本發(fā)明涉及晶片的加工方法。

背景技術(shù)：

已知當(dāng)利用切削刀具對(duì)例如厚度為300μm以上的厚度較厚的晶片進(jìn)行切割時(shí)，會(huì)大幅產(chǎn)生背面崩邊。因此，為了抑制背面崩邊，提出了一種叫做sdbg(stealthdicingbeforegrinding：先隱形切割后減薄)法的加工方法。sdbg法是組合了激光加工方法和磨削方法的技術(shù)。更詳細(xì)地說(shuō)，是如下技術(shù)：首先對(duì)晶片照射對(duì)于晶片具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的激光束而沿著分割預(yù)定線在規(guī)定的深度的位置(從晶片的正面起的深度相當(dāng)于器件芯片的完工厚度以上的位置)形成改質(zhì)層，并且形成從改質(zhì)層朝向晶片的正面?zhèn)壬扉L(zhǎng)的裂紋層。之后，對(duì)晶片的背面進(jìn)行磨削而將晶片薄化至完工厚度，并且通過(guò)磨削壓力以裂紋層為分割起點(diǎn)將晶片分割成各個(gè)器件芯片(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

專利文獻(xiàn)1：國(guó)際公開(kāi)第2003/077295號(hào)

但是，當(dāng)利用激光加工裝置在晶片上形成改質(zhì)層之后，在利用搬送單元將晶片搬送至磨削裝置時(shí)，晶片因受改質(zhì)層形成之后伸長(zhǎng)的裂紋層的影響而較大地翹曲，存在搬送困難的擔(dān)心。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于，提供晶片的加工方法，能夠減少改質(zhì)層形成后的晶片的翹曲并能夠進(jìn)行搬送。

為了解決上述的課題并達(dá)成目的，本發(fā)明的晶片的加工方法對(duì)在正面上具有器件區(qū)域和圍繞該器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域的晶片進(jìn)行加工，該器件區(qū)域形成有多個(gè)器件和多條分割預(yù)定線，其中，該晶片的加工方法具有如下的步驟：保護(hù)帶粘貼步驟，在該晶片的正面?zhèn)日迟N保護(hù)帶；環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟，在實(shí)施了該保護(hù)帶粘貼步驟之后，通過(guò)磨削單元將與該器件區(qū)域?qū)?yīng)的背面磨削至第1厚度，在與該外周剩余區(qū)域?qū)?yīng)的背面形成環(huán)狀的加強(qiáng)部；改質(zhì)層形成步驟，在實(shí)施了該環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟之后，將對(duì)于該晶片具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的激光束定位在該晶片的該器件區(qū)域的內(nèi)部而從該晶片的背面沿著該分割預(yù)定線在該晶片的該器件區(qū)域的內(nèi)部形成改質(zhì)層；以及磨削步驟，在實(shí)施了該改質(zhì)層形成步驟之后，從該晶片的背面通過(guò)磨削單元進(jìn)行磨削而將晶片薄化至完工厚度，并且通過(guò)磨削動(dòng)作以所述改質(zhì)層為起點(diǎn)沿著所述分割預(yù)定線對(duì)該晶片進(jìn)行分割。

并且，在晶片的加工方法中，優(yōu)選還具有如下的環(huán)狀切削槽形成步驟：在實(shí)施該保護(hù)帶粘貼步驟之前，將該晶片的背面?zhèn)任３衷谶M(jìn)行旋轉(zhuǎn)的卡盤(pán)工作臺(tái)上，從該晶片的正面?zhèn)壤们邢鞯毒咔腥朐撏庵苁Ｓ鄥^(qū)域與該器件區(qū)域的邊界直到到達(dá)該第1厚度，并使該卡盤(pán)工作臺(tái)旋轉(zhuǎn)而在該外周剩余區(qū)域與該器件區(qū)域的邊界形成環(huán)狀的切削槽。

