技術(shù)特征：

1.生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的InGaN/GaN納米柱多量子阱，其特征在于：包括La_0.3Sr_1.7AlTaO₆襯底，生長在La_0.3Sr_1.7AlTaO₆襯底上的AlN成核層，生長在AlN成核層上的GaN納米柱模板，生長在納米柱模板上的AlN/GaN超晶格層,生長在AlN/GaN超晶格層上的InGaN/GaN納米柱多量子阱。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的InGaN/GaN納米柱多量子阱，其特征在于：所述La_0.3Sr_1.7AlTaO₆襯底以(111)面偏(100)方向0.5～1°為外延面，晶體外延取向關(guān)系為：GaN的(0001)面平行于La_0.3Sr_1.7AlTaO₆的(111)面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的InGaN/GaN納米柱多量子阱，其特征在于：所述GaN納米柱模板的GaN的(0001)面平行于La_0.3Sr_1.7AlTaO₆的(111)面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的InGaN/GaN納米柱多量子阱，其特征在于：所述GaN納米柱模板為GaN納米柱陣列；所述GaN納米柱模板的高度和GaN緩沖層相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的InGaN/GaN納米柱多量子阱，其特征在于：所述AlN成核層的厚度為100～200nm；所述GaN納米柱模板的高度為500～1000nm，直徑為100～200nm，相鄰間距為150～250nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的InGaN/GaN納米柱多量子阱，其特征在于：所述AlN/GaN超晶格層為15～25個周期的AlN層/GaN層，總厚度為20～100nm，其中AlN層的厚度為1～2nm，GaN層的厚度為1～2nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的InGaN/GaN納米柱多量子阱，其特征在于：所述InGaN/GaN納米柱多量子阱為8～13個周期的InGaN阱層/GaN壘層，其中InGaN阱層的厚度為3～5nm，GaN壘層的厚度為10～15nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的InGaN/GaN納米柱多量子阱，其特征在于：所述生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的InGaN/GaN納米柱多量子阱，還包括隔離層，所述隔離層沉積在GaN納米柱模板的側(cè)壁和未被GaN納米柱模板的AlN成核層上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的InGaN/GaN納米柱多量子阱，其特征在于：所述隔離層厚度為10～50nm。