本申請要求于2014年1月21日向美國專利商標(biāo)局提交的美國非臨時專利申請No.14/160,448的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部內(nèi)容通過援引納入于此。

背景

領(lǐng)域

各種特征涉及集成器件的重分布層中的超環(huán)電感器。

背景技術(shù)：

典型的管芯是通過在基板的頂上沉積數(shù)個金屬層和數(shù)個介電層來制造的。該管芯通過使用晶片級封裝(WLP)工藝來制造。圖1解說了晶片的側(cè)視圖。具體而言，圖1解說了晶片100的一部分的側(cè)視圖。晶片100包括數(shù)個金屬層和介電層102、焊盤104、鈍化層106、第一絕緣層108、第一金屬層110、第二絕緣層112、和凸塊下金屬化(UBM)層114。圖1還解說了晶片100上的焊球116。具體而言，焊球116耦合至UBM層114。焊盤104、第一金屬層110和UBM層114是導(dǎo)電材料(例如，銅)。第一絕緣層108和第二絕緣層112是用于再鈍化的聚酰亞胺層(PI)、聚苯并噁唑(PBO)或其他聚合物層。

在一些電子設(shè)計中，可以要求有電感器。在傳統(tǒng)電子設(shè)計中，電感器可以被放置在封裝之外。例如，包括管芯的封裝可以被耦合到印刷電路板(PCB)。電感器可以被耦合到該PCB。由此，該電感器可以通過該PCB來被耦合到此包括管芯的封裝。該辦法的一個缺點是電感器可能遠(yuǎn)離管芯。在一些實例中，使電感器盡可能靠近管芯可能是理想和/或最優(yōu)的。例如，使得電感器耦合到管芯和/或管芯封裝而同時旁路掉PCB可能是理想和/或最優(yōu)的。在一些實現(xiàn)中，將電感器置入管芯的金屬和介電層中可能是合乎需要的。然而，此類方案會增加硅(Si)管芯面積，因為電感器可以引起與管芯的有源元件和/或電路的電磁 干擾。

因此，需要有在集成器件(例如，管芯、管芯封裝)中提供電感器(例如，超環(huán)電感器)的設(shè)計。

概述

本文中描述的各種特征、裝置和方法提供了在集成器件的重分布層中的超環(huán)電感器。

第一示例提供了一種集成器件，該集成器件包括基板、耦合到該基板的數(shù)個金屬層、耦合到該基板的數(shù)個介電層、耦合到這些金屬層中的一者的第一金屬重分布層、以及耦合到該第一金屬重分布層的第二金屬重分布層。該第一和第二金屬重分布層被配置成在該集成器件中作為超環(huán)電感器來操作。

根據(jù)一方面，該重分布部分包括第三金屬重分布層，其中該第三金屬重分布層耦合到第一和第二金屬重分布層。第三金屬重分布層是通孔。在一些實現(xiàn)中，第一、第二和第三金屬重分布層被配置成在該集成器件中作為超環(huán)電感器來操作。在一些實現(xiàn)中，第一、第二和第三重分布層形成了超環(huán)電感器的繞組集。

根據(jù)一方面，該重分布部分進(jìn)一步包括第一介電層和第二介電層。在一些實現(xiàn)中，第二金屬重分布層在該集成器件的表面上。

根據(jù)一方面，該集成器件進(jìn)一步包括耦合到該基板的第一管芯。在一些實現(xiàn)中，該重分布部分被耦合到第一管芯和該基板。

根據(jù)一方面，該集成器件是至少管芯和/或管芯封裝中的一者。

根據(jù)一個方面，該集成器件被納入在音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動設(shè)備、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理、固定位置終端、平板式計算機、和/或膝上型計算機中的至少一者中。

第二示例提供了一種裝備，該裝備包括基板、耦合到該基板的數(shù)個金屬層、耦合到該基板的數(shù)個介電層、和耦合到這些金屬層中的一者的重分布部分。該重分布部分包括第一互連裝置、以及耦合到該第一互連裝置的第二互連裝置，其中，該第一和第二金屬互連裝置被配置成在該裝備中作為超環(huán)電感器來操作。

根據(jù)一方面，該重分布部分進(jìn)一步包括第三互連裝置，其中該第三互連裝置被耦合到第一和第二互連裝置，該第三互連裝置是通孔。在一些實現(xiàn)中，第一、第二和第三互連裝置被配置成在該裝備中作為超環(huán)電感器來操作。在一些實現(xiàn)中，第一、第二和第三互連裝置形成了該超環(huán)電感器的繞組集。

根據(jù)一方面，該重分布部分進(jìn)一步包括第一介電層和第二介電層。在一些實現(xiàn)中，第二互連裝置在該裝備的表面上。

根據(jù)一方面，該裝備進(jìn)一步包括耦合到該基板的第一管芯。

根據(jù)一方面，該重分布部分被耦合到第一管芯和該基板。

根據(jù)一方面，該裝備是至少集成器件、管芯、和/或管芯封裝中的一者。

根據(jù)一個方面，該裝備被納入到以下至少一者中：音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動設(shè)備、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理、固定位置終端、平板計算機、和/或膝上型計算機。

第三示例提供了一種用于提供包括超環(huán)電感器的集成器件的方法。該方法提供基板。該方法提供了耦合到該基板的數(shù)個金屬層。該方法提供了耦合到該基板的數(shù)個介電層。該方法將重分布部分耦合到這些金屬層中的一者，其中耦合該重分布部分包括提供第一金屬重分布層，以及提供耦合到該第一金屬重分布層的第二金屬重分布層。

根據(jù)一方面，耦合該重分布部分進(jìn)一步包括提供第三金屬重分布層，從而該第三金屬重分布層被耦合到第一和第二金屬重分布層，該第三金屬重分布層是通孔。在一些實現(xiàn)中，第一、第二和第三金屬重分布層被配置成在該集成器件中作為超環(huán)電感器來操作。在一些實現(xiàn)中，第一、第二和第三重分布層形成了該超環(huán)電感器的繞組集。

根據(jù)一方面，耦合該重分布部分進(jìn)一步包括提供第一介電層，以及提供第二介電層。在一些實現(xiàn)中，第二金屬重分布層在該集成器件的表面上。

根據(jù)一方面，該方法進(jìn)一步包括將第一管芯耦合到該基板。在一些實現(xiàn)中，該重分布部分被耦合到該第一管芯和該基板。

根據(jù)一方面，該集成器件是至少管芯和/或管芯封裝中的一者。

根據(jù)一個方面，該集成器件被納入在音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動設(shè)備、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理、固定 位置終端、平板式計算機、和/或膝上型計算機中的至少一者中。

