技術(shù)總結(jié)
一些特征涉及集成器件，該集成器件包括基板、耦合到該基板的數(shù)個(gè)金屬層、耦合到該基板的數(shù)個(gè)介電層、耦合到這些金屬層中的一者的第一金屬重分布層、以及耦合到該第一金屬重分布層的第二金屬重分布層。第一和第二金屬重分布層配置成在集成器件中操作為超環(huán)電感器。在一些實(shí)現(xiàn)中，集成器件還包括第三金屬重分布層。第三金屬重分布層耦合到第一和第二金屬重分布層。第三金屬重分布層是一通孔。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一、第二和第三金屬重分布層配置成在集成器件中作為超環(huán)電感器來操作。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一、第二和第三重分布層形成了該超環(huán)電感器的繞組集。

技術(shù)研發(fā)人員：S·顧;R·D·萊恩;U·雷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：高通股份有限公司
文檔號(hào)碼：201580005211
技術(shù)研發(fā)日：2015.01.20
技術(shù)公布日：2017.02.15