動電源線之間，但不限于此。在一些示例性實施例中，第一電極el1和發(fā)光結(jié)構(gòu)160可以設(shè)置在數(shù)據(jù)線121和驅(qū)動電源線122之間。在這樣的實施例中，可以不同地改變數(shù)據(jù)線121的位置。

第二電極el2可以設(shè)置在像素限定層150和發(fā)光結(jié)構(gòu)160上。可以向第二電極el2施加第二電源電壓elvss(圖4中所示)。第二電極el2可以透射光。第二電極el2可以使用金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物或透明導電材料等來形成。在一個示例性實施例中，例如，第二電極el2可以包括從鋁(al)、含鋁合金、氮化鋁(alnx)、銀(ag)、含銀合金、鎢(w)、氮化鎢(wnx)、銅(cu)、含銅合金、鎳(ni)、鉻(cr)、氮化鉻(crnx)、鉬(mo)、含鉬合金、鈦(ti)、氮化鈦(tinx)、鉑(pt)、鉭(ta)、氮化鉭(tanx)、釹(nd)、鈧(sc)、氧化鍶釕(sro)、氧化鋅(znox)、ito、氧化錫(snox)、氧化銦(inox)、氧化鎵(gaox)和izo中選擇的至少一種材料。在這樣的實施例中，以上所列材料可以單獨使用或以它們的組合使用。在示例性實施例中，第二電極el2可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，所述單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)可以包括金屬膜、合金膜、金屬氮化物膜、導電金屬氧化物膜和/或透明導電材料膜。

密封基底200可以設(shè)置在第二電極el2上。密封基底200可以包括透明材料并被構(gòu)造為有效地防止環(huán)境空氣和潮氣滲透到透明有機發(fā)光顯示設(shè)備中。密封基底200可以結(jié)合到基體基底100，以通過密封劑(未示出)密封基體基底100和密封基底200之間的空間。

可以將干燥劑或填充劑填充到該空間中。在示例性實施例中，可以在第二電極el2上形成薄的密封膜而不是密封基底200，以保護第二電極和發(fā)光結(jié)構(gòu)不受環(huán)境空氣和潮氣影響。密封膜具有這樣的結(jié)構(gòu)：其中交替堆疊有包括諸如氧化硅或氮化硅的無機材料的層(或由諸如氧化硅或氮化硅的無機材料形成的層)以及包括諸如環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺的層(或由諸如環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺形成的層)。然而，發(fā)明不限于此。在這樣的實施例中，密封膜的結(jié)構(gòu)可以是透明薄膜形式的任何密封結(jié)構(gòu)中的一種。

根據(jù)示例性實施例，除了第一晶體管tr1和第二晶體管tr2以及形成有接觸孔的部分之外，顯示設(shè)備的元件可以透射外部光。因此，可以增大外部光的透射率，從而可以改善如透明顯示設(shè)備的質(zhì)量。在這樣的實施例中，可以減少由于衍射現(xiàn)象導致的透射光圖像的質(zhì)量劣化。

在示例性實施例中，如圖2中所示，第一晶體管和第二晶體管可以具有底柵結(jié)構(gòu)，但不限于此。在可選擇的示例性實施例中，第一晶體管和第二晶體管可以具有諸如頂柵結(jié)構(gòu)等的另一結(jié)構(gòu)。在示例性實施例中，顯示面板的像素結(jié)構(gòu)可以具有各種結(jié)構(gòu)。在示例性實施例中，可以根據(jù)需要省略或部分地去除第一絕緣層至第四絕緣層。

圖3是示出圖1的顯示面板的布線的透射區(qū)域和非透射區(qū)域的平面圖。

參照圖1和圖3，多個開口限定在柵極線101、數(shù)據(jù)線121、驅(qū)動電源線122、第一連接電極123和第二連接電極124中的每個中，以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，從而透射外部光。第一電極el1可以包括透明導電材料，從而第一電極el1可以透射外部光。第一存儲電極cst1可以包括透明的氧化物半導體，從而第一存儲電極cst1可以透射外部光。第二存儲電極cst2可以包括透明導電材料，從而第二存儲電極cst2可以透射外部光。

