1.一種光電二極管集成器件，其特征在于，所述光電二極管集成器件基于CMOS工藝形成，包括：
P型單晶硅襯底，所述P型單晶硅襯底內部形成有N阱區(qū)和P阱區(qū)，所述P阱區(qū)內部形成有P+擴散區(qū)；
所述P型單晶硅襯底上設置有若干光電二極管集成器件單元，所述光電二極管集成器件單元包括Photo Diode單元、NMOS單元和PMOS單元；
所述Photo Diode單元設置在所述N阱區(qū)，包括在所述N阱區(qū)內設置的N+擴散區(qū)；所述NMOS單元設置在所述P阱區(qū)，所述PMOS單元設置在所述N阱區(qū)；所述NMOS單元和PMOS單元均包括源極、漏極和柵極；
且所述Photo Diode單元、NMOS單元和PMOS單元均包括設置在所述P型單晶硅襯底上的柵氧化層和場氧化層；
在所述N+擴散區(qū)和場氧化層表面依次層疊設置有第一介電層、第一金屬層、透光層、第二介電層和第二金屬層，其中，所述N+擴散區(qū)表面的第一介電層厚度小于所述NMOS單元和PMOS單元的第一介電層厚度。
2.如權利要求1所述的光電二極管集成器件，其特征在于，所述P型單晶硅襯底的電阻率為：5～50歐姆·厘米。
3.如權利要求1所述的光電二極管集成器件，其特征在于，在所述N+擴散區(qū)表面，所述第一介電層、透光層和第二介電層構成三層減反射膜結構，且所述三層減反射膜厚度依次為：λ/4、λ/2、λ/4；所述λ為可見光波段400～760nm。
4.如權利要求3所述的光電二極管集成器件，其特征在于，所述三層減反射膜厚度依次為：0.15μm、0.3μm、0.15μm。
5.如權利要求1-4任一所述的光電二極管集成器件，其特征在于，所述N+擴散區(qū)表面上的第一介電層厚度為所述NMOS單元和PMOS單元的第一介電層厚度的1/5-1/4。
6.如權利要求1-4任一所述的光電二極管集成器件，其特征在于，所述第一介電層、透光層和第二介電層的材料依次為：BPSG、3PSG、USG。
7.如權利要求1-5任一所述的光電二極管集成器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供P型單晶硅襯底；
在所述P型單晶硅襯底上依次形成N阱區(qū)和P阱區(qū)；
形成OD區(qū)和P-field區(qū)，在所述P型單晶硅襯底上生長場氧化層和柵氧化層，并在所述柵氧化層上形成NMOS柵極、PMOS柵極，并形成圖案化的N+區(qū)和P+區(qū)；
在所述N+區(qū)、P+區(qū)、柵極和場氧化層上沉積第一介電層，并在所述第一介電層上挖孔形成露出N+區(qū)或P+區(qū)表面的第一接觸通孔，在所述第一接觸通孔內濺鍍所述第一金屬層，形成第一引線；
蝕刻所述N阱區(qū)對應的N+區(qū)上的所述第一介電層；
在所述第一介電層表面沉積透光層和第二介電層，并在所述第一接觸通孔對應區(qū)域挖孔形成第二接觸通孔，在所述第二接觸通孔內濺鍍第二金屬層，形成第二引線。
8.如權利要求7所述的光電二極管集成器件的制備方法，其特征在于，所述N阱區(qū)的形成過程為：沉積墊氧化層和氮化硅層，利用光刻、蝕刻技術定義所述N阱區(qū)，并將其作為PMOS單元的N阱區(qū)和Photo Diode單元的PN結的N端，并離子注入摻雜。
9.如權利要求8所述的光電二極管集成器件的制備方法，其特征在于，所述P阱區(qū)的形成過程為：對形成的所述N阱區(qū)做退火處理，同時生長出氧化層，然后去除掉氮化硅層；整面做所述P阱區(qū)的離子注入摻雜。
10.如權利要求7所述的光電二極管集成器件的制備方法，其特征在于，所述N+區(qū)和P+區(qū)形成過程為：利用光刻和離子注入工藝定義出所述N+區(qū)和P+區(qū)，分別形成NMOS單元的源極、漏極和Photo Diode單元的N+擴散區(qū)，以及PMOS單元的源極、漏極和所述Photo Diode單元的P+擴散區(qū)。