技術(shù)編號：12680573
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種光電二極管集成器件及其制備方法。背景技術(shù)光電二極管(Photodiode)為一個工作在反向偏壓下的PN結(jié)二極管，當PN結(jié)加反向偏壓時，外加電場方向與PN結(jié)的內(nèi)建電場方向一致，勢壘加強，在PN結(jié)界面附近載流子基本上耗盡形成耗盡區(qū)。當光束入射到PN結(jié)上，且光子能量hv大于半導(dǎo)體材料的帶隙Eg時，價帶上的電子吸收光子能量躍遷到導(dǎo)帶上，形成一個電子—空穴對。在耗盡區(qū)，在內(nèi)建電場的作用下，電子向N區(qū)漂移，空穴向P區(qū)漂移，如果PN結(jié)外電路構(gòu)成回路，就會形成光電流...
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