附圖

在結(jié)合附圖理解下面闡述的詳細(xì)描述時，各種特征、本質(zhì)和優(yōu)點會變得明顯，在附圖中，相像的附圖標(biāo)記貫穿始終作相應(yīng)標(biāo)識。

圖1解說了常規(guī)管芯的剖面視圖。

圖2解說了包括超環(huán)電感器的集成器件的示例。

圖3解說了超環(huán)電感器的抽象表示的示例。

圖4解說了包括超環(huán)電感器的集成器件的另一示例。

圖5解說了包括超環(huán)電感器的封裝的示例。

圖6解說了管芯的示例。

圖7解說了封裝的重分布層(RDL)中的超環(huán)電感器的特寫視圖。

圖8解說了超環(huán)電感器的抽象表示的示例。

圖9解說了包括超環(huán)電感器的封裝的另一示例。

圖10A解說了用于提供/制造包括超環(huán)電感器的管芯的示例性工序的一部分。

圖10B解說了用于提供/制造包括超環(huán)電感器的管芯的示例性工序的一部分。

圖10C解說了用于提供/制造包括超環(huán)電感器的管芯的示例性工序的一部分。

圖11解說了用于提供/制造包括超環(huán)電感器的管芯的示例性方法。

圖12A解說了用于提供/制造包括超環(huán)電感器的封裝的示例性工序的一部分。

圖12B解說了用于提供/制造包括超環(huán)電感器的封裝的示例性工序的一部分。

圖13解說了用于提供/制造包括超環(huán)電感器的封裝的示例性方法。

圖14解說了可集成本文所描述的半導(dǎo)體器件、管芯、集成電路和/或PCB的各種電子設(shè)備。

詳細(xì)描述

在以下描述中，給出了具體細(xì)節(jié)以提供對本公開的各方面的透徹理解。然而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，沒有這些具體細(xì)節(jié)也可實踐這些方面。例如，電路可能用框圖示出以避免使這些方面湮沒在不必要的細(xì)節(jié)中。在其他實例中，公知的電路、結(jié)構(gòu)和技術(shù)可能不被詳細(xì)示出以免模糊本公開的這些方面。

總覽

一些新穎性特征涉及集成器件(例如，管芯、管芯封裝)，該集成器件包括基板、耦合到該基板的數(shù)個金屬層、耦合到該基板的數(shù)個介電層、耦合到這些金屬層中的一者的第一金屬重分布層、以及耦合到該第一金屬重分布層的第二金屬重分布層。第一和第二金屬重分布層配置成在該集成器件中作為超環(huán)電感器來操作。在一些實現(xiàn)中，該集成器件還包括第三金屬重分布層。第三金屬重分布層被耦合到第一和第二金屬重分布層。第三金屬重分布層是通孔。在一些實現(xiàn)中，第一、第二和第三金屬重分布層被配置成在該集成器件中作為超環(huán)電感器來操作。在一些實現(xiàn)中，第一、第二和第三重分布層形成了該超環(huán)電感器的繞組集。在一些實現(xiàn)中，該集成器件進(jìn)一步包括重分布部分。該重分布部分包括第一金屬重分布層、第二金屬重分布層、第一介電層、和第二介電層。在一些實現(xiàn)中，第二金屬重分布層在該集成器件的表面上。在一些實現(xiàn)中，該集成器件包括耦合到該基板的第一管芯。在一些實現(xiàn)中，該超環(huán)電感器在該集成器件的重分布部分中。該重分布部分被耦合到第一管芯和該基板。

集成器件中的示例性超環(huán)電感器

圖2概念性地解說了集成器件(例如，半導(dǎo)體器件、管芯、管芯封裝)中的電感器(例如，超環(huán)電感器)的側(cè)視圖的示例。具體而言，圖2解說了集成器件200(例如，管芯、管芯封裝)，該集成器件200包括基板201、數(shù)個下級金屬層和介電層202、第一焊盤204、第二焊盤225、第三焊盤229、鈍化層206、第一絕緣層208(例如，第一介電層)、第一重分布層210、第二絕緣層212(例如，第二介電層)、第二重分布層214、第三絕緣層216(例如，第三 介電層)、和凸塊下金屬化(UBM)層218。在一些實現(xiàn)中，第一焊盤204、第二焊盤225、第三焊盤229、鈍化層206、第一絕緣層208(例如，第一介電層)、第一重分布層210、第二絕緣層212(例如，第二介電層)、第二重分布層214、第三絕緣層216(例如，第三介電層)、和凸塊下金屬化(UBM)層218是集成器件200的重分布部分的一部分。不同實現(xiàn)可以具有不同數(shù)目的重分布金屬層(例如，1個、2個或更多個金屬層)。

圖2還解說了耦合到UBM層218的焊球219。在一些實現(xiàn)中，焊球219可以被耦合到重分布層(例如，重分布層214)。在一些實現(xiàn)中，第一和第二重分布層210和214可以是導(dǎo)電層(例如，金屬層、銅層)?；?01可以是至少硅、玻璃、陶瓷和/或電介質(zhì)中的一者。在一些實現(xiàn)中，這些下級金屬層之中的金屬層以及介電層202被配置成向集成器件200中的一個或多個電路元件(未示出)提供一個或多個電路徑(例如，路由、互連)。

圖2還解說了包括超環(huán)電感器220的集成器件200。在一些實現(xiàn)中，超環(huán)電感器220包括定義該超環(huán)電感器220的繞組集的數(shù)個互連。如圖2中所示，超環(huán)電感器220包括第一互連222、第二互連集224、第三互連226、第四互連集228、和第五互連230。在一些實現(xiàn)中，第二互連集224包括跡線和通孔集(例如，第一通孔、第一跡線、和第二通孔)。類似地，在一些實現(xiàn)中，第四互連集228包括跡線和通孔集(例如，第三通孔、第二跡線、和第四通孔)。

在一些實現(xiàn)中，第二互連集224和第四互連集228是第一重分布層(例如，重分布層210)的一部分。在一些實現(xiàn)中，第一互連222、第三互連226、和第五互連230是第二重分布層(例如，重分布層210)的一部分。

