本發(fā)明涉及一種在制造電子元件時(shí)，從層疊體中的基層上剝離電子元件的技術(shù)。

背景技術(shù)：

就用于便攜式機(jī)器等的觀點(diǎn)而言，具有柔性的電子元件的制造技術(shù)正受到矚目。例如，已知有在具有柔性的塑料膜上形成發(fā)光元件來制造電致發(fā)光(electro-luminescence)顯示裝置(以下，稱為el顯示裝置)的技術(shù)。

然而，當(dāng)在具有柔性的塑料膜上形成發(fā)光元件來制造el顯示裝置時(shí)，對形狀不穩(wěn)定的對象物執(zhí)行用以制造el顯示裝置的各處理，而難以制造具有良好的電特性的el顯示裝置。

例如，在專利文獻(xiàn)1中公開有如下的技術(shù)：在基層上形成剝離層，并在剝離層上形成電子元件，獲得包含基層與剝離層及電子元件的層疊體后，以剝離層為界線從基層上剝離電子元件，由此制造電子元件。

在該技術(shù)中，通過將玻璃基板等剛性材料用作基層，即便在電子元件具有柔性的情況下，生成層疊體的過程的中間體作為整體也具有剛性。因此，可對形狀穩(wěn)定的中間體執(zhí)行用以形成電子元件的各處理，而可制造具有良好的電特性的電子元件。

另外，在專利文獻(xiàn)1中公開有如下的技術(shù)：將非晶硅層或類金剛石碳(diamond-likecarbon)層(以下，稱為dlc層)等含有氫的層用作剝離層，并對該剝離層照射激光，由此使剝離層中的氫進(jìn)行氣化，并以剝離層為界線從基層上剝離電子元件。在該技術(shù)中，通過剝離層中所產(chǎn)生的氫氣來促進(jìn)基層與電子元件的剝離，因此在剝離時(shí)減少對基層或電子元件所造成的損害。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)1]日本專利特開2009-260387號公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

[發(fā)明所要解決的問題]

然而，在專利文獻(xiàn)1中，關(guān)于為了從基層上良好地剝離電子元件而要求的剝離層的性質(zhì)，除了在剝離層中含有氫這一點(diǎn)以外，無任何公開。因此，需要對于所述性質(zhì)的新的見解。

關(guān)于該見解，并不限于制造具有柔性的電子元件的情況或?qū)傂圆牧嫌米骰鶎拥那闆r，而在以剝離層為界線從基層上剝離電子元件的整個(gè)技術(shù)中需要。

本發(fā)明鑒于此種課題，目的在于提供一種在制造電子元件時(shí)可將層疊體中的基層與電子元件良好地剝離的技術(shù)。

[解決問題的技術(shù)手段]

本發(fā)明的第1種實(shí)現(xiàn)方式的電子元件的制造方法包括：類金剛石碳層形成步驟，一面向腔室內(nèi)供給含有氫的氣體，一面在所述腔室內(nèi)在基層的一方向側(cè)形成類金剛石碳層；電子元件形成步驟，在所述類金剛石碳層的所述一方向側(cè)形成電子元件，而獲得具有所述基層與所述類金剛石碳層及所述電子元件的層疊體；以及剝離步驟，使所述類金剛石碳層中的氫成分進(jìn)行氣化而從所述基層上剝離所述電子元件；且在所述類金剛石碳層形成步驟中，調(diào)整相對于供給至所述基層的所述一方向側(cè)的碳的供給量的所述氫的供給量的比率。

本發(fā)明的第2種實(shí)現(xiàn)方式的電子元件的制造方法根據(jù)本發(fā)明的第1種實(shí)現(xiàn)方式的電子元件的制造方法：在所述類金剛石碳層形成步驟中，以所述比率經(jīng)時(shí)地變化的方式進(jìn)行調(diào)整。