根據(jù)本申請(qǐng)發(fā)明的晶片的加工方法，能夠減少改質(zhì)層形成后的晶片的翹曲并能夠進(jìn)行搬送。

附圖說(shuō)明

圖1是第一實(shí)施方式的晶片的加工方法的流程圖。

圖2是示出第一實(shí)施方式的晶片的加工方法的保護(hù)帶粘貼步驟中的晶片的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。

圖3是示出第一實(shí)施方式的晶片的加工方法的環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟中的磨削單元周邊的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。

圖4是示出第一實(shí)施方式的晶片的加工方法的改質(zhì)層形成步驟中的激光加工單元周邊的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。

圖5是示出第一實(shí)施方式的晶片的加工方法的磨削步驟中的磨削單元周邊的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。

圖6是示出第一實(shí)施方式的晶片的加工方法的磨削步驟中的晶片的結(jié)構(gòu)例的放大剖視圖。

圖7是示出第一實(shí)施方式的晶片的加工方法的磨削步驟中的磨削單元周邊的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。

圖8是第二實(shí)施方式的晶片的加工方法的流程圖。

圖9是示出第二實(shí)施方式的晶片的加工方法的環(huán)狀切削槽形成步驟中的切削單元周邊的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。

圖10是示出第二實(shí)施方式的晶片的加工方法的保護(hù)帶粘貼步驟中的晶片的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。

圖11是示出第二實(shí)施方式的晶片的加工方法的環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟中的磨削單元周邊的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。

圖12是示出第二實(shí)施方式的晶片的加工方法的改質(zhì)層形成步驟中的激光加工單元周邊的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。

圖13是示出第二實(shí)施方式的晶片的加工方法的磨削步驟中的磨削單元周邊的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。

圖14是示出第二實(shí)施方式的晶片的加工方法的磨削步驟中的磨削單元周邊的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明

20：磨削裝置；21：卡盤(pán)工作臺(tái)；30：第一磨削單元(磨削單元)；31：磨削磨具；40：第二磨削單元(磨削單元)；41：磨削磨具；50：激光加工裝置；51：卡盤(pán)工作臺(tái)；52：激光束照射單元；60：切削裝置；61：卡盤(pán)工作臺(tái)；62：切削單元(切削刀具)；c：裂紋；d：切削槽；k：改質(zhì)層；l：激光束；t1：第1厚度；t2：完工厚度；t：保護(hù)帶；w：晶片；wa：器件區(qū)域；wb：外周剩余區(qū)域；wc：加強(qiáng)部；wd：邊界；wr：背面；ws：正面。

具體實(shí)施方式

以下，一邊參照附圖一邊對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。本發(fā)明并不僅限于以下的實(shí)施方式中記載的內(nèi)容。并且，在以下所記載的構(gòu)成要素中，包含本技術(shù)領(lǐng)域人員所能夠容易想到的、實(shí)際上相同的構(gòu)成要素。進(jìn)而，能夠?qū)σ韵滤涊d的結(jié)構(gòu)進(jìn)行適當(dāng)組合。并且，能夠在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行結(jié)構(gòu)的各種省略、置換或變更。

〔第一實(shí)施方式〕

圖1是第一實(shí)施方式的晶片的加工方法的流程圖。圖2是示出第一實(shí)施方式的晶片的加工方法的保護(hù)帶粘貼步驟中的晶片的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。圖3是示出第一實(shí)施方式的晶片的加工方法的環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟中的磨削單元周邊的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。圖4是示出第一實(shí)施方式的晶片的加工方法的改質(zhì)層形成步驟中的激光加工單元周邊的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。圖5是示出第一實(shí)施方式的晶片的加工方法的磨削步驟中的磨削單元周邊的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。圖6是示出第一實(shí)施方式的晶片的加工方法的磨削步驟中的晶片的結(jié)構(gòu)例的放大剖視圖。圖7是示出第一實(shí)施方式的晶片的加工方法的磨削步驟中的磨削單元周邊的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。