在一些實現(xiàn)中，第一互連222、第二互連集224、第三互連226、第四互連集228、和第五互連230被配置成形成超環(huán)電感器220的繞組集。特別地，在一些實現(xiàn)中，第一互連222、第二互連集224、第三互連226、第四互連集228、和第五互連230被配置成作為超環(huán)電感器來操作。超環(huán)電感器220被耦合到第二焊盤225和第三焊盤229。如圖2中所示，超環(huán)電感器220是集成器件200的重分布部分的一部分圖3中進(jìn)一步描述了超環(huán)電感器的形狀和配置的示例。

圖2解說了超環(huán)電感器220被置于且位于集成器件200的重分布層中(例如，在下級金屬層和介電層202之外)。在一些實現(xiàn)中，第一互連222、第二互連集224中的一些互連、第三互連226、第四互連集228中的一些互連、以及第五互連230是第二重分布層214的一部分。在一些實現(xiàn)中，第二互連集224中的一些互連、以及第四互連集228中的一些互連是第一重分布層210中的一部分。然而，應(yīng)當(dāng)注意，圖2中所示的集成器件200的超環(huán)電感器220的位置和/或定位僅僅是示例性的，并且超環(huán)電感器220可以被置于和/或位于集成器件200的重分布層的不同部分中。例如，在一些實現(xiàn)中，可以有兩個以上重分布層(例如，第一重分布層、第二重分布層、第三重分布層)。在此類實例中，該超環(huán)電感器可以被置于和/或位于其中任何重分布層中。此外，在一些實現(xiàn)中，可以由一個以上電感器，或者在集成器件200的這些重分布層中可以有不同類型和/或組合的電感器。

圖3概念性地解說了超環(huán)電感器300的示例的成角度視圖的抽象表示。在一些實現(xiàn)中，圖2的超環(huán)電感器220可以在集成器件200中被配置成具有與圖3的超環(huán)電感器300類似的配置。

如圖3中所示，超環(huán)電感器300包括繞組集。在一些實現(xiàn)中，該繞組集形成了圓環(huán)形狀(或近似圓環(huán)形狀)結(jié)構(gòu)/配置。然而，不同實現(xiàn)可具有不同形狀。具體而言，超環(huán)電感器300包括第一互連集302(例如，302a-302l)、通孔集304、和第二互連集306(例如，306a-306l)。在一些實現(xiàn)中，該通孔集304可包括一個通孔或可包括數(shù)個通孔(例如，通孔堆疊)。在一些實現(xiàn)中，第一互連集302、通孔集304和第二互連集306形成了超環(huán)電感器300的該繞組集。在一些實現(xiàn)中，第一互連集302、該通孔集304、和第二互連集306被配置成作為超環(huán)電感器來操作。在一些實現(xiàn)中，第一互連集302在第一平面(例如，頂面、頂部金屬層)上。在一些實現(xiàn)中，第二互連集306在第二平面(例如，底面、底部金屬層)上。

如圖3中所進(jìn)一步示出的，第一互連集302包括數(shù)個第一互連(例如，302a-302l)。該通孔集304包括數(shù)個通孔(例如，304a-304l)。應(yīng)當(dāng)注意，該通孔集還可包括跡線集。即，在一些實現(xiàn)中，該通孔集304不是完全垂直的。在一些實現(xiàn)中，該通孔集304可以被配置成包括通孔和跡線。第二互連集306 包括數(shù)個第二互連(例如，306a-306l)。圖3解說了第一平面上的第一互連(例如，來自第一互連集302)被耦合到第一通孔。第一通孔被耦合到第二平面上的第二互連(例如，來自第二互連集306)。第二互連被耦合到第二通孔。第二通孔被耦合到第一平面上的第三互連(例如，來自第一互連集302)。第三互連被耦合到第三通孔。第三通孔被耦合到第二平面上的第四互連(例如，來自第二互連集306)。

在一些實現(xiàn)中，可在集成器件中提供超環(huán)電感器300。特別地，在一些實現(xiàn)中，可以在集成器件的一個或多個重分布層中提供超環(huán)電感器300。例如，可以在集成器件200的重分布層210和214中提供超環(huán)電感器300。在此類實例中，第一互連集302可以對應(yīng)于第一互連222和第五互連230。該通孔集304可以對應(yīng)于第二互連集224(其包括通孔和(諸)跡線)和第四互連集228。在一些實現(xiàn)中，第二互連集306可以對應(yīng)于來自第二互連集224的一些跡線、和/或來自第四互連集228的一些跡線。

超環(huán)電感器300包括兩個端子(例如，引腳)。不同實現(xiàn)可以在不同位置提供端子。在一些實現(xiàn)中，超環(huán)電感器的第一端子位于頂級互連(例如，互連302)中，并且該超環(huán)電感器的第二端子位于底級互連(例如，互連306)中。在一些實現(xiàn)中，超環(huán)電感器的第一端子位于第一頂級互連(例如，互連302a)中，并且該超環(huán)電感器的第二端子位于第二頂級互連(例如，互連302l)中。在一些實現(xiàn)中，超環(huán)電感器的第一端子位于第一底級互連(例如，互連306a)中，并且該超環(huán)電感器的第二端子位于第二底級互連(例如，互連306l)中。

應(yīng)當(dāng)注意，圖3中所示的超環(huán)電感器300是超環(huán)電感器的抽象表示。在一些實現(xiàn)中，集成器件(例如，集成器件200)中的超環(huán)電感器可以與圖3中描繪的看上去不同。

在一些實現(xiàn)中，集成器件可以具有與圖2中所示的集成器件200不同的配置。例如，在一些實現(xiàn)中，集成器件可包括數(shù)個管芯。在此類實例中，超環(huán)電感器仍然可以在該集成器件中提供。

在一些實現(xiàn)中，該超環(huán)電感器可以不同方式被置于和/或位于集成器件的介電層中和/或上。例如，在一些實現(xiàn)中，該超環(huán)電感器的部分可以在集成器件的介電層的表面上。

圖4概念性地解說了集成器件(例如，半導(dǎo)體器件、管芯、管芯封裝)中的電感器(例如，超環(huán)電感器)的側(cè)視圖的示例。具體而言，圖4解說了集成器件400(例如，管芯、管芯封裝)，該集成器件包括基板401、數(shù)個下級金屬層和介電層402、第一焊盤404、第二焊盤425、第三焊盤429、鈍化層406、第一絕緣層408(例如，第一介電層)、第一重分布層410、第二絕緣層412(例如，第二介電層)、第二重分布層414、第三絕緣層416(例如，第三介電層)、和凸塊下金屬化(UBM)層418。在一些實現(xiàn)中，第一焊盤404、第二焊盤425、第三焊盤429、鈍化層406、第一絕緣層408(例如，第一介電層)、第一重分布層410、第二絕緣層412(例如，第二介電層)、第二重分布層414、第三絕緣層416(例如，第三介電層)、和凸塊下金屬化(UBM)層418是集成器件400的重分布部分的一部分。不同實現(xiàn)可以具有不同數(shù)目的重分布金屬層(例如，1個、2個或更多個金屬層)。