本發(fā)明的第3種實(shí)現(xiàn)方式的電子元件的制造方法根據(jù)本發(fā)明的第2種實(shí)現(xiàn)方式的電子元件的制造方法：所述類金剛石碳層形成步驟包括前期步驟，形成位于所述類金剛石碳層中的厚度方向上的所述基層側(cè)的第1區(qū)域；中期步驟，形成位于所述類金剛石碳層中的所述厚度方向上的中央側(cè)的第2區(qū)域；以及后期步驟，形成位于所述類金剛石碳層中的所述厚度方向上的所述電子元件側(cè)的第3區(qū)域；且在所述類金剛石碳層形成步驟中，以所述比率在所述前期步驟及所述后期步驟中的至少一個(gè)步驟中高于所述中期步驟的方式進(jìn)行調(diào)整。

本發(fā)明的第4種實(shí)現(xiàn)方式的電子元件的制造方法根據(jù)本發(fā)明的第3種實(shí)現(xiàn)方式的電子元件的制造方法：在所述類金剛石碳層形成步驟中，以所述比率在所述前期步驟中高于所述中期步驟的方式進(jìn)行調(diào)整。

本發(fā)明的第5種實(shí)現(xiàn)方式的電子元件的制造方法根據(jù)本發(fā)明的第3種實(shí)現(xiàn)方式的電子元件的制造方法：在所述類金剛石碳層形成步驟中，以所述比率在所述后期步驟中高于所述中期步驟的方式進(jìn)行調(diào)整。

本發(fā)明的第6種實(shí)現(xiàn)方式的電子元件的制造方法根據(jù)本發(fā)明的第3種實(shí)現(xiàn)方式的電子元件的制造方法：在所述類金剛石碳層形成步驟中，以所述比率在所述前期步驟及所述后期步驟中高于所述中期步驟的方式進(jìn)行調(diào)整。

本發(fā)明的第7種實(shí)現(xiàn)方式的電子元件的制造方法根據(jù)本發(fā)明的第1種實(shí)現(xiàn)方式至第6種實(shí)現(xiàn)方式中任一種實(shí)現(xiàn)方式的電子元件的制造方法：在所述類金剛石碳層形成步驟中，在所述腔室內(nèi)進(jìn)行濺鍍處理，由此在所述基層的所述一方向側(cè)形成所述類金剛石碳層。

本發(fā)明的第8種實(shí)現(xiàn)方式的電子元件的制造方法根據(jù)本發(fā)明的第1種實(shí)現(xiàn)方式至第6種實(shí)現(xiàn)方式中任一種實(shí)現(xiàn)方式的電子元件的制造方法：在所述類金剛石碳層形成步驟中，在所述腔室內(nèi)進(jìn)行化學(xué)蒸鍍處理，由此在所述基層的所述一方向側(cè)形成所述類金剛石碳層。

本發(fā)明的第9種實(shí)現(xiàn)方式的電子元件的制造方法根據(jù)本發(fā)明的第1種實(shí)現(xiàn)方式至第8種實(shí)現(xiàn)方式中任一種實(shí)現(xiàn)方式的電子元件的制造方法：在所述剝離步驟中，從所述基層側(cè)對所述類金剛石碳層執(zhí)行閃光燈退火。

本發(fā)明的第10種實(shí)現(xiàn)方式的層疊體包括：基層；類金剛石碳層，形成在所述基層的一方向側(cè)；以及電子元件，形成在所述類金剛石碳層的所述一方向側(cè)；且當(dāng)一面向腔室內(nèi)供給含有氫的氣體，一面在所述腔室內(nèi)形成所述類金剛石碳層時(shí)，調(diào)整相對于供給至所述基層的所述一方向側(cè)的碳的供給量的所述氫的供給量的比率。

本發(fā)明的第11種實(shí)現(xiàn)方式的層疊體根據(jù)本發(fā)明的第10種實(shí)現(xiàn)方式的層疊體：所述類金剛石碳層中的氫含有率沿著其厚度方向而變化。

本發(fā)明的第12種實(shí)現(xiàn)方式的層疊體根據(jù)本發(fā)明的第11種實(shí)現(xiàn)方式的層疊體：所述類金剛石碳層包括第1區(qū)域，位于所述厚度方向上的所述基層側(cè)；第2區(qū)域，位于所述厚度方向上的中央側(cè)；以及第3區(qū)域，位于所述厚度方向上的所述電子元件側(cè)；且所述第1區(qū)域及所述第3區(qū)域中的至少一個(gè)區(qū)域中的氫含有率高于所述第2區(qū)域中的氫含有率。