本實(shí)施方式的晶片的加工方法對(duì)在正面上具有形成有多個(gè)器件和多條分割預(yù)定線的器件區(qū)域和圍繞器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域的晶片w進(jìn)行加工。如圖1所示，關(guān)于晶片的加工方法，按照保護(hù)帶粘貼步驟s11、環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟s12、改質(zhì)層形成步驟s13、磨削步驟s14的順序執(zhí)行處理。

首先，實(shí)施保護(hù)帶粘貼步驟s11。如圖2所示，在保護(hù)帶粘貼步驟s11中，在晶片w的正面ws側(cè)粘貼保護(hù)帶t。更詳細(xì)地說(shuō)，在保護(hù)帶粘貼步驟s11中，將形成有晶片w的器件的正面ws與保護(hù)帶t的粘著層ta重疊，一邊通過(guò)輥10進(jìn)行按壓，一邊在晶片w的正面ws整個(gè)面上粘貼保護(hù)帶t。然后，將粘貼著保護(hù)帶t的晶片w收納在未圖示的提供/回收盒中。然后，通過(guò)未圖示的移送機(jī)構(gòu)或操作人員將提供/回收盒移送并收納到磨削裝置20中。

在實(shí)施了保護(hù)帶粘貼步驟s11之后，實(shí)施環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟s12。在環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟s12中，使用磨削裝置20的第一磨削單元30。

圖3所示的磨削裝置20具有對(duì)晶片w進(jìn)行吸附保持的卡盤(pán)工作臺(tái)21。卡盤(pán)工作臺(tái)21由多孔質(zhì)材料形成，該多孔質(zhì)材料具有在板厚方向上貫通的多個(gè)細(xì)小的吸引孔?？ūP(pán)工作臺(tái)21可以利用真空卡盤(pán)系統(tǒng)對(duì)晶片w進(jìn)行吸附保持，也可以使用其他方法來(lái)進(jìn)行保持?？ūP(pán)工作臺(tái)21例如設(shè)置在圓盤(pán)狀的旋轉(zhuǎn)自如的旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)上而能夠進(jìn)行位置變位?？ūP(pán)工作臺(tái)21被旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)置成能夠獨(dú)自在一個(gè)方向或兩個(gè)方向上旋轉(zhuǎn)。在本實(shí)施方式中，磨削裝置20具有第一磨削單元30和第二磨削單元40。

第一磨削單元30與卡盤(pán)工作臺(tái)21對(duì)置。第一磨削單元30借助未圖示的支承機(jī)構(gòu)被安裝成在上下方向自由升降。第一磨削單元30在磨削裝置20的規(guī)定的粗磨削位置處與卡盤(pán)工作臺(tái)21對(duì)置并借助未圖示的支承機(jī)構(gòu)被安裝成在上下方向自由升降，能夠通過(guò)由滾珠絲杠、滾珠螺母和電動(dòng)機(jī)等構(gòu)成的未圖示的進(jìn)給驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)來(lái)使第一磨削單元30升降從而進(jìn)行磨削進(jìn)給。第一磨削單元30具有呈環(huán)狀固定的多個(gè)分段狀的磨削磨具31等。為了在整個(gè)面的區(qū)域內(nèi)對(duì)與器件區(qū)域wa對(duì)應(yīng)的晶片w的背面wr進(jìn)行磨削，磨削磨具31的旋轉(zhuǎn)直徑大致為晶片w的直徑的一半。