第二源電極se2、第二柵電極ge2、第二漏電極de2、第一連接電極123的通過接觸孔連接到第一存儲電極cst1的部分、第二連接電極124的通過接觸孔連接到第一存儲電極cst1的部分、第一柵電極ge1、第二連接電極124的通過接觸孔連接到第一柵電極ge1的部分、第一源電極se1和驅(qū)動電源線122的通過接觸孔連接到第二存儲電極cst2的部分可以不是透明的，從而阻擋外部光。在這樣的實施例中，如上所述，非透射區(qū)域可以形成為改善第一晶體管tr1和第二晶體管tr2的特性，或者改善接觸孔處的電接觸特性。圖3中的陰影區(qū)域是與非透射區(qū)域?qū)牟煌该鞑糠?。在示例性實施例中，除了非透射區(qū)域之外的部分可以是透射外部光的透射區(qū)域。

圖4是示出圖1的顯示面板的像素的示例性實施例的等效電路圖。

參照圖4，像素可以包括oled(有機發(fā)光二極管)、第一晶體管tr1、第二晶體管tr2、存儲電容器cst和二極管并聯(lián)電容器cel。二極管并聯(lián)電容器cel可以是寄生電容器。

oled可以基于驅(qū)動電流id發(fā)光。oled可以包括第一電極和第二電極。在一個示例性實施例中，第二電源電壓elvss可以施加到oled的第二電極。在示例性實施例中，oled的第一電極可以是陽極電極，oled的第二電極可以是陰極電極。在可選擇的示例性實施例中，oled的第一電極可以是陰極電極，oled的第二電極可以是陽極電極。

第一晶體管tr1可以包括柵電極、第一電極和第二電極。在示例性實施例中，第一晶體管tr1的第一電極可以是源電極，第一晶體管tr1的第二電極可以是漏電極。在可選擇的示例性實施例中，第一晶體管tr1的第一電極可以是漏電極，第一晶體管tr1的第二電極可以是源電極。

第一晶體管tr1可以產(chǎn)生驅(qū)動電流id。在示例性實施例中，第一晶體管tr1可以在飽和區(qū)域中操作。在這樣的實施例中，第一晶體管tr1可以基于第一晶體管tr1的柵電極和源電極之間的電壓差產(chǎn)生驅(qū)動電流id?；叶瓤梢曰谔峁┙ooled的驅(qū)動電流id來呈現(xiàn)。在可選擇的示例性實施例中，第一晶體管tr1可以在線性區(qū)域中操作。在這樣的實施例中，灰度可以基于將驅(qū)動電流id提供給oled的時間長度來呈現(xiàn)。

第二晶體管tr2可以包括柵電極、第一電極和第二電極。掃描信號可以施加到柵電極，數(shù)據(jù)信號可以施加到第一電極。第二電極可以連接到第一晶體管tr1的柵電極。在示例性實施例中，第二晶體管tr2的第一電極可以是源電極，第二晶體管tr2的第二電極可以是漏電極。在可選擇的示例性實施例中，第二晶體管tr2的第一電極可以是漏電極，第二晶體管tr2的第二電極可以是源電極。

當掃描信號被激活時，第二晶體管tr2可以將數(shù)據(jù)信號data提供給第一晶體管tr1的柵電極。第二晶體管tr2可以在線性區(qū)域中操作。

存儲電容器cst可以包括被施加第一電源電壓elvdd的第一電極和連接到第一晶體管tr1的柵電極的第二電極。當掃描信號gate未激活時，存儲電容器cst可以保持第一晶體管tr1的柵電極的電壓電平。因此，由第一晶體管tr1產(chǎn)生的驅(qū)動電流id可以基于由存儲電容器cst保持的電壓電平而被提供給oled。

當oled不發(fā)光時，oled的兩個電極之間的電壓差可以比oled的閾值電壓低。當電壓差高于閾值電壓時，oled可以發(fā)光。因此，當在二極管并聯(lián)電容器cel中充電到閾值電容時，電壓差可以達到閾值電壓，可以發(fā)光。閾值電容可以根據(jù)下面的等式計算：qc＝cel×vth，其中，qc表示閾值電容，cel表示二極管并聯(lián)電容器的電容，vth表示oled的閾值電壓。