本發(fā)明的第13種實(shí)現(xiàn)方式的層疊體根據(jù)本發(fā)明的第12種實(shí)現(xiàn)方式的層疊體：關(guān)于所述厚度方向，所述第1區(qū)域中的氫含有率高于所述第2區(qū)域中的氫含有率。

本發(fā)明的第14種實(shí)現(xiàn)方式的層疊體根據(jù)本發(fā)明的第12種實(shí)現(xiàn)方式的層疊體：關(guān)于所述厚度方向，所述第3區(qū)域中的氫含有率高于所述第2區(qū)域中的氫含有率。

本發(fā)明的第15種實(shí)現(xiàn)方式的層疊體根據(jù)本發(fā)明的第12種實(shí)現(xiàn)方式的層疊體：所述第1區(qū)域及所述第3區(qū)域中的氫含有率高于所述第2區(qū)域中的氫含有率。

本發(fā)明的第16種實(shí)現(xiàn)方式的層疊體根據(jù)本發(fā)明的第10種實(shí)現(xiàn)方式至第15種實(shí)現(xiàn)方式中任一種實(shí)現(xiàn)方式的層疊體：所述類金剛石碳層通過在所述腔室內(nèi)進(jìn)行濺鍍處理而形成。

本發(fā)明的第17種實(shí)現(xiàn)方式的層疊體根據(jù)本發(fā)明的第10種實(shí)現(xiàn)方式至第15種實(shí)現(xiàn)方式中任一種實(shí)現(xiàn)方式的層疊體：所述類金剛石碳層通過在所述腔室內(nèi)進(jìn)行化學(xué)蒸鍍處理而形成。

[發(fā)明的效果]

在本發(fā)明的第1至第17的任一個(gè)種實(shí)現(xiàn)方式中，dlc層作為通過使該層中的氫成分進(jìn)行氣化而從基層上剝離電子元件的剝離層發(fā)揮功能。因此，通過事先調(diào)整dlc層中的氫含有率，其后可從基層上良好地剝離電子元件。

附圖說明

圖1是示意性地表示制造電子元件的過程的側(cè)面圖。

圖2是示意性地表示制造電子元件的過程的側(cè)面圖。

圖3是示意性地表示制造電子元件的過程的側(cè)面圖。

圖4是示意性地表示制造電子元件的過程的側(cè)面圖。

圖5是示意性地表示dlc層的擴(kuò)大側(cè)面圖。

圖6是表示第1處理例的dlc層的膜厚與氫含有率的關(guān)系的圖表。

圖7是表示第2處理例的dlc層的膜厚與氫含有率的關(guān)系的圖表。

圖8是表示第3處理例的dlc層的膜厚與氫含有率的關(guān)系的圖表。

圖9是表示第4處理例的dlc層的膜厚與氫含有率的關(guān)系的圖表。

圖10是表示第5處理例的dlc層的膜厚與氫含有率的關(guān)系的圖表。

附圖標(biāo)記說明：

110：基層；

120：dlc層；

121：第1區(qū)域；

122：第2區(qū)域；

123：第3區(qū)域；

123a：部分區(qū)域；

129：固形物；

130：電子元件；

131：支撐層；

132：障壁層；

133：tft電路層；

200：層疊體。

具體實(shí)施方式

以下，一面參照附圖，一面對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說明。在附圖中對具有同樣的構(gòu)成及功能的部分標(biāo)注相同的符號，并省略重復(fù)說明。再者，以下的實(shí)施例是將本發(fā)明加以具體化的一例，并非限定本發(fā)明的技術(shù)范圍的事例。另外，在附圖中，為了容易理解，有時(shí)將各部的尺寸或數(shù)量加以夸張或簡化來圖示。

＜1實(shí)施例＞

＜1.1電子元件制造處理的整體的流程＞

圖1～圖4是示意性地表示制造電子元件130的過程的側(cè)面圖。以下，一面參照各圖，一面對制造電子元件130時(shí)的整體的流程進(jìn)行說明。

首先，作為基層110，例如準(zhǔn)備厚度為0.5mm～1.1mm的玻璃基板等剛性材料。然后，一面向未圖示的腔室內(nèi)供給含有氫的氣體，一面在該腔室內(nèi)在基層110的一方向側(cè)形成dlc層120(dlc層形成步驟：圖2)。在dlc層形成步驟中，例如一面供給乙炔氣一面進(jìn)行使用等離子的化學(xué)蒸鍍處理(以下，稱為等離子化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition，cvd)處理)，由此形成具有1nm～500nm的膜厚的dlc層120。此處，所謂dlc層120，是指非晶質(zhì)的碳層。