圖4還解說了耦合到UBM層418的焊球419。在一些實現(xiàn)中，第一和第二重分布層410和414可以是導(dǎo)電層(例如，金屬層、銅層)?；?01可以是至少硅、玻璃、陶瓷、和/或電介質(zhì)中的一者。在一些實現(xiàn)中，下級金屬層之中的金屬層以及介電層402被配置成向集成器件400中的一個或多個電路元件(未示出)提供一個或多個電路徑(例如，路由、互連)。

圖4還解說了包括超環(huán)電感器420的集成器件400。在一些實現(xiàn)中，超環(huán)電感器420包括定義該超環(huán)電感器420的繞組集的數(shù)個互連。如圖4中所示，超環(huán)電感器420的一部分在集成器件400的表面上(例如，在介電和/或絕緣層416的表面上)。

如圖4中所示，超環(huán)電感器420包括第一互連422、第二互連集424、第三互連426、第四互連集428和第五互連430。在一些實現(xiàn)中，第二互連集424包括跡線和通孔集(例如，第一通孔、第一跡線、和第二通孔)。類似地，在一些實現(xiàn)中，第四互連集428包括跡線和通孔集。(例如，第三通孔、第二跡線、和第四通孔)。在一些實現(xiàn)中，第一互連422、第二互連集424、第三互連426、第四互連集428、和第五互連430被配置成形成超環(huán)電感器420的繞組集。特別地，在一些實現(xiàn)中，第一互連422、第二互連集424、第三互連426、第四互連集428、和第五互連430被配置成作為超環(huán)電感器來操作。超環(huán)電感 器420被耦合到第二焊盤425和第三焊盤429。圖3中描述了超環(huán)電感器的形狀和配置的示例。在一些實現(xiàn)中，為了增加超環(huán)電感器的電感值，電感器(例如，互連422、424、426、428和430)的頂部金屬厚度的厚度可以比UBM 418厚。在一些實現(xiàn)中，對電感器的頂部金屬層增加的厚度可以通過使用噴墨或絲網(wǎng)印刷來提供和/或添加。

圖4解說了超環(huán)電感器420被置于且位于集成器件400的重分布層中(例如，在下級金屬層和介電層402之外)。在一些實現(xiàn)中，第一互連422、第二互連集424中的一些互連、第三互連426、第四互連集428中的一些互連、以及第五互連430在集成器件400的表面上(例如，在介電層416的表面上)。在一些實現(xiàn)中，第二互連集424中的一些互連和第四互連集428中的一些互連是第一重分布層410和/或第二重分布層414的一部分。然而，應(yīng)當(dāng)注意，圖4中所示的集成器件400的超環(huán)電感器420的位置和/或定位僅僅是示例性的，并且超環(huán)電感器420可以被置于和/或位于集成器件400的諸重分布層的不同部分中。例如，在一些實現(xiàn)中，可以有兩個以上重分布層(例如，第一重分布層、第二重分布層、第三重分布層)。在此類實例中，超環(huán)電感器可以被置于和/或位于其中任何重分布層中。此外，在一些實現(xiàn)中，可以有一個以上電感器，或者在集成器件400的諸重分布層中可以有不同類型和/或組合的電感器。

已經(jīng)描述了在集成器件中提供的包括一個管芯的超環(huán)電感器的示例，以下將會描述在不同集成器件中提供的超環(huán)電感器的另一示例。

集成器件中的示例性超環(huán)電感器

在一些實現(xiàn)中，超環(huán)電感器可以在包括一個以上管芯的集成器件(例如，半導(dǎo)體器件)中提供。

圖5概念性地解說了包括數(shù)個管芯的集成器件500。如圖5中所示，集成器件500(例如，半導(dǎo)體器件、封裝)包括基板501、第一集成器件502(例如，第一管芯)、第二集成器件504(例如，第二管芯)、介電層506、第一重分布層集508、第二重分布層集510、第三重分布層集512、超環(huán)電感器514、第一凸塊下金屬化(UBM)層518、第二凸塊下金屬化(UBM)層520、第一焊球528、和第二焊球530。在一些實現(xiàn)中，介電層506、第一重分布層集508、 第二重分布層集510、第三重分布層集512、超環(huán)電感器514、第一凸塊下金屬化(UBM)層518、和第二凸塊下金屬化(UBM)層520是集成器件500的重分布部分的一部分。

基板501可以包括至少硅、玻璃、陶瓷、和/或電介質(zhì)中的一者。第一和第二集成器件502和504(例如，第一和第二管芯)位于(例如，被嵌入到)基板501中。在一些實現(xiàn)中，第一和第二集成器件502和504位于基板501的腔和/或溝槽中。圖6中進(jìn)一步描述了管芯的示例。

第一集成器件502(例如，第一管芯)被耦合到第一重分布層集508。第一重分布層集508可包括一個或多個互連(例如，金屬層)和/或一個或多個通孔。該第一重分布層集508還被耦合到第一UBM層518。第一UBM層518被耦合到第一焊球528。

第二集成器件504(例如，第二管芯)被耦合到第二重分布層集510。第二重分布層集510可包括一個或多個互連(例如，金屬層)和/或一個或多個通孔。該第二重分布層集510還被耦合到第二UBM層520。第二UBM層520被耦合到第二焊球530。

圖5解說了第一集成器件502通過第三重分布層集512被電耦合到第二集成器件504。第三重分布層集512可包括一個或多個互連(例如，金屬層)和/或一個或多個通孔。

諸第一重分布層508、第二重分布層510、和第三重分布層512位于介電層506中。在一些實現(xiàn)中，介電層506包括數(shù)個介電層。

如以上所描述的，集成器件500包括超環(huán)電感器514。在一些實現(xiàn)中，超環(huán)電感器514被耦合到第一重分布層集508。超環(huán)電感器514被置于和/或位于介電層506中。超環(huán)電感器514包括定義超環(huán)電感器514的繞組集的數(shù)個互連。在一些實現(xiàn)中，超環(huán)電感器514包括一個或多個重分布層。這些重分布層可包括一個或多個互連(例如，金屬層)和/或一個或多個通孔。這些重分布層可定義超環(huán)電感器514的繞組集。在一些實現(xiàn)中，超環(huán)電感器514可以具有類似于圖3中所示的超環(huán)電感器300的形狀和配置。圖7中進(jìn)一步描述了超環(huán)電感器的更為具體的示例。

