本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池生產(chǎn)輔助設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體的說(shuō)涉及一種用于硅片鍍膜得承載裝置。

背景技術(shù)：

晶體硅太陽(yáng)能電池是市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品，其制造流程為：表面清洗及織構(gòu)化、擴(kuò)散、清洗刻蝕去邊、鍍膜、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)形成歐姆接觸、測(cè)試。其中，鍍膜工序是指在制備太陽(yáng)能電池過(guò)程中鍍減反射膜即制備氮化硅薄膜，主要采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉淀(PECVD)的方法。所以，PECVD載板是硅片鍍膜設(shè)備的一種重要裝置，其工作原理為：待鍍膜的硅片需平整的放置在載板的工位上，經(jīng)傳輸部件運(yùn)輸?shù)焦杵兡ぴO(shè)備中的等離子腔室，然后在一定工藝條件下進(jìn)行鍍膜。

現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)機(jī)械手臂往承載裝置上的內(nèi)框放置硅片時(shí)，由于機(jī)械手臂需要破真空，硅片會(huì)有一段短距離的自由落體過(guò)程，產(chǎn)生下壓氣流，形成反制作用力，導(dǎo)致硅片不能準(zhǔn)確的落入承載槽中的指定位置上，造成硅片鍍膜不均勻或者損毀，提高了硅片的返工率和碎片率，導(dǎo)致鍍膜良好率下降。

鑒于現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述缺陷，目前急需一種硅片鍍膜用的承載裝置，可以使硅片能夠較穩(wěn)定的落入承載槽中的指定位置，從而提升鍍膜得均勻性，降低返工率和碎片率，提升鍍膜得良好率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提供的一種用于硅片鍍膜的承載裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中因硅片不能準(zhǔn)確的落入承載槽中的指定位置而導(dǎo)致鍍膜良好率降低的問(wèn)題。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供一種用于硅片鍍膜的承載裝置，所述承載裝置包括承載裝置本體，所述承載裝置本體上設(shè)置有至少一個(gè)承載槽，

所述承載槽內(nèi)部設(shè)置有正方形的內(nèi)承載槽；

所述內(nèi)承載槽上設(shè)置有至少三個(gè)小孔。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施方式，所述內(nèi)承載槽的槽距為161mm。

根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)具體實(shí)施方式，所述至少三個(gè)小孔的孔徑為8mm～10mm。

根據(jù)本實(shí)用新型的又一個(gè)具體實(shí)施方式，所述至少三個(gè)小孔以所述內(nèi)承載槽的中心點(diǎn)為原點(diǎn)在其周圍均勻分布。

根據(jù)本實(shí)用新型的又一個(gè)具體實(shí)施方式，所述承載裝置本體的材料為石墨。

采用本實(shí)用新型提供的一種用于硅片鍍膜的承載裝置，拓寬了內(nèi)承載槽的槽距，同時(shí)在內(nèi)承載槽上進(jìn)行均勻開(kāi)孔。當(dāng)機(jī)械手臂往內(nèi)承載槽里放置硅片時(shí)，硅片自由落體產(chǎn)生的下壓氣流可以直接從小孔中溢出，分解了下落過(guò)程中下壓氣流產(chǎn)生的反制作用力，使硅片可以準(zhǔn)確的覆蓋在小孔上，不會(huì)發(fā)生錯(cuò)位。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯：

圖1是根據(jù)本實(shí)用新型提供的一種用于硅片鍍膜的承載裝置的一種具體實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖中相同或相似的附圖標(biāo)記代表相同或相似的部件。

具體實(shí)施方式

為了更好地理解和闡釋本發(fā)明，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

本實(shí)用新型提供的一種用于硅片鍍膜的承載裝置，請(qǐng)參考圖1，圖1是根據(jù)本實(shí)用新型提供的一種用于硅片鍍膜的承載裝置的一種具體實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。

所述承載裝置包括承載裝置本體1，所述承載裝置本體1上設(shè)置有至少一個(gè)承載槽2，所述承載槽2內(nèi)部設(shè)置有正方形的內(nèi)承載槽3；所述內(nèi)承載槽3上設(shè)置有至少三個(gè)小孔4。在本實(shí)施例中，所述內(nèi)承載槽3的槽距為161mm、所述至少三個(gè)小孔4的孔徑為8mm～10mm、所述承載裝置本體1的材料為石墨。優(yōu)選地，所述至少三個(gè)小孔4以所述內(nèi)承載槽3的中心點(diǎn)為原點(diǎn)在其周圍均勻分布。

一種具體的實(shí)施例中，當(dāng)鍍膜開(kāi)始時(shí)，設(shè)置承載裝置本體1，機(jī)械手臂向承載槽2內(nèi)部設(shè)置的內(nèi)承載槽3上放置硅片。硅片通過(guò)自由落體落入內(nèi)承載槽3上設(shè)置的小孔4上，并且覆蓋在小孔4上。待硅片放置完成后，開(kāi)始進(jìn)行鍍膜工藝。

本實(shí)用新型提供的一種用于硅片鍍膜的承載裝置，采用拓寬內(nèi)承載槽，同時(shí)在內(nèi)承載槽上進(jìn)行開(kāi)孔的方式。因?yàn)楣杵诜胖迷谥付ㄎ恢玫倪^(guò)程中會(huì)有一段自由下落的過(guò)程，上述下落的過(guò)程會(huì)產(chǎn)生一股下壓氣流，對(duì)硅片的下落產(chǎn)生反制作用力，使下落點(diǎn)偏移指定位置，降低鍍膜良好率。通過(guò)拓寬內(nèi)承載槽和對(duì)內(nèi)承載槽進(jìn)行開(kāi)孔，可以有效的使下落過(guò)程中產(chǎn)生的氣流從小孔中溢出，消除反制作用力，使硅片可以準(zhǔn)確的覆蓋在小孔上，提高了鍍膜得均勻性，減少返工率。

本實(shí)用新型的應(yīng)用范圍不局限于說(shuō)明書中描述的特定實(shí)施例的工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成及手段。從本實(shí)用新型的公開(kāi)內(nèi)容，作為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將容易地理解，對(duì)于目前已存在或者以后即將開(kāi)發(fā)出的工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成及手段，其中它們執(zhí)行與本實(shí)用新型描述的對(duì)應(yīng)實(shí)施例大體相同的功能或者獲得大體相同的結(jié)果，依照本實(shí)用新型可以對(duì)它們進(jìn)行應(yīng)用。因此，本實(shí)用新型所附權(quán)利要求旨在將這些工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成或手段包含在其保護(hù)范圍內(nèi)。