另外，在dlc層形成步驟中，調(diào)整相對于供給至基層110的一方向側(cè)的碳的供給量的氫的供給量的比率。由此，也調(diào)整dlc層120中的氫含有率。與包含其他原材料的層(例如，非晶硅層)相比，dlc層120的氫含有率的可調(diào)整范圍廣，例如在0～50％的范圍內(nèi)調(diào)整dlc層120中的氫含有率。

在如本實(shí)施例般，在形成dlc層120的階段使層中含有氫的實(shí)現(xiàn)方式中，與向形成后的層中注入氫離子的實(shí)現(xiàn)方式(例如，日本專利特開2004-335968號公報(bào)中所記載的實(shí)現(xiàn)方式)相比，處理時(shí)間得到縮短。另外，在本實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)方式中，如其后在＜1.2dlc層形成步驟的處理例＞中所述般，可精密地調(diào)整dlc層120中的氫含有率。

繼而，在dlc層120的所述一方向側(cè)形成電子元件130(電子元件形成步驟：圖3)。以下，作為一例，對電子元件130為依次層疊有支撐層131、障壁層132、及薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)電路層133的tft元件的情況進(jìn)行說明。

在此情況下，首先通過狹縫涂布法等方法來將聚酰胺酸的溶液涂布在dlc層120上，并在350℃以上的溫度下對該溶液進(jìn)行煅燒。由此，聚酰胺酸的溶液進(jìn)行酰亞胺化，而在dlc層120上形成聚酰亞胺的支撐層131。然后，在該支撐層131上，例如通過等離子cvd處理來使氮化硅膜等障壁層132成膜。進(jìn)而，經(jīng)過陣列工序(arrayprocess)而在該障壁層132上形成tft電路層133。由此，可獲得具有基層110與dlc層120及電子元件130的層疊體200。

若如本實(shí)施例般基層110具有剛性，則即便在電子元件130具有柔性的情況下，生成層疊體200的過程的中間體作為整體也具有剛性。因此，可對形狀穩(wěn)定的中間體執(zhí)行用以形成電子元件130的各處理，而可形成具有良好的電特性的電子元件130。

然后，使dlc層120中的氫成分進(jìn)行氣化，由此從基層110上剝離電子元件130(剝離步驟：圖4)。具體而言，例如從基層110側(cè)對層疊體200執(zhí)行xe閃光燈退火?；鶎?10如所述般包含玻璃，而使xe閃光燈所發(fā)出的光線透過。因此，對dlc層120進(jìn)行幾毫秒加熱后dlc層120中的氫成分進(jìn)行氣化，而從基層110上剝離電子元件130。

剝離后的電子元件130經(jīng)過其后的處理而得以制品化。在本實(shí)施例中，電子元件130的支撐層131包含聚酰亞胺，由此可獲得柔性的電子元件130。另外，剝離后的基層110作為用以制造后續(xù)的電子元件130的基層而得到再利用。

再者，如圖4所示，剝離步驟后也存在dlc的固形物129以附著的狀態(tài)殘留在基層110的一方向側(cè)(圖示上側(cè))及電子元件130的另一方向側(cè)(圖示下側(cè))的情況。在此情況下，視需要執(zhí)行去除固形物129的去除處理。當(dāng)對附著在基層110上的固形物129進(jìn)行去除處理時(shí)，例如進(jìn)行使氧等離子作用于固形物129來將dlc中的碳成分氣化成二氧化碳的等離子清洗處理。

