技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型屬于納米陣列的多量子阱的技術(shù)領(lǐng)域，公開了生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的InGaN/GaN納米柱多量子阱。生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的InGaN/GaN納米柱多量子阱，包括生長在La0.3Sr1.7AlTaO6襯底上的AlN成核層，生長在AlN成核層上的GaN納米柱模板，生長在納米柱模板上的AlN/GaN超晶格層,生長在AlN/GaN超晶格層上的InGaN/GaN納米柱多量子阱。本實(shí)用新型所選擇的襯底材料成本低廉，所制備的納米柱陣列尺寸可控，取向均一，所獲得的多量子阱的缺陷密度低、電學(xué)和光學(xué)性能優(yōu)良。

技術(shù)研發(fā)人員：李國強(qiáng);楊美娟;林云昊;李媛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華南理工大學(xué)
文檔號碼：201621156338
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.31
技術(shù)公布日：2017.06.06