在示例性實施例中，當oled呈現(xiàn)黑色光(即，灰度為零)時，驅(qū)動電流id可以通過第一晶體管tr1產(chǎn)生的漏電流而不為零。然而，漏電流可以流過二極管并聯(lián)電容器cel而不是oled，直到oled的兩個電極之間的電壓差達到閾值電壓。當二極管并聯(lián)電容器cel通過漏電流充電直到閾值電容時，oled可以不發(fā)射光。因此，當確定在一幀中不發(fā)光的時間長度時，可以調(diào)整初始化電壓的電壓電平和二極管并聯(lián)電容器的電容，從而oled可以在一幀期間不發(fā)光。

圖5是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的可選擇的示例性實施例的顯示面板的平面圖。

除了第一電極el1的形狀之外，圖5中示出的顯示面板與圖1的顯示面板基本上相同。已經(jīng)使用與上面用于描述圖1中示出的顯示面板的示例性實施例相同的附圖標記來標記圖5中所示的相同或相似的元件，在下文中將省略或簡化它們的任何重復的詳細描述。

在示例性實施例中，顯示面板可以包括柵極圖案、有源圖案、數(shù)據(jù)圖案、第一晶體管tr1和第二晶體管tr2以及透明圖案。柵極圖案可以包括柵極線101、第一柵電極ge1和第二柵電極ge2。有源圖案可以包括第一有源圖案act1、第二有源圖案act2和第一存儲電極cst1。數(shù)據(jù)圖案可以包括數(shù)據(jù)線121、第二源電極se2、第二漏電極de2、第一連接電極123、驅(qū)動電源線122、第一源電極se1和第二連接電極124。第一晶體管tr1可以包括第一柵電極ge1、第一有源圖案act1、第一源電極se1和第一漏電極de1。第二晶體管tr2可以包括第二柵電極ge2、第二有源圖案act2、第二源電極se2和第二漏電極de2。

透明圖案可以包括第一電極el1和第二存儲電極cst2。

第一電極el1可以包括透明導電材料。第一電極el1可以設(shè)置為不與柵極線101疊置。在這樣的實施例中，第一電極el1可以設(shè)置為使與數(shù)據(jù)線121或驅(qū)動電源線122的疊置部分最小化。在一個示例性實施例中，例如，第一電極el1的連接到第一漏電極de1的部分可以與數(shù)據(jù)線121疊置。

在示例性實施例中，第一電極el1可以具有多層結(jié)構(gòu)。在一個示例性實施例中，例如，第一電極el1可以具有逐個順序堆疊有ito、銀(ag)和ito的結(jié)構(gòu)。

在一個示例性實施例中，第二電極(參照圖2的el2)可以包括透反射材料。在一個示例性實施例中，例如，第二電極可以包括包含銀(ag)或鎂(mg)的透反射膜。

圖6a至圖14是示出制造圖1的顯示面板的方法的示例性實施例的平面圖和剖視圖。

參照圖6a和圖6b，在示例性實施例中，可以在基體基底100上設(shè)置或形成柵極圖案。在這樣的實施例中，柵極圖案可以包括柵極線101、第一柵電極ge1和第二柵電極ge2。

在示例性實施例中，可以在基體基底100上設(shè)置或形成導電層(未示出)，可以通過光刻工藝或使用另外的蝕刻掩模的蝕刻工藝來部分地蝕刻導電層。在這樣的實施例中，柵極圖案可以由基體基底100上的蝕刻的導電層限定。在示例性實施例中，可以通過印刷工藝、濺射工藝、化學氣相沉積(“cvd”)工藝、脈沖激光沉積(“pld”)工藝、真空蒸發(fā)工藝或原子層沉積(“ald”)工藝等來形成導電層。

柵極線101可以在第一方向d1上延伸。可以在柵極線101的基本上整個區(qū)域處形成多個開口。

可以通過各種方法形成開口。在一個示例性實施例中，例如，可以通過光刻或壓印光刻等形成開口。在示例性實施例中，可以在蝕刻導電層的同時形成開口。在可選擇的示例性實施例中，可以在形成柵極圖案之后通過額外的工藝形成開口。