如以上所提及的，第一重分布層集508被耦合到第一集成器件502(例如， 第一管芯)，并且第二重分布層集510被耦合到第二集成器件504(例如，第二管芯)。

圖6概念性地解說了管芯600(其為集成器件的一種形式)的示例。出于清楚的目的，圖6解說了管芯的概括。由此，圖6中并未示出管芯的全部組件。在一些實現(xiàn)中，管芯600可以對應(yīng)于圖5的第一集成器件502和/或第二集成器件504。如圖6中所示，管芯600(例如，集成器件)包括基板601、數(shù)個下級金屬層和介電層602、附著層604(例如，氧化物層)、第一互連616(例如，第一凸塊、第一柱互連)、第二互連618(例如，第二凸塊，第二柱互連)、和模塑620。在一些實現(xiàn)中，管芯600還可包括焊盤、鈍化層、第一絕緣層、第一凸塊下金屬化(UBM)層、和第二凸塊下金屬化(UBM)層。在此類實例中，焊盤可以被耦合到下級金屬層和介電層602。鈍化層可以被置于下較低級金屬層和介電層602與模塑620之間。第一凸塊層可以被耦合到焊盤以及諸互連(例如，互連616、618)中的一者。

附著層604(例如，氧化物層)是任選層，其可以被添加在管芯背側(cè)上。在一些實現(xiàn)中，通過使用將基板601暴露于氧氣和/或氮氣的等離子體工藝來在基板上提供附著層604。在一些實現(xiàn)中，附著層604(例如，氧化層)幫助管芯600與集成器件的另一組件接合。

在一些實現(xiàn)中，管芯600的邊沿和/或角可具有斜截的和/或圓化的邊沿。在一些實現(xiàn)中，這些斜截的和/或圓化的邊沿可以位于基板601和/或附著層604(例如，氧化物層)的角/邊沿處。

管芯通常由晶片制造，這些晶片隨后被切割(例如，切單)成個體管芯。不同的實現(xiàn)可以將晶片不同地切單成個體管芯。在一些實現(xiàn)中，激光和鋸的組合可以被用來機械地將晶片切割成單體管芯。然而，鋸子受制于機械震動，這使得難以控制鋸子的位置。因此，當(dāng)使用機械鋸子時，管芯的大小可以變動達(dá)到10-20微米(μm)。在一些實例中，晶片的厚度可以足夠薄，以使得可以通過使用光刻和蝕刻(例如，干法蝕刻)工藝來將晶片切割成個體管芯。當(dāng)此類光刻和蝕刻工藝被用來將晶片切單時，管芯大小的變動可以小于1微米(μm)。這是重要的,因為其可以確保管芯大小小于基板中的腔的大小。

在一些實現(xiàn)中，一個或多個重分布層(例如，重分布層506)通過第一互 連616和/或第二互連618被耦合到管芯600。

圖7概念性地解說了圖5的超環(huán)電感器的特寫視圖。具體而言，圖7解說了介電層702中的超環(huán)電感器700。在一些實現(xiàn)中，介電層702可包括數(shù)個介電層。在一些實現(xiàn)中，超環(huán)電感器700與圖5的超環(huán)電感器514對應(yīng)。在一些實現(xiàn)中，超環(huán)電感器700可以具有類似于圖8中所示的超環(huán)電感器800的形狀和配置。具體而言，超環(huán)電感器700可以跨圖8的橫截面AA來解說超環(huán)電感器800。

如圖7中所示，超環(huán)電感器700包括第一互連704、第二互連706、第三互連708、第四互連710、第五互連712、第六互連集720、和第七互連集730。在一些實現(xiàn)中，第一互連704、第二互連706、第三互連708、第四互連710、第五互連712、第六互連集720、和第七互連集730是集成器件(例如，集成器件200、400、500、900)的一個或多個重分布層的一部分。在一些實現(xiàn)中，第一互連704、第二互連集706、第三互連708、第四互連集710、第五互聯(lián)712、第六互連集720和第七互連集730被配置成作為超環(huán)電感器來操作。在一些實現(xiàn)中，互連704和708可以表示電感器的端子。

在一些實現(xiàn)中，第一、第二和第三互連704、706和708在重分布層的第一平面(例如，第一重分布平面)上。第二、第四和第五互連710和712在重分布層的第二平面(例如，第二重分布平面)上。

圖7解說了第六互連集720、以及第七互連集730包括數(shù)個金屬層。例如，圖7解說了第六互連集720包括第一通孔720a(例如，第一通孔金屬層)、互連720b(例如，跡線、金屬層)、和第二通孔720c(例如，第二通孔金屬層)。圖7還解說了第七互連集730包括第一通孔730a(例如，第一通孔金屬層)、互連730b(例如，跡線、金屬層)和第二通孔730c(例如，第二通孔金屬層)。然而，應(yīng)當(dāng)注意，第六互連集720和第七互連集730可以具有不同數(shù)目的通孔金屬層(例如，一個通孔金屬層、兩個通孔金屬層、四個通孔金屬層)和/或跡線(例如，金屬層)。

圖8解說了包括第一互連806、第二互連810、第三互連812、第一通孔820、和第二通孔830的超環(huán)電感器800。在一些實現(xiàn)中，圖7的互連704、706和708可對應(yīng)于第一互連806。在一些實現(xiàn)中，互連710可以對應(yīng)于第二互連 810。在一些實現(xiàn)中，互連712可以對應(yīng)于第三互連812。在一些實現(xiàn)中，第六互連集720可對應(yīng)于第一通孔820。在一些實現(xiàn)中，第七互連集730可對應(yīng)于第二通孔830。

在一些實現(xiàn)中，超環(huán)電感器可以不同方式被置于和/或位于集成器件的介電層中和/或上。例如，在一些實現(xiàn)中，該超環(huán)電感器的一部分可以在集成器件的介電層的表面上。