在環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟s12中，通過(guò)磨削裝置20的第一磨削單元30將與器件區(qū)域wa對(duì)應(yīng)的背面wr磨削至第1厚度t1，并在與外周剩余區(qū)域wb對(duì)應(yīng)的背面wr形成環(huán)狀的加強(qiáng)部wc。在環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟s12中，將晶片w的正面ws側(cè)保持在卡盤(pán)工作臺(tái)21上，利用第一磨削單元30殘留出加強(qiáng)部wc而將與器件區(qū)域wa對(duì)應(yīng)的晶片w的背面wr磨削成凹狀(大鼓狀)。更詳細(xì)地說(shuō)，首先，從提供/回收盒取出1張晶片w而利用未圖示的搬送單元的搬送墊對(duì)晶片w進(jìn)行吸引保持，以晶片w的背面wr側(cè)朝上的狀態(tài)將晶片w的正面ws側(cè)載置在卡盤(pán)工作臺(tái)21上。然后，將磨削磨具31定位在與器件區(qū)域wa對(duì)應(yīng)的晶片w的背面wr。此時(shí)，將配置在徑向最外側(cè)的磨削磨具31的磨具位置定位在比晶片w的外周按照加強(qiáng)部wc的寬度的量靠徑向內(nèi)側(cè)的位置。然后，一邊使磨削磨具31旋轉(zhuǎn)一邊朝向下方進(jìn)行加工進(jìn)給，將磨削磨具31按壓在晶片w的背面wr。由于卡盤(pán)工作臺(tái)21也被旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，所以被吸附保持的晶片w也旋轉(zhuǎn)。然后，使第一磨削單元30朝向下方加工進(jìn)給而對(duì)與器件區(qū)域wa對(duì)應(yīng)的晶片w的背面wr進(jìn)行磨削，直到與器件區(qū)域wa對(duì)應(yīng)的晶片w的厚度成為第1厚度t1。當(dāng)與器件區(qū)域wa對(duì)應(yīng)的晶片w的厚度成為第1厚度t1時(shí)，停止第一磨削單元30朝向下方的加工進(jìn)給。這樣，在環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟s12中，晶片w被磨削成在與圍繞器件區(qū)域wa的外周剩余區(qū)域wb對(duì)應(yīng)的背面wr上殘留有環(huán)狀的加強(qiáng)部wc。利用搬送單元的搬送墊對(duì)磨削后的晶片w進(jìn)行吸引保持而收納在提供/回收盒中。然后，通過(guò)未圖示的移送機(jī)構(gòu)或操作人員將提供/回收盒移送并收納到激光加工裝置50中。

在實(shí)施了環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟s12之后，實(shí)施改質(zhì)層形成步驟s13。在改質(zhì)層形成步驟s13中，使用激光加工裝置50。

圖4所示的激光加工裝置50對(duì)晶片w照射激光束l。激光加工裝置50具有：卡盤(pán)工作臺(tái)51，其對(duì)晶片w進(jìn)行保持；激光束照射單元52，其對(duì)保持在卡盤(pán)工作臺(tái)51上的晶片w照射對(duì)于晶片w具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的激光束l而在晶片w的內(nèi)部形成改質(zhì)層k；以及未圖示的移動(dòng)單元，其使卡盤(pán)工作臺(tái)51和激光束照射單元52相對(duì)地移動(dòng)。

在改質(zhì)層形成步驟s13中，將對(duì)于晶片w具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的激光束l定位在晶片w的器件區(qū)域wa的內(nèi)部而從晶片w的背面wr沿著分割預(yù)定線在晶片w的器件區(qū)域wa的內(nèi)部形成改質(zhì)層k。

在改質(zhì)層形成步驟s13中，從提供/回收盒取出1張晶片w而利用未圖示的搬送單元的搬送墊對(duì)晶片w進(jìn)行吸引保持，以晶片w的背面wr側(cè)朝上的狀態(tài)將晶片w的正面ws側(cè)載置在激光加工裝置50的卡盤(pán)工作臺(tái)51上，并利用卡盤(pán)工作臺(tái)51對(duì)晶片w的正面ws側(cè)進(jìn)行吸引保持。之后，激光加工裝置50的未圖示的對(duì)準(zhǔn)單元完成加工位置的對(duì)準(zhǔn)。然后，一邊通過(guò)移動(dòng)單元使卡盤(pán)工作臺(tái)51與激光束照射單元52相對(duì)地移動(dòng)，一邊使聚光點(diǎn)從晶片w的背面wr對(duì)位在晶片w的內(nèi)部而沿著分割預(yù)定線照射對(duì)于晶片w具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的激光束l。然后，沿著分割預(yù)定線在晶片w的內(nèi)部形成改質(zhì)層k。這樣，在改質(zhì)層形成步驟s13中，沿著全部的分割預(yù)定線在晶片w的內(nèi)部形成改質(zhì)層k。利用搬送單元的搬送墊對(duì)形成改質(zhì)層k的晶片w進(jìn)行吸引保持而收納在提供/回收盒中。然后，通過(guò)移送機(jī)構(gòu)或操作人員將提供/回收盒移送并收納到磨削裝置20中。