第一柵電極ge1可以與柵極線101間隔開。不在第一柵電極ge1處形成開口。第一柵電極ge1可以是常規(guī)的金屬圖案。

第二柵電極ge2可以電連接到柵極線101。不在第二柵電極ge2處形成開口。第二柵電極ge2可以是常規(guī)的金屬圖案。

參照圖7a和圖7b，可以在其上形成有柵極圖案的基體基底100上設(shè)置或形成第一絕緣層110?？梢酝ㄟ^cvd工藝、旋涂工藝、等離子體增強化學氣相沉積(“pecvd”)工藝、濺射工藝、真空蒸發(fā)工藝、高密度等離子體-化學氣相沉積(“hdp-cvd”)工藝或印刷工藝等來形成第一絕緣層110。

可以在第一絕緣層110上形成有源圖案。有源圖案可以包括第一有源圖案act1、第二有源圖案act2和第一存儲電極cst1。

可以在第一絕緣層110上形成半導體層(未示出)，可以通過使半導體層圖案化在第一絕緣層110上形成預備有源層(未示出)?？梢詫︻A備有源層執(zhí)行結(jié)晶工藝，以在第一絕緣層110上形成有源圖案。在示例性實施例中，可以通過cvd工藝、pecvd工藝、低壓化學氣相沉積(“l(fā)pcvd”)工藝、濺射工藝或印刷工藝等形成半導體層。有源圖案可以包括透明的氧化物半導體。在一個示例性實施例中，例如，氧化物半導體可以包括非晶氧化物，非晶氧化物包括從銦(in)、鋅(zn)、鎵(ga)、錫(sn)和鉿(hf)中選擇的至少一種。在示例性實施例中，氧化物半導體可以包括包含銦(in)、鋅(zn)和鎵(ga)的非晶氧化物或者包含銦(in)、鋅(zn)和鉿(hf)的非晶氧化物(或由包含銦(in)、鋅(zn)和鎵(ga)的非晶氧化物或者包含銦(in)、鋅(zn)和鉿(hf)的非晶氧化物組成)。氧化物半導體可以包括諸如氧化銦鋅(inzno)、氧化銦鎵(ingao)、氧化銦錫(insno)、氧化鋅錫(znsno)、氧化鎵錫(gasno)和氧化鎵鋅(gazno)的氧化物。

可以通過雜質(zhì)摻雜有源圖案的一部分，從而這一部分可以具有比有源圖案的其它區(qū)域的導電性高的導電性。

第一有源圖案act1可以設(shè)置為與第一柵電極ge1疊置。第二有源圖案act2可以設(shè)置為與第二柵電極ge2疊置。

第一存儲電極cst1可以設(shè)置為與第一有源圖案act1和第二有源圖案act2間隔開。第一存儲電極cst1可以具有比第一有源圖案act1和第二有源圖案act2的氫濃度高的氫濃度。當氫濃度增大時，載流子濃度也增大，從而第一存儲電極cst1可以有效地用作存儲電容器的下電極。

參照圖8a和圖8b，可以在其上形成有有源圖案的第一絕緣層110上設(shè)置或形成第二絕緣層120?？梢酝ㄟ^cvd工藝、旋涂工藝、pecvd工藝、濺射工藝、真空蒸發(fā)工藝、hdp-cvd工藝或印刷工藝等形成第二絕緣層120。

可以穿過第二絕緣層120限定或形成暴露有源圖案或柵極圖案的接觸孔。

可以在第二絕緣層120上設(shè)置或形成數(shù)據(jù)圖案。數(shù)據(jù)圖案可以包括數(shù)據(jù)線121、第二源電極se2、第二漏電極de2、第一連接電極123、驅(qū)動電源線122、第一源電極se1和第二連接電極124。

在示例性實施例中，可以在第二絕緣層120上形成導電層(未示出)，可以通過光刻工藝或使用另外的蝕刻掩模的蝕刻工藝來部分地蝕刻導電層。在這樣的實施例中，數(shù)據(jù)圖案可以由第二絕緣層120上的蝕刻的導電層限定?？梢酝ㄟ^印刷工藝、濺射工藝、cvd工藝、pld工藝、真空蒸發(fā)工藝或ald工藝等形成導電層。

