技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法和半導(dǎo)體裝置。將用作偏移間隔膜并且形成在偏移監(jiān)測(cè)區(qū)域中的絕緣膜的厚度被管理為形成在SOTB晶體管STR的柵極電極的側(cè)壁表面等之上的偏移間隔膜的厚度。當(dāng)所測(cè)量的厚度在標(biāo)準(zhǔn)厚度的容差內(nèi)時(shí)，設(shè)置標(biāo)準(zhǔn)注入能量和標(biāo)準(zhǔn)劑量。當(dāng)所測(cè)量的厚度小于標(biāo)準(zhǔn)厚度時(shí)，設(shè)置分別低于其標(biāo)準(zhǔn)值的注入能量和劑量。當(dāng)所測(cè)量的厚度大于標(biāo)準(zhǔn)厚度時(shí)，設(shè)置分別高于其標(biāo)準(zhǔn)值的注入能量和劑量。

技術(shù)研發(fā)人員：槙山秀樹(shù)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：瑞薩電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.11
技術(shù)公布日：2017.08.08