＜1.2dlc層形成步驟的處理例＞

如上所述，dlc層作為通過使該層中的氫成分進(jìn)行氣化而從基層110上剝離電子元件130的剝離層發(fā)揮功能。

在本實(shí)施例中，在dlc層形成步驟中，以相對于供給至基層110的一方向側(cè)的碳的供給量的氫的供給量的比率經(jīng)時(shí)地變化的方式進(jìn)行調(diào)整。具體而言，例如準(zhǔn)備可供給至進(jìn)行等離子cvd處理的腔室內(nèi)的多種氣體，并適宜地調(diào)整所述多種氣體的供給量，由此調(diào)整所述比率。其結(jié)果，dlc層形成步驟中所形成的dlc層120中的氫含有率得到調(diào)整，在其后的剝離步驟中可從基層110上良好地剝離電子元件130。

圖5是示意性地表示dlc層120的擴(kuò)大側(cè)面圖。

在dlc層形成步驟中，首先，形成位于dlc層120中的厚度方向上的基層110側(cè)的第1區(qū)域121(前期步驟)。其次，形成位于dlc層120中的厚度方向上的中央側(cè)的第2區(qū)域122(中期步驟)。最后，形成位于dlc層120中的厚度方向上的電子元件130側(cè)的第3區(qū)域123(后期步驟)。

以下，一面參照圖5及后述的圖6～圖10，一面對dlc層形成步驟的5個(gè)處理例進(jìn)行說明。

＜1.2.1第1處理例＞

圖6是表示第1處理例的dlc層120的膜厚與氫含有率的關(guān)系的圖表。

在第1處理例中，以相對于供給至基層110的一方向側(cè)的碳的供給量的氫的供給量的比率在后期步驟中高于中期步驟的方式進(jìn)行調(diào)整。更具體而言，以所述比率按照前期步驟、中期步驟、后期步驟的順序階段性地增加的方式進(jìn)行調(diào)整。其結(jié)果，在第1處理例中所形成的dlc層120中，第2區(qū)域122中的氫含有率高于第1區(qū)域121中的氫含有率，且第3區(qū)域123中的氫含有率高于第2區(qū)域122中的氫含有率。

因此，若在剝離步驟中對dlc層120執(zhí)行閃光燈退火，則在dlc層120中的氫含有率相對高的第3區(qū)域123中，相對多的氫進(jìn)行氣化。其結(jié)果，進(jìn)一步促進(jìn)電子元件130側(cè)的剝離，dlc的固形物129難以附著在剝離后的電子元件130上。

＜1.2.2第2處理例＞

圖7是表示第2處理例的dlc層120的膜厚與氫含有率的關(guān)系的圖表。

在第2處理例中，以相對于供給至基層110的一方向側(cè)的碳的供給量的氫的供給量的比率在前期步驟中高于中期步驟的方式進(jìn)行調(diào)整。更具體而言，以所述比率按照前期步驟、中期步驟、后期步驟的順序階段性地減少的方式進(jìn)行調(diào)整。其結(jié)果，在第2處理例中所形成的dlc層120中，第2區(qū)域122中的氫含有率高于第3區(qū)域123中的氫含有率，且第1區(qū)域121中的氫含有率高于第2區(qū)域122中的氫含有率。

因此，若在剝離步驟中對dlc層120執(zhí)行閃光燈退火，則在dlc層120中的氫含有率相對高的第1區(qū)域121中，相對多的氫進(jìn)行氣化。其結(jié)果，進(jìn)一步促進(jìn)基層110側(cè)的剝離，dlc的固形物129難以附著在剝離后的基層110上。

＜1.2.3第3處理例＞

圖8是表示第3處理例的dlc層120的膜厚與氫含有率的關(guān)系的圖表。

在第3處理例中，以相對于供給至基層110的一方向側(cè)的碳的供給量的氫的供給量的比率在前期步驟及后期步驟中高于中期步驟的方式進(jìn)行調(diào)整。更具體而言，以所述比率在從前期步驟過渡至中期步驟時(shí)減少，從中期步驟過渡至后期步驟時(shí)再次增加的方式進(jìn)行調(diào)整。其結(jié)果，在第3處理例中所形成的dlc層120中，第1區(qū)域121及第3區(qū)域123中的氫含有率高于第2區(qū)域122中的氫含有率。

因此，若在剝離步驟中對dlc層120執(zhí)行閃光燈退火，則在dlc層120中的氫含有率相對高的第1區(qū)域121及第3區(qū)域123中，相對多的氫進(jìn)行氣化。其結(jié)果，進(jìn)一步促進(jìn)基層110側(cè)及電子元件130側(cè)的剝離，dlc的固形物129難以附著在剝離后的基層110及電子元件130上。