改質(zhì)層形成步驟s13中的激光加工裝置50的加工條件的一例按照以下方式進(jìn)行。

光源：yag脈沖激光

平均輸出：1.7w

重復(fù)頻率：90khz

進(jìn)給速度：700mm/s

改質(zhì)層k是指密度、折射率、機(jī)械強(qiáng)度和其他的物理特性與周?chē)煌臓顟B(tài)的區(qū)域，能夠例示出熔融處理區(qū)域、裂紋區(qū)域、絕緣破壞區(qū)域、折射率變化區(qū)域以及混合了這些區(qū)域的區(qū)域等。

在實(shí)施了改質(zhì)層形成步驟s13之后，實(shí)施磨削步驟s14。在磨削步驟s14中，使用磨削裝置20的第二磨削單元40。

圖5所示的第二磨削單元40構(gòu)成為與第一磨削單元30同樣。對(duì)第二磨削單元40的各構(gòu)成要素賦予與第一磨削單元30的各構(gòu)成要素對(duì)應(yīng)的標(biāo)號(hào)并省略詳細(xì)的說(shuō)明。

在磨削步驟s14中，如圖5所示，從晶片w的背面wr通過(guò)第二磨削單元40進(jìn)行磨削并薄化至完工厚度t2(參照?qǐng)D7)，并且使如圖6所示通過(guò)磨削動(dòng)作而產(chǎn)生的以改質(zhì)層k為起點(diǎn)的裂紋c一直產(chǎn)生到晶片w的正面ws側(cè)，由此，沿著分割預(yù)定線對(duì)晶片w進(jìn)行分割。在磨削步驟s14中，將晶片w的正面ws側(cè)保持在卡盤(pán)工作臺(tái)21上，并利用第二磨削單元40對(duì)與加強(qiáng)部wc對(duì)應(yīng)的晶片w的背面wr進(jìn)行磨削。更詳細(xì)地說(shuō)，首先，從提供/回收盒取出1張晶片w而利用搬送單元的搬送墊對(duì)晶片w進(jìn)行吸引保持，以晶片w的背面wr側(cè)朝上的狀態(tài)將晶片w的正面ws側(cè)載置在卡盤(pán)工作臺(tái)21上。然后，將磨削磨具41定位在與加強(qiáng)部wc對(duì)應(yīng)的晶片w的背面wr。此時(shí)，將配置在徑向最外側(cè)的磨削磨具41的磨具位置定位在比晶片w的外周靠徑向外側(cè)的位置。然后，一邊使磨削磨具41旋轉(zhuǎn)一邊朝向下方進(jìn)行加工進(jìn)給，將磨削磨具41按壓在晶片w的背面wr。由于卡盤(pán)工作臺(tái)21也被旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，所以被吸附保持的晶片w也旋轉(zhuǎn)。然后，如圖7所示，使第二磨削單元40朝向下方加工進(jìn)給而對(duì)與加強(qiáng)部wc對(duì)應(yīng)的晶片w的背面wr進(jìn)行磨削，直到加強(qiáng)部wc被去除且晶片w的厚度成為完工厚度t2。當(dāng)與器件區(qū)域wa對(duì)應(yīng)的晶片w的厚度成為完工厚度t2時(shí)，停止第二磨削單元40朝向下方的加工進(jìn)給。這樣，在磨削步驟s14中，晶片w被磨削至完工厚度t2而將加強(qiáng)部wc去除。利用搬送單元的搬送墊對(duì)加工后的晶片w進(jìn)行吸引保持而收納在提供/回收盒中。