圖9概念性地解說了包括數(shù)個管芯的集成器件900。如圖9中所示，集成器件900(例如，半導(dǎo)體器件、封裝)包括基板901、第一集成器件902(例如，第一管芯)、第二集成器件904(例如，第二管芯)、介電層906、第一重分布層集908、第二重分布層集910、第三重分布層集912、超環(huán)電感器914、第一凸塊下金屬化(UBM)層918、第二凸塊下金屬化(UBM)層920、第一焊球928、和第二焊球930。在一些實現(xiàn)中，該超環(huán)電感器914的一部分在介電層906的表面上。在一些實現(xiàn)中，介電層906、第一重分布層集908、第二重分布層集910、第三重分布層集912、超環(huán)電感器914、第一凸塊下金屬化(UBM)層918、和第二凸塊下金屬化(UBM)層920是集成器件900的重分布部分的一部分。

基板901可以包括至少硅、玻璃、陶瓷和/或電介質(zhì)中的一者。第一和第二集成器件902和904(例如，第一和第二管芯)位于(例如，被嵌入到)基板901中。在一些實現(xiàn)中，第一和第二集成器件902和904位于基板901的腔體和/或溝槽中。圖6中描述了管芯的示例。

第一集成器件902(例如，第一管芯)被耦合到第一重分布層集908。第一重分布層集908可包括一個或多個互連(例如，金屬層)和/或一個或多個通孔。該第一重分布層集908還被耦合到第一UBM層918。第一UBM層918被耦合到第一焊球928。

第二集成器件904(例如，第二管芯)被耦合到第二重分布層集910。第二重分布層集910可包括一個或多個互連(例如，金屬層)和/或一個或多個通孔。該第二重分布層集910還被耦合到第二UBM層920。第二UBM層920被耦合到第二焊球930。

圖9解說了第一集成器件902通過第三重分布層集912被電耦合到第二集 成器件904。第三重分布層集912可包括一個或多個互連(例如，金屬層)和/或一個或多個通孔。

第一重分布層908、第二重分布層910、和第三重分布層912位于介電層906中。在一些實現(xiàn)中，介電層906可包括數(shù)個介電層。

如以上所描述的，集成器件900包括超環(huán)電感器914。在一些實現(xiàn)中，超環(huán)電感器914的第一部分在介電層906的表面上。在一些實現(xiàn)中，超環(huán)電感器914的第二部分在介電層906中。

在一些實現(xiàn)中，超環(huán)電感器914被耦合到第一重分布層集908。超環(huán)電感器914被置于和/或位于介電層906中。超環(huán)電感器914包括定義該超環(huán)電感器914的繞組集的數(shù)個互連。在一些實現(xiàn)中，超環(huán)電感器914包括一個或多個重分布層。重分布層可包括一個或多個互連(例如，金屬層)和/或一個或多個通孔。重分布層可定義超環(huán)電感器914的繞組集。在一些實現(xiàn)中，超環(huán)電感器914可以具有類似于圖8中所示的超環(huán)電感器800和/或圖7中所示的超環(huán)電感器700的形狀和配置。

已經(jīng)描述了被置于和/或位于集成器件的不同部分中的數(shù)個不同的超環(huán)電感器，以下將會描述用于提供/制造集成器件(例如，半導(dǎo)體器件)中的超環(huán)電感器的工序。

用于提供/制造包括超環(huán)電感器的集成器件的示例性工序

在一些實現(xiàn)中，提供包括超環(huán)電感器的集成器件包括數(shù)個工藝。圖10A-10C解說了用于提供包括超環(huán)電感器的集成器件的示例性工序。在一些實現(xiàn)中，圖10A-10C的工序可被用于提供/制造圖2和/或4的集成器件，和/或本公開中所描述的其他集成器件(例如，管芯)。還應(yīng)當(dāng)注意，圖10A-10C的工序可被用于提供/制造還包括電路元件的集成器件。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步注意，圖10A-10C的工序可以組合一個或多個階段以簡化和/或闡明用于提供包括超環(huán)電感器的集成器件的工序。

如圖10A的階段1中所示，提供基板(例如，基板1001)。在一些實現(xiàn)中，基板1001是晶片。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于該基板(例如，硅基板、玻璃基板、陶瓷基板)。

另外，在階段1，在基板1001上提供若干下級金屬層和介電層(例如，下級金屬和介電層1002)。不同實現(xiàn)可以提供不同數(shù)目的下級金屬層和介電層(例如，M1金屬層、M2金屬層、M3金屬層、M4金屬層、M5金屬層、M6金屬層、M7金屬層)。

在一些實現(xiàn)中，還提供電路、線路、和/或互連。然而，出于簡化和清楚的目的，在下級金屬層和介電層1002中未示出電路、線路和/或互連。

此外，在階段1處，在下級金屬層和介電層1002上提供至少一個焊盤(例如，焊盤1004、1025、1029)。在一些實現(xiàn)中，焊盤1004被耦合至下級金屬層之一(例如，頂部的下級金屬層即M7金屬層)。在一些實現(xiàn)中，焊盤1004是鋁焊盤。然而，不同實現(xiàn)可以將不同材料用于焊盤1004。不同實現(xiàn)可以使用不同工藝來在下級金屬層和介電層1002上提供焊盤。例如，在一些實現(xiàn)中，光刻和/或蝕刻工藝可被用于在下級金屬層和介電層1002上提供焊盤1004。

另外，在階段1處，在下級金屬層和介電層1002上提供鈍化層(例如，鈍化層1006)。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于鈍化層1006。如階段4中所示，在下級金屬層和介電層1002上提供鈍化層1006，以使得焊盤1004的至少一部分被暴露。

在階段2，在鈍化層1006和焊盤1004、1025和1029上提供第一絕緣層(例如，第一絕緣層1008)。在一些實現(xiàn)中，第一絕緣層1008是介電層。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于第一絕緣層1008。例如，第一絕緣層1008可以是聚苯并噁唑(PbO)層或者聚合物層。

在階段3，在第一絕緣層1008中提供/創(chuàng)建數(shù)個腔(例如，腔1029、溝槽)。如階段3中進(jìn)一步示出的，在焊盤1004上創(chuàng)建腔1009。類似地，在焊盤1025上創(chuàng)建腔1011，并且在焊盤1029上創(chuàng)建腔1013。不同實現(xiàn)可以不同地創(chuàng)建腔(例如，腔1009)。例如，可以通過蝕刻第一絕緣層1008來提供/創(chuàng)建腔1009。

在圖10B的階段4，提供第一金屬重分布層。具體而言，在焊盤1004和第一絕緣層1008上提供第一金屬重分布層1010。如階段4中所示，第一金屬重分布層1010被耦合至焊盤1004。第一金屬重分布層1010還包括第一金屬層1030和第二金屬層1032。即，在一些實現(xiàn)中，第一金屬層1030和第二金屬層1032與第一金屬重分布層1010在相同的層上。在一些實現(xiàn)中，第一和第二金 屬層1030和1032是通孔。在一些實現(xiàn)中，第一金屬重分布層1010是銅層。

