技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
提供晶片的加工方法。該晶片的加工方法具有如下的步驟：保護帶粘貼步驟(S11)，在晶片(W)的正面(WS)側(cè)粘貼保護帶(T)；環(huán)狀加強部形成步驟(S12)，在保護帶粘貼步驟之后，將與器件區(qū)域(WA)對應的背面(WR)磨削至第1厚度(t1)，在與外周剩余區(qū)域(WB)對應的背面形成環(huán)狀的加強部(WC)；改質(zhì)層形成步驟(S13)，在環(huán)狀加強部形成步驟之后，將激光束(L)定位在晶片的器件區(qū)域的內(nèi)部而從晶片的背面沿著分割預定線在晶片的器件區(qū)域的內(nèi)部形成改質(zhì)層(K)；以及磨削步驟(S14)，在改質(zhì)層形成步驟之后，從晶片的背面進行磨削而將晶片薄化至完工厚度(t2)，通過磨削動作以改質(zhì)層為起點沿著分割預定線對晶片進行分割。

技術(shù)研發(fā)人員：松岡祐哉;廣澤俊一郎;辻本浩平
受保護的技術(shù)使用者：株式會社迪思科
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.29
技術(shù)公布日：2017.08.11