在磨削步驟s14中，隨著晶片w的磨削而將磨削磨具41按壓在晶片w的背面wr，由此，如圖6所示，以改質(zhì)層k為起點(diǎn)的裂紋c一直產(chǎn)生到晶片w的正面ws側(cè)。裂紋c以改質(zhì)層k為起點(diǎn)伸長(zhǎng)到晶片w的正面ws側(cè)。進(jìn)而換言之，裂紋c沿著分割預(yù)定線形成。

通過(guò)實(shí)施這樣的保護(hù)帶粘貼步驟s11、環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟s12、改質(zhì)層形成步驟s13、磨削步驟s14，由于在利用環(huán)狀的加強(qiáng)部wc來(lái)加強(qiáng)晶片w的狀態(tài)下實(shí)施改質(zhì)層形成步驟s13和磨削步驟s14，所以能夠減少改質(zhì)層k形成后的晶片w的翹曲并能夠進(jìn)行搬送。

如以上那樣，根據(jù)本實(shí)施方式的晶片的加工方法，對(duì)于在環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟s12中殘留出加強(qiáng)部wc被磨削成凹狀(大鼓狀)的晶片w，在改質(zhì)層形成步驟s13中，利用激光加工裝置50來(lái)形成改質(zhì)層k。因此，當(dāng)在改質(zhì)層形成步驟s13中形成改質(zhì)層k之后，即使裂紋c從改質(zhì)層k伸長(zhǎng)，也能夠通過(guò)環(huán)狀的加強(qiáng)部wc來(lái)加強(qiáng)晶片w，因此減少了晶片w的翹曲。

由于減少了晶片w的翹曲，所以在改質(zhì)層形成步驟s13之后，在為了在磨削步驟s14中進(jìn)行磨削而將晶片w從激光加工裝置50搬送到第二磨削單元40時(shí)，能夠通過(guò)例如以吸引保持著晶片的狀態(tài)進(jìn)行搬送的搬送單元等各種搬送單元來(lái)進(jìn)行搬送。在晶片w的翹曲較大的情況下，需要為翹曲準(zhǔn)備的特殊的治具，但根據(jù)本實(shí)施方式的晶片的加工方法，由于減少了晶片w的翹曲，所以不需要那樣的特殊的治具。這樣，根據(jù)本實(shí)施方式的晶片的加工方法，能夠不用按照搬送單元的種類而容易地搬送所加工的晶片w。

〔第二實(shí)施方式〕

一邊參照?qǐng)D8至圖14一邊對(duì)本實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖8是第二實(shí)施方式的晶片的加工方法的流程圖。圖9是示出第二實(shí)施方式的晶片的加工方法的環(huán)狀切削槽形成步驟中的切削單元周邊的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。圖10是示出第二實(shí)施方式的晶片的加工方法的保護(hù)帶粘貼步驟中的晶片的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。圖11是示出第二實(shí)施方式的晶片的加工方法的環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟中的磨削單元周邊的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。圖12是示出第二實(shí)施方式的晶片的加工方法的改質(zhì)層形成步驟中的激光加工單元周邊的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。圖13是示出第二實(shí)施方式的晶片的加工方法的磨削步驟中的磨削單元周邊的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。圖14是示出第二實(shí)施方式的晶片的加工方法的磨削步驟中的磨削單元周邊的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。

關(guān)于本實(shí)施方式的晶片的加工方法，在圖1所示的流程圖中，在實(shí)施步驟s11之前實(shí)施步驟s10這一點(diǎn)上與第一實(shí)施方式的晶片的加工方法不同。在本實(shí)施方式的各步驟中使用的裝置的基本結(jié)構(gòu)與在第一實(shí)施方式的各步驟中使用的裝置同樣。在以下的說(shuō)明中，對(duì)與在第一實(shí)施方式的各步驟中使用的裝置同樣的構(gòu)成要素賦予相同的標(biāo)號(hào)或?qū)?yīng)的標(biāo)號(hào)，省略了其詳細(xì)的說(shuō)明。