在階段5，提供數(shù)個絕緣層和數(shù)個重分布層。具體地，提供第二絕緣層1014和第三絕緣層1016。此外，提供第二金屬重分布層1020。另外，提供數(shù)個金屬層(1040、1050、1042、1052、1054)。在一些實現(xiàn)中，金屬層是重分布層的一部分。在一些實現(xiàn)中，一些金屬層包括通孔。例如，在一些實現(xiàn)中，金屬層1042和1052是通孔并且金屬層1040和1050是跡線。在一些實現(xiàn)中，金屬層1040、1042、1050、1052和1054被配置成作為超環(huán)電感器1060來操作。

在階段6，在絕緣層1016中提供腔1017。絕緣層1016中的腔1017在互連1020的一部分上方。

在圖10C的階段7，提供凸塊下金屬化(UBM)層。具體地，在絕緣層1016的腔1017中提供凸塊下金屬化(UBM)層1070。在一些實現(xiàn)中，UBM層1070是銅層。

在階段8，在UBM層上提供焊球。具體而言，焊球1080被耦合至UBM層1070。

已經(jīng)描述了提供/制造集成器件(例如，半導(dǎo)體器件)中的超環(huán)電感器的工序，以下將描述用于提供/制造集成器件(例如，半導(dǎo)體器件)中的超環(huán)電感器的方法。

用于提供/制造包括超環(huán)電感器的集成器件的示例性方法

圖11解說了用于提供包括超環(huán)電感器的集成器件的示例性方法。在一些實現(xiàn)中，圖11的方法可被用于提供/制造圖2和/或4的集成器件，和/或本公開中所描述的其他集成器件(例如，管芯)。

該方法(在1105)提供基板(例如，基板1001)。在一些實現(xiàn)中，(在1005)提供基板包括提供晶片(例如，硅晶片)。然而，不同實現(xiàn)可以將不同材料用于該基板(例如，玻璃基板、硅基板、玻璃基板)。該方法隨后(在1110)在該基板上提供電路元件。在一些實現(xiàn)中，(在1110)提供電路元件可以被繞過。

該方法隨后(在1115)在下級金屬層和介電層中的一者(例如，M7金屬層)上提供至少一個焊盤(例如，焊盤1004)。在一些實現(xiàn)中，(在1115) 提供焊盤包括將焊盤耦合至這些下級金屬層中的一者(例如，頂部的下級金屬層即M7金屬層)。在一些實現(xiàn)中，該焊盤是鋁焊盤。然而，不同實現(xiàn)可以將不同材料用于該焊盤。此外，不同實現(xiàn)可以使用不同工藝來在下級金屬層和介電層上提供焊盤。例如，在一些實現(xiàn)中，光刻和/或蝕刻工藝可被用于(在1115)在下級金屬層和介電層上提供焊盤。

該方法(在1120)在下級金屬層和介電層上提供鈍化層(例如，鈍化層1006)。

該方法隨后(在1125)提供數(shù)個金屬重分布層(例如，金屬重分布層1010、1030)和介電層(例如，第一絕緣層、第二絕緣層)。在一些實現(xiàn)中，一些金屬重分布層被配置成在集成器件(例如，管芯)中作為超環(huán)電感器來操作。不同的實現(xiàn)可以將不同的材料用于這些電介質(zhì)層。例如，第一和第二絕緣層(其為介電層的一種形式)可以是聚苯并噁唑(PbO)層和/或聚合物層。

該方法隨后任選地提供(在1130)凸塊下金屬化(UBM)層。在一些實現(xiàn)中，(在1130)提供UBM層包括將UBM層耦合到金屬重分布層。在一些實現(xiàn)中，UBM層是銅層。該方法進(jìn)一步在UBM層上(在1135)提供焊球。

用于提供/制造包括超環(huán)電感器的集成器件的示例性工序

在一些實現(xiàn)中，提供包括超環(huán)電感器的集成器件(例如，管芯封裝)包括數(shù)個工藝。圖12A-12B解說了用于提供包括超環(huán)電感器的集成器件的示例性工序。在一些實現(xiàn)中，圖12A-12B的工序可被用于提供/制造圖5和/或9的集成器件，和/或本公開中所描述的其他集成器件。應(yīng)當(dāng)注意，圖12A-12B的工序可被用于提供/制造還包括電路元件的集成器件。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步注意，圖12A-12B的工序可以組合一個或多個階段以簡化和/或闡明用于提供包括超環(huán)電感器的集成器件的工序。

如圖12A的階段1中所示，提供了包括第一管芯1206和第二管芯1208的基板(例如，基板1201)。在一些實現(xiàn)中，基板1201是晶片。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于該基板(例如，硅基板、玻璃基板、陶瓷基板)。在一些實現(xiàn)中，在該基板的溝槽或腔中提供這些管芯。不同實現(xiàn)可以不同方法來在基板中提供溝槽。在一些實現(xiàn)中，可使用激光來提供溝槽。在一些實現(xiàn)中，可使用 蝕刻(例如，化學(xué)、機械)工藝來提供溝槽。在一些實現(xiàn)中，溝槽剖面可以是噴濺的。

不同的實現(xiàn)可以使用不同的集成器件(例如，管芯)。如圖6中所示和描述的，可以使用的集成器件(例如，管芯)的示例為集成器件600。

在階段2，提供了第一介電層1210(例如，第一絕緣層)和第一金屬重分布層。第一金屬重分布層包括第一互連集1212、第二互連集1214、和第三互連集1216。

在階段3，提供了第二介電層1220(例如，第二絕緣層)和第二金屬重分布層。第二金屬重分布層包括第四互連集1222和第五互連集1226。

在圖12B的階段4，提供了第三介電層集1230(例如，第三絕緣層)和第三金屬重分布層集。第三介電層集1230可包括一個或多個介電層。第三金屬重分布層集包括第七互連集1232、第八互連集1234、和第九互連集1236。在一些實現(xiàn)中，互連1232、1234和1236可包括一個或多個金屬層。在一些實現(xiàn)中，階段4可以表示組合為一個階段的數(shù)個階段。即，在一些實現(xiàn)中，階段4可表示在之前的介電層和/或之前的金屬重分布層的頂部上順序提供的數(shù)個介電層和金屬重分布層。在一些實現(xiàn)中，互連可包括通孔。在一些實現(xiàn)中，互連集1234被配置成作為超環(huán)電感器來操作。在一些實現(xiàn)中，該互連集1234形成超環(huán)電感器的繞組集。該互連集1234可以類似于超環(huán)電感器514、700和/或914。