數(shù)據(jù)線121可以在與第一方向d1交叉的第二方向d2上延伸。可以在數(shù)據(jù)線121的基本上整個區(qū)域處形成多個開口。

可以通過光刻或壓印光刻等形成開口。在示例性實施例中，可以在蝕刻導電層的同時形成開口。在可選擇的示例性實施例中，可以在形成數(shù)據(jù)圖案之后通過額外工藝形成開口。

第一源電極se1可以連接到驅(qū)動電源線122。不在第一源電極se1處形成開口。第一源電極se1可以是常規(guī)的金屬圖案。

第二源電極se2可以連接到數(shù)據(jù)線121。不在第二源電極se2處形成開口。第二源電極se2可以是常規(guī)的金屬圖案。

驅(qū)動電源線122可以設(shè)置為在第一方向d1上與數(shù)據(jù)線121間隔開，并設(shè)置為在第二方向d2上延伸。可以在驅(qū)動電源線122的基本上整個區(qū)域處形成多個開口。

可以通過光刻或壓印光刻等形成開口。在示例性實施例中，可以在蝕刻導電層的同時形成開口。在可選擇的示例性實施例中，可以在形成數(shù)據(jù)圖案之后通過額外工藝形成開口。

參照圖9a和圖9b，可以在其上形成有數(shù)據(jù)圖案的第二絕緣層120上設(shè)置或形成第三絕緣層130?？梢酝ㄟ^cvd工藝、旋涂工藝、pecvd工藝、濺射工藝、真空蒸發(fā)工藝、hdp-cvd工藝或印刷工藝等形成第三絕緣層130。

隨后，可以在第三絕緣層130上形成第四絕緣層140。根據(jù)第四絕緣層140的成分，可以通過旋涂工藝、印刷工藝、濺射工藝、cvd工藝、ald工藝、pecvd工藝、hdp-cvd工藝或真空蒸發(fā)工藝等形成第四絕緣層140。在示例性實施例中，可以對第四絕緣層140執(zhí)行平坦化工藝以增大第四絕緣層140的平坦度。在一個示例性實施例中，例如，第四絕緣層140可以通過化學機械拋光(“cmp”)工藝或回蝕工藝等具有基本平坦的表面?？梢允褂糜袡C材料形成第四絕緣層140。

隨后，可以形成通過第三絕緣層130和第四絕緣層140暴露驅(qū)動電源線122的第一接觸孔cnt1和通過第二絕緣層至第四絕緣層120、130和140暴露第一有源圖案act1的第二接觸孔cnt2。

隨后，可以通過使用包括氫的清洗流體來清洗第四絕緣層140，以去除蝕刻副產(chǎn)物和污染物。這里，水(h2o)可以用作清洗流體，以清洗利用有機材料形成的第四絕緣層140，從而氫可以有效地滲透到第四絕緣層140。

參照圖10a和圖10b，可以在第四絕緣層140上設(shè)置或形成透明圖案。在示例性實施例中，可以在第四絕緣層140上形成透明導電層(未示出)，可以通過光刻工藝或使用另外的蝕刻掩模的蝕刻工藝來部分地蝕刻透明導電層。在這樣的實施例中，透明圖案可以由形成在第四絕緣層140上的蝕刻的透明導電層限定。

透明圖案可以包括第一電極el1和第二存儲電極cst2。

第一電極el1可以設(shè)置為與柵極圖案的一部分和數(shù)據(jù)圖案的一部分疊置。在一個示例性實施例中，例如，第一電極el1可以設(shè)置為與柵極線101的一部分疊置，并與數(shù)據(jù)線121的一部分疊置。第一漏電極de1可以通過穿過第二絕緣層至第四絕緣層120、130和140限定或形成的接觸孔電連接到第一有源圖案act1。第一漏電極de1可以電連接到第一電極el1。第一漏電極de1可以由第一電極el1的一部分限定。

