本實(shí)用新型涉及光伏設(shè)備制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種太陽(yáng)能電池片。

背景技術(shù)：

隨著光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進(jìn)步，出于對(duì)太陽(yáng)電池高轉(zhuǎn)換效率以及組件高輸出功率的追求，越來(lái)越多的高效電池技術(shù)被應(yīng)用到晶體硅太陽(yáng)電池的商業(yè)化量產(chǎn)中。其中重要的一種高效電池技術(shù)是RIE反應(yīng)離子刻蝕干法黑硅刻蝕技術(shù)，通過(guò)等離子體化的反應(yīng)氣體在硅片的正面刻蝕出亞微米級(jí)的絨面結(jié)構(gòu)，該絨面由一系列密排的微小丘陵構(gòu)成，微小丘陵的底寬尺寸在100nm左右，高度在200nm左右，使得其正面反射率遠(yuǎn)低于常規(guī)的濕法制絨技術(shù)，將其反射率從濕法制絨的21％降低到5％以下，大大增加了電池的短路電流。但絲網(wǎng)印刷工藝中正面電極細(xì)柵線的原料是銀漿料，該漿料所含的銀顆粒以及玻璃體顆粒的尺寸在20nm左右，銀漿料的顆粒接近黑硅絨面的尺寸，而黑硅電池具有更為精細(xì)的絨面結(jié)構(gòu)，就使得正面電極絲網(wǎng)印刷過(guò)程中細(xì)柵線不容易附著在黑硅電池表面，導(dǎo)致局部虛印或者數(shù)量較多的小斷柵出現(xiàn)，印刷細(xì)柵線的寬度越小，這種問題就越明顯。

基于上述問題，現(xiàn)有的黑硅電池制造過(guò)程中，會(huì)增大電池正面電極細(xì)柵線的寬度，來(lái)增加細(xì)柵線和絨面之間的附著力，以改善斷柵、虛印的問題，然而增加細(xì)柵線的寬度，必然會(huì)增加黑硅電池正面的遮光面積，降低電池的轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)也會(huì)增加銀漿的使用量，增加黑硅電池的成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種太陽(yáng)能電池片，能夠增大正面電極細(xì)柵與絨面之間的附著力，改善斷柵和虛印的問題，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。

本實(shí)用新型提供的一種太陽(yáng)能電池片，在電池片的表面與正面電極細(xì)柵對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有酸制絨多晶絨面區(qū)域，用于印刷所述正面電極細(xì)柵，在所述正面電極細(xì)柵對(duì)應(yīng)的位置以外的位置設(shè)置有黑硅絨面區(qū)域。

優(yōu)選的，在上述太陽(yáng)能電池片中，所述酸制絨多晶絨面區(qū)域的表面分布有蟲卵型凹坑。

優(yōu)選的，在上述太陽(yáng)能電池片中，所述黑硅絨面區(qū)域的表面分布有密排的丘陵?duì)钔蛊稹?/p>

優(yōu)選的，在上述太陽(yáng)能電池片中，所述酸制絨多晶絨面區(qū)域的寬度范圍為80微米至250微米。

優(yōu)選的，在上述太陽(yáng)能電池片中，所述酸制絨多晶絨面區(qū)域的長(zhǎng)度范圍為153.6毫米至154.5毫米。

優(yōu)選的，在上述太陽(yáng)能電池片中，所述丘陵?duì)钔蛊鸬牡撞繉挾确秶鸀?0納米至150納米，高度范圍為150納米至250納米。

從上述技術(shù)方案可以看出，本實(shí)用新型所提供的一種太陽(yáng)能電池片，由于在電池片的表面與正面電極細(xì)柵對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有酸制絨多晶絨面區(qū)域，用于印刷所述正面電極細(xì)柵，在所述正面電極細(xì)柵對(duì)應(yīng)的位置以外的位置設(shè)置有黑硅絨面區(qū)域，因此能夠增大正面電極細(xì)柵與絨面之間的附著力，改善斷柵和虛印的問題，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種太陽(yáng)能電池片的示意圖。