在階段5，提供了至少一個凸塊下金屬化(UBM)層。具體而言，提供了第一凸塊下金屬化(UBM)層1050和第二凸塊下金屬化(UBM)層1052。階段5解說了該介電層集1240。在一些實現(xiàn)中，該介電層集1240包括介電層1210、1220和1230。

在階段6，在UBM層上提供了至少一個焊球。具體而言，第一焊球1260被耦合到第一UBM層1250，并且第二焊球1262被耦合到第二UBM層1252。

已經(jīng)描述了提供/制造集成器件(例如，半導(dǎo)體器件)中的超環(huán)電感器的工序，現(xiàn)在將在以下描述用于提供/制造集成器件(例如，半導(dǎo)體器件)中的超環(huán)電感器的方法。

用于提供/制造包括超環(huán)電感器的集成器件的示例性方法

圖13解說了用于提供包括超環(huán)電感器的集成器件(例如，管芯封裝)的示例性方法。在一些實現(xiàn)中，圖13的方法可被用于提供/制造圖5和/或8的集成器件，和/或本公開中所描述的其他集成器件(例如，管芯封裝)。

該方法(在1305)提供基板(例如，基板1201)。在一些實現(xiàn)中，(在1305)提供基板包括提供晶片(例如，硅晶片)。然而，不同實現(xiàn)可以將不同材料用于該基板(例如，玻璃基板、硅基板、玻璃基板)。在一些實現(xiàn)中，提供該基板還可包括提供(例如，制造)該基板中的一個或多個溝槽。在一些實現(xiàn)中，(在1305)提供的基板包括一個或多個溝槽。

該方法隨后提供(在1310)基板中和/或上的至少一個集成器件(例如，管芯)。在一些實現(xiàn)中，集成器件(例如，管芯)可以在基板的溝槽中提供。

該方法進(jìn)一步提供(1315)至少一個介電層(例如，介電層1210、1220、1230、1240)。不同的實現(xiàn)可以將不同的材料用于這些介電層。例如，第一和第二絕緣層(其為介電層的一種形式)可以是聚苯并噁唑(PbO)層和/或聚合物層。

該方法還提供(在1320)數(shù)個金屬重分布層。在一些實現(xiàn)中，其中至少一些重分布層被配置成作為超環(huán)電感器來操作。

應(yīng)當(dāng)注意，在一些實現(xiàn)中，提供(在1315)至少一個介電層和提供(在1320)金屬重分布層的方法可以來回順序執(zhí)行。即，在一些實現(xiàn)中，該方法可提供第一介電層、第一重分布層、第二介電層、第二重分布層以及等等，以此類推。

該方法隨后任選地提供(在1325)凸塊下金屬化(UBM)層。在一些實現(xiàn)中，提供(在1325)UBM層包括將UBM層耦合到金屬重分布層。在一些實現(xiàn)中，UBM層是銅層。該方法進(jìn)一步在UBM層上提供(在1330)焊球。

示例性電子設(shè)備

圖14解說了可集成有前述半導(dǎo)體器件、集成電路、管芯、中介體或封裝中的任一者的各種電子設(shè)備。例如，移動電話1402、膝上型計算機1404以及固定位置終端1406可包括如本文所述的集成電路(IC)1400。IC 1400 可以是例如本文所述的集成電路、管芯或封裝件中的任何一種。圖14中所解說的設(shè)備1402、1404、1406僅是示例性的。其它電子設(shè)備也可以IC 1400為特征，包括但不限于移動設(shè)備、手持式個人通信系統(tǒng)(PCS)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(諸如個人數(shù)字助理)、啟用GPS的設(shè)備、導(dǎo)航設(shè)備、機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、固定位置數(shù)據(jù)單位(諸如儀表讀取裝備)、通信設(shè)備、智能電話、平板計算機、或者存儲或檢索數(shù)據(jù)或計算機指令的任何其它設(shè)備，或者其任何組合。

圖2、3、4、5、6、7、8、9、10A-10C、11、12A-12B和/或14中解說的組件、步驟、特征和/或功能中的一個或多個可以被重新安排和/或組合成單個組件、步驟、特征或功能，或可以實施在數(shù)個組件、步驟、或功能中。也可添加附加的元件、組件、步驟、和/或功能而不會脫離本發(fā)明。還應(yīng)當(dāng)注意，本公開中的圖2、3、4、5、6、7、8、9、10A-10C、11、12A-12B、13和/或14及其相應(yīng)描述不限于管芯和/或IC。在一些實現(xiàn)中，圖2、3、4、5、6、7、8、9、10A-10C、11、12A-12B、13和/或14及其相應(yīng)描述可被用于制造、創(chuàng)建、提供、和/或生產(chǎn)集成器件。在一些實現(xiàn)中，集成器件可以包括管芯、管芯封裝、集成電路(IC)、晶片、半導(dǎo)體器件、和/或中介體。

措辭“示例性”在本文中用于表示“用作示例、實例或解說”。本文中描述為“示例性”的任何實現(xiàn)或方面不必被解釋為優(yōu)于或勝過本公開的其他方面。同樣，術(shù)語“方面”不要求本公開的所有方面都包括所討論的特征、優(yōu)點或操作模式。術(shù)語“耦合”在本文中被用于指兩個對象之間的直接或間接耦合。例如，如果對象A物理地接觸對象B，且對象B接觸對象C，則對象A和C可仍被認(rèn)為是彼此耦合的——即便它們并非彼此直接物理接觸。

還應(yīng)注意，這些實施例可能是作為被描繪為流程圖、流圖、結(jié)構(gòu)圖、或框圖的過程來描述的。盡管流程圖可能會把諸操作描述為順序過程，但是這些操作中有許多操作能夠并行或并發(fā)地執(zhí)行。另外，這些操作的次序可以被重新安排。過程在其操作完成時終止。

本文所述的本發(fā)明的各種特征可實現(xiàn)于不同系統(tǒng)中而不脫離本發(fā)明。應(yīng)注意，本公開的以上各方面僅是示例，且不應(yīng)被解釋成限定本發(fā)明。對 本公開的各方面的描述旨在是解說性的，而非限定所附權(quán)利要求的范圍。由此，本發(fā)明的教導(dǎo)可以現(xiàn)成地應(yīng)用于其他類型的裝置，并且許多替換、修改和變形對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見的。