第二存儲電極cst2可以設(shè)置為與第一存儲電極cst1疊置。第二存儲電極cst2可以通過穿過第三絕緣層130和第四絕緣層140限定或形成的接觸孔電連接到驅(qū)動電源線122。

在上述工藝的后續(xù)制造工藝期間，第四絕緣層140中的氫可以擴散到外部。第二存儲電極cst2下的氫不會擴散到外部，而是朝向第一存儲電極cst1擴散，從而氧化物半導體的氫濃度增大。當氫濃度增大時，載流子濃度也增大，從而第一存儲電極cst1可以用作存儲電容器的下電極。

在這樣的實施例中，可以執(zhí)行進一步的熱處理工藝以使氫擴散。

參照圖11，可以在其上形成有透明圖案的第四絕緣層140上設(shè)置或形成像素限定層150。像素限定層150可以包括有機材料或無機材料。在一個示例性實施例中，例如，可以使用光致抗蝕劑、丙烯酸類樹脂、聚丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂和硅化合物中的至少一種來形成像素限定層150?？梢酝ㄟ^旋涂工藝、噴涂工藝、印刷工藝、cvd工藝、pecvd工藝或hdp-cvd工藝等獲得像素限定層150。

在一些示例性實施例中，可以通過蝕刻像素限定層150來形成暴露第一電極el1的一部分的開口。像素限定層150可以包括透明的有機或無機材料。在一個示例性實施例中，例如，可以使用光致抗蝕劑、丙烯酸類樹脂、聚丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂和硅化合物中的至少一種來形成像素限定層150。

參照圖12，可以在第一電極el1的被像素限定層150的開口暴露的部分上設(shè)置或形成發(fā)光結(jié)構(gòu)160。在示例性實施例中，發(fā)光結(jié)構(gòu)160可以在像素限定層150的開口的側(cè)壁上延伸?？梢酝ㄟ^激光誘導熱成像工藝或印刷工藝等形成發(fā)光結(jié)構(gòu)160。在這樣的實施例中，如上所述，發(fā)光結(jié)構(gòu)160可以包括el、hil、htl、etl或eil。

參照圖13，可以在像素限定層150和發(fā)光結(jié)構(gòu)160上設(shè)置或形成第二電極el2。可以通過印刷工藝、濺射工藝、cvd工藝、ald工藝、真空蒸發(fā)工藝或pld工藝等來形成第二電極el2。

可以在第二電極el2上設(shè)置或形成密封基底200。密封基底200可以包括透明材料。密封基底200可以結(jié)合到基體基底100以通過密封劑(未示出)來密封基體基底100與密封基底200之間的空間。

參照圖14，可以將干燥劑或填充劑填充到該空間中?？梢栽诘诙姌Oel2上形成薄的密封膜而不是密封基底200。在示例性實施例中，密封膜具有其中由諸如氧化硅或氮化硅的無機材料形成的層與諸如環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺的層交替堆疊的結(jié)構(gòu)，但是不限于此。在可選擇的示例性實施例中，密封膜的結(jié)構(gòu)可以是以透明薄膜形式的任何密封結(jié)構(gòu)中的一種。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，顯示面板包括其中限定有多個開口的信號線，從而可以改善透明度。在這樣的實施例中，顯示面板可以包括包含透明的氧化物半導體的第一存儲電極以及包括作為透明圖案的第二存儲電極，使得與形成有存儲電容器處對應的外部光的透射率得到改善。

前面的描述是發(fā)明構(gòu)思的說明，而不應解釋為對發(fā)明構(gòu)思的限制。盡管已經(jīng)描述了發(fā)明構(gòu)思的一些示例性實施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解的是，在實質(zhì)上不脫離發(fā)明構(gòu)思的新穎教導和優(yōu)點的情況下，許多修改在示例性實施例中是可能的。因此，所有這樣的修改意圖包括在如權(quán)利要求所限定的發(fā)明的范圍內(nèi)。因此，應當理解的是，前面的描述是發(fā)明構(gòu)思的說明，并且不應被解釋為限于所公開的具體示例性實施例，并且對所公開的示例性實施例以及其它示例性實施例的修改意圖包括在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。本發(fā)明由權(quán)利要求和包括在其中的權(quán)利要求的等同物限定。