具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型的核心思想在于提供一種太陽(yáng)能電池片，能夠增大正面電極細(xì)柵與絨面之間的附著力，改善斷柵和虛印的問題，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種太陽(yáng)能電池片如圖1所示，圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種太陽(yáng)能電池片的示意圖，在電池片的表面與正面電極細(xì)柵對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有酸制絨多晶絨面區(qū)域1，用于印刷所述正面電極細(xì)柵，在所述正面電極細(xì)柵對(duì)應(yīng)的位置以外的位置設(shè)置有黑硅絨面區(qū)域2。

需要說(shuō)明的是，可以先利用濕法酸制絨工藝在硅片上表面制作出該酸制絨多晶絨面區(qū)域1，再在其上部與正面電極細(xì)柵對(duì)應(yīng)的部位制作一層保護(hù)層，然后對(duì)硅片表面進(jìn)行干法刻蝕，在所述正面電極細(xì)柵對(duì)應(yīng)的位置以外的位置得到黑硅絨面區(qū)域2，然后去除保護(hù)層，就得到上述結(jié)構(gòu)。后續(xù)流程中，絲網(wǎng)印刷正面電極時(shí)，細(xì)柵線落在普通的酸制絨多晶絨面上，解決了附著力低下的問題，避免了正面電極細(xì)柵線寬度降低帶來(lái)的斷柵和虛印的問題。

從上述技術(shù)方案可以看出，本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的第一種太陽(yáng)能電池片，由于在電池片的表面與正面電極細(xì)柵對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有酸制絨多晶絨面區(qū)域，用于印刷所述正面電極細(xì)柵，在所述正面電極細(xì)柵對(duì)應(yīng)的位置以外的位置設(shè)置有黑硅絨面區(qū)域，因此能夠增大正面電極細(xì)柵與絨面之間的附著力，改善斷柵和虛印的問題，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第二種太陽(yáng)能電池片，是在上述第一種太陽(yáng)能電池片的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述酸制絨多晶絨面區(qū)域的表面分布有蟲卵型凹坑。

需要說(shuō)明的是，該蟲卵型凹坑的尺寸可以是但不限于是長(zhǎng)*寬*高為9.0μm*2.5μm*1.5μm，這種形狀比黑硅絨面具有更強(qiáng)的附著力，從而保證正面電極細(xì)柵的制作過(guò)程不會(huì)斷柵或虛印。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第三種太陽(yáng)能電池片，是在上述第一種太陽(yáng)能電池片的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述黑硅絨面區(qū)域的表面分布有密排的丘陵?duì)钔蛊稹?/p>

這種結(jié)構(gòu)能夠顯著降低多晶硅片表面的反射率，將其反射率從濕法制絨的21％降低到5％以下，大大增加了電池的短路電流。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第四種太陽(yáng)能電池片，是在上述第二種太陽(yáng)能電池片的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述酸制絨多晶絨面區(qū)域的寬度范圍為80微米至250微米。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第五種太陽(yáng)能電池片，是在上述第四種太陽(yáng)能電池片的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述酸制絨多晶絨面區(qū)域的長(zhǎng)度范圍為153.6毫米至154.5毫米。

需要說(shuō)明的是，相鄰的酸制絨多晶絨面區(qū)域的間距也與正面電極的細(xì)柵線間距相等，以方便后續(xù)正面電極制作時(shí)的定位。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第六種太陽(yáng)能電池片，是在上述第三種太陽(yáng)能電池片的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述丘陵?duì)钔蛊鸬牡撞繉挾确秶鸀?0納米至150納米，高度范圍為150納米至250納米。

需要說(shuō)明的是，制作的具有上述尺寸的丘陵?duì)钔蛊鸬碾姵仄?，能夠進(jìn)一步降低太陽(yáng)光的反射，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。

綜上所述，本方案中，將電池的前表面分成兩個(gè)區(qū)域：一個(gè)是等間距的電極區(qū)絨面，為酸制絨多晶絨面，二是受光區(qū)絨面，為黑硅絨面。在絲網(wǎng)印刷的過(guò)程中，正面電極細(xì)柵線落在酸制絨多晶絨面上，避開了精細(xì)的亞微米級(jí)黑硅絨面，這樣就能保證正面電極細(xì)柵線和絨面之間的附著力，避免了此前容易出現(xiàn)的小斷柵和虛印等印刷品質(zhì)問題。

對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。