＜1.2.4第4處理例＞

圖9是表示第4處理例的dlc層120的膜厚與氫含有率的關(guān)系的圖表。

在第4處理例中，與第1處理例同樣地，以相對于供給至基層110的一方向側(cè)的碳的供給量的氫的供給量的比率在后期步驟中高于中期步驟的方式進(jìn)行調(diào)整。再者，在第4處理例中，與第1處理例不同，以所述比率按照前期步驟、中期步驟、后期步驟的順序在各步驟內(nèi)也增加的方式進(jìn)行調(diào)整。其結(jié)果，在第4處理例中所形成的dlc層120中，第2區(qū)域122中的氫含有率高于第1區(qū)域121中的氫含有率，且第3區(qū)域123中的氫含有率高于第2區(qū)域122中的氫含有率。尤其在第3區(qū)域123內(nèi)，越靠近電子元件130側(cè)，氫含有率也變得越高。

因此，若在剝離步驟中對dlc層120執(zhí)行閃光燈退火，則在dlc層120中的氫含有率相對高的第3區(qū)域123(特別是第3區(qū)域123內(nèi)靠近電子元件130的部分)中，相對多的氫進(jìn)行氣化。其結(jié)果，進(jìn)一步促進(jìn)電子元件130側(cè)的剝離，dlc的固形物129難以附著在剝離后的電子元件130上。

＜1.2.5第5處理例＞

圖10是表示第5處理例的dlc層120的膜厚與氫含有率的關(guān)系的圖表。

在第5處理例中，與第1處理例同樣地，以相對于供給至基層110的一方向側(cè)的碳的供給量的氫的供給量的比率在后期步驟中高于中期步驟的方式進(jìn)行調(diào)整。再者，在第5處理例中，與第1處理例不同，以除了后期步驟的一部分以外，所述比率在各步驟中成為固定的方式進(jìn)行調(diào)整，并以僅在后期步驟的一部分中增加的方式進(jìn)行調(diào)整。其結(jié)果，在第5處理例中所形成的dlc層120中，第3區(qū)域123中的氫含有率高于第1區(qū)域121及第2區(qū)域122中的氫含有率。尤其在第3區(qū)域123內(nèi)的部分區(qū)域123a(對應(yīng)于所述后期步驟的一部分的區(qū)域)中，氫含有率變高。

因此，若在剝離步驟中對dlc層120執(zhí)行閃光燈退火，則在dlc層120中的氫含有率相對高的第3區(qū)域123(特別是部分區(qū)域123a)中，相對多的氫進(jìn)行氣化。其結(jié)果，進(jìn)一步促進(jìn)電子元件130側(cè)的剝離，dlc的固形物129難以附著在剝離后的電子元件130上。

另外，在第5處理例中，如圖10所示，從電子元件130隔開間隔來設(shè)置部分區(qū)域123a。因此，即便在部分區(qū)域123a中相對多的氫進(jìn)行氣化，其影響也不會(huì)直接到達(dá)電子元件130的底面(圖4中所示的下側(cè)的面)。因此，抑制電子元件130的底面因部分區(qū)域123a中相對多的氫進(jìn)行氣化而受到損害。

＜2變形例＞

以上，對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了說明，但只要不脫離其主旨，則該發(fā)明除了所述實(shí)施例以外，也可進(jìn)行各種變更。

在所述實(shí)施例中，對電子元件130為tft元件的情況進(jìn)行了說明，但并不限定于此。除了tft元件以外，電子元件130也可以包含el顯示裝置等各種元件。

另外，在所述實(shí)施例中，對電子元件130的支撐層131包含聚酰亞胺層的實(shí)現(xiàn)方式進(jìn)行了說明，但并不限定于此。支撐層131可包含聚酰亞胺以外的有機(jī)樹脂層，另外，作為其他例，也可以包含比基層110薄的玻璃基板(例如，0.1mm～0.2mm)。

另外，在所述實(shí)施例中，對在dlc層形成步驟中進(jìn)行等離子cvd處理的實(shí)現(xiàn)方式進(jìn)行了說明，但并不限定于此。在dlc層形成步驟中，也可以執(zhí)行等離子cvd處理以外的處理，例如化學(xué)蒸鍍處理、離子束蒸鍍處理、陰極電弧蒸鍍處理、或?yàn)R鍍處理等。

