本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是指一種間隙填充的工藝方法。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體制造中，隨著半導(dǎo)體器件的持續(xù)縮小，sti溝槽,gate與gate之間，metal與metal之間的間隙深寬比越來(lái)越大。在探索如何同時(shí)滿足高深寬比間隙的填充和控制生產(chǎn)成本的過(guò)程中誕生了hdpcvd工藝,它的突破創(chuàng)新之處就在于,在同一個(gè)反應(yīng)腔中同步地進(jìn)行淀積和刻蝕的工藝。具體來(lái)說(shuō),在常見(jiàn)的hdpcvd制程中,在低壓狀態(tài)(幾個(gè)mt)下，淀積工藝通常是由sih4和o2的反應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn),而蝕刻工藝通常是由ar和o2的濺射來(lái)完成。

因高密度等離子體(hdp)cvd填充是淀積與濺射同時(shí)進(jìn)行，并且從頂部濺射下來(lái)的材料會(huì)在底部再沉積，如圖1所示，如果填充時(shí)間隙的側(cè)壁凹凸不平，就會(huì)在側(cè)壁形成空洞(void)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種間隙填充的工藝方法，解決填充間隙時(shí)的空洞問(wèn)題。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明所述的間隙填充的工藝方法，首先采用亞常壓化學(xué)氣相淀積(sa-cvd)一層熱氧化層，然后再進(jìn)行hdpcvd填充。

進(jìn)一步地，所述熱氧化層采用正硅酸乙酯形成。

進(jìn)一步地，采用亞常壓化學(xué)氣相淀積良好的臺(tái)階覆蓋特性將間隙側(cè)壁及底部填平，修正了凹凸不平的間隙形貌。

本發(fā)明所述的間隙填充的工藝方法，利用亞常壓化學(xué)氣相淀積良好的臺(tái)階覆蓋特性將凹凸的表面填平，然后再進(jìn)行hdpcvd填充，解決了空洞問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

圖1是hdpcvd填充間隙之后留下的空洞示意圖。

圖2是填充前的間隙示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明所述的間隙填充的工藝方法，針對(duì)如圖2所示的間隙填充，圖中所述是兩條多晶硅之間形成間隙，或溝槽。從圖2中可以看出，圖中的間隙下部具有非常不光滑的表面。首先利用臺(tái)階覆蓋特性好的亞常壓化學(xué)氣相淀積法淀積一層基于正硅酸乙酯的熱氧化層，將間隙的側(cè)壁及底部凹凸不平的表面填平。然后再進(jìn)行hdpcvd填充將間隙完全填充滿。這樣填充之后，間隙的側(cè)壁及底部均沒(méi)有空洞產(chǎn)生，填充的形貌完美。

以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限定本發(fā)明。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種間隙填充的工藝方法，針對(duì)常規(guī)的間隙進(jìn)行HDP?CVD填充產(chǎn)生的空洞問(wèn)題，本發(fā)明首先采用亞常壓化學(xué)氣相淀積(SA?CVD)一層熱氧化層，然后再進(jìn)行HDP?CVD填充。本發(fā)明利用亞常壓化學(xué)氣相淀積良好的臺(tái)階覆蓋特性將凹凸的表面填平，然后再進(jìn)行HDP?CVD填充，解決了空洞問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：吳建榮;周潔鵬;季偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.08
技術(shù)公布日：2017.08.11