例如，當(dāng)通過濺鍍處理來進(jìn)行dlc層形成步驟時(shí)，使氬離子碰撞靶材的碳，由此靶材的粒子堆積在基層110上而形成dlc層120。因此，在濺鍍處理中，可形成氫含有率低的dlc層120。

另一方面，當(dāng)通過等離子cvd處理來進(jìn)行dlc層形成步驟時(shí)，使用含有碳成分與氫成分的處理氣體(例如，乙炔)，并通過化學(xué)作用來使氣體中的粒子堆積在基層110上而形成dlc層120。因此，在等離子cvd處理中，只要調(diào)整等離子強(qiáng)度或處理氣體的成分比，便能夠以范圍廣的氫含有率選擇性地形成dlc層120。

另外，在所述實(shí)施例中，對第1處理例至第5處理例進(jìn)行了說明，但這些處理例僅為可應(yīng)用本發(fā)明的處理的例示，也可以進(jìn)行其他處理。例如，在圖10所示的第5處理例中，在第3區(qū)域123中設(shè)置有氫含有率局部高的區(qū)域(部分區(qū)域123a)，但也可以在第1區(qū)域121中設(shè)置氫含有率局部高的區(qū)域(與部分區(qū)域123a相同的區(qū)域)。

另外，在第1處理例至第5處理例的任一者中，均對以相對于供給至基層110的一方向側(cè)的碳的供給量的氫的供給量的比率在前期步驟及后期步驟中的至少一個(gè)步驟中高于中期步驟的方式進(jìn)行調(diào)整的情況進(jìn)行了說明。即，對第1區(qū)域121及第3區(qū)域123中的至少一個(gè)區(qū)域中的氫含有率高于第2區(qū)域122中的氫含有率的dlc層120進(jìn)行了說明。并不限定于此，也能夠以所述比率在中期步驟中高于前期步驟或后期步驟的方式進(jìn)行調(diào)整。在此情況下，可獲得第2區(qū)域122中的氫含有率高于第1區(qū)域121或第3區(qū)域123中的氫含有率的dlc層120。另外，作為其他例，也能夠以所述比率在前期步驟、中期步驟、及后期步驟中成為固定的方式進(jìn)行調(diào)整。在此情況下，可獲得第1區(qū)域121、第2區(qū)域122、及第3區(qū)域123中的氫含有率固定的dlc層120。

另外，在所述實(shí)施例中，對在剝離步驟中從基層110側(cè)對層疊體200執(zhí)行xe閃光燈退火的實(shí)現(xiàn)方式進(jìn)行了說明，但并不限定于此。例如，也可以是在剝離步驟中從基層110側(cè)對層疊體200照射激光的實(shí)現(xiàn)方式。在此情況下，激光的照射區(qū)域?yàn)閐lc層120的整個(gè)面的一部分，但通過對所述整個(gè)面掃描激光，在dlc層120的整個(gè)面中，層中的氫成分進(jìn)行氣化，而從基層110上剝離電子元件130。

再者，在執(zhí)行閃光燈退火的實(shí)現(xiàn)方式中，可對dlc層120的基層110側(cè)的整個(gè)面進(jìn)行加熱，與照射激光的實(shí)現(xiàn)方式不同，不需要所述掃描，因此可縮短剝離步驟所需的時(shí)間。另外，在執(zhí)行閃光燈退火的實(shí)現(xiàn)方式中，與照射激光的實(shí)現(xiàn)方式不同，因輸出功率高而對支撐層131(進(jìn)而，電子元件130)造成損害之虞小。

以上，對實(shí)施例及其變形例的電子元件的制造方法及層疊體進(jìn)行了說明，但這些是本發(fā)明中優(yōu)選的實(shí)施例的例子，并不限定本發(fā)明的實(shí)施范圍。本發(fā)明可在所述發(fā)明的范圍內(nèi)進(jìn)行各實(shí)施例的自由的組合、或各實(shí)施例的任意的構(gòu)成要素的變形、或各實(shí)施例中任意的構(gòu)成要素的增減。