如圖8所示，本實(shí)施方式的晶片的加工方法按照環(huán)狀切削槽形成步驟s10、保護(hù)帶粘貼步驟s11、環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟s12、改質(zhì)層形成步驟s13、磨削步驟s14的順序執(zhí)行處理。

首先，在保護(hù)帶粘貼步驟s11的實(shí)施之前，實(shí)施環(huán)狀切削槽形成步驟s10。在環(huán)狀切削槽形成步驟s10中，使用切削裝置60。

圖9所示的切削裝置60對(duì)晶片w進(jìn)行切削而形成環(huán)狀的切削槽d。切削裝置60具有：卡盤(pán)工作臺(tái)61，其對(duì)晶片w進(jìn)行保持；以及切削單元(切削刀具)62，其對(duì)保持在卡盤(pán)工作臺(tái)61上的晶片w進(jìn)行切削。

在環(huán)狀切削槽形成步驟s10中，從未圖示的提供/回收盒取出1張晶片w而將晶片w的背面wr側(cè)吸引保持在卡盤(pán)工作臺(tái)61上，利用切削單元62從晶片w的正面ws側(cè)切入外周剩余區(qū)域wb與器件區(qū)域wa的邊界wd直到達(dá)到第1厚度t1，使卡盤(pán)工作臺(tái)61旋轉(zhuǎn)而在外周剩余區(qū)域wb與器件區(qū)域wa的邊界wd處形成環(huán)狀的切削槽d。切削槽d的深度只要為第1厚度t1以上而未到晶片w的厚度即可。利用未圖示的搬送單元的搬送墊對(duì)切削后的晶片w進(jìn)行吸引保持而收納在提供/回收盒中。

在實(shí)施了環(huán)狀切削槽形成步驟s10之后，實(shí)施保護(hù)帶粘貼步驟s11。由此，如圖10所示，形成于晶片w的正面ws側(cè)的切削槽d被保護(hù)帶t覆蓋。然后，通過(guò)移送機(jī)構(gòu)或操作人員將提供/回收盒移動(dòng)并收納到磨削裝置20中。

在實(shí)施了保護(hù)帶粘貼步驟s11之后，實(shí)施環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟s12。在環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟s12中，首先，從提供/回收盒取出1張晶片w而利用搬送單元的搬送墊對(duì)晶片w進(jìn)行吸引保持，并將晶片w的正面ws側(cè)載置在卡盤(pán)工作臺(tái)21上。如圖11所示，將配置在徑向最外側(cè)的磨削磨具31的磨具位置定位在比晶片w的外周按照加強(qiáng)部wc的寬度的量靠徑向內(nèi)側(cè)的、與切削槽d對(duì)應(yīng)的晶片w的背面wr上。當(dāng)磨削結(jié)束且與器件區(qū)域wa對(duì)應(yīng)的晶片w的厚度成為第1厚度t1時(shí)，切削槽d在形成于晶片w的背面wr的加強(qiáng)部wc的內(nèi)側(cè)露出。這樣，在環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟s12中，當(dāng)晶片w的厚度成為第1厚度t1并形成有加強(qiáng)部wc時(shí)，外周剩余區(qū)域wb隔著切削槽d而從器件區(qū)域wa分離。此時(shí)，外周剩余區(qū)域wb借助保護(hù)帶t而與器件區(qū)域wa一起保持在卡盤(pán)工作臺(tái)21上。利用搬送單元的搬送墊對(duì)磨削后的晶片w進(jìn)行吸引保持并收納在提供/回收盒中。然后，通過(guò)移送機(jī)構(gòu)或操作人員將提供/回收盒移送并收納到激光加工裝置50中。

在實(shí)施了環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟s12之后，實(shí)施改質(zhì)層形成步驟s13。在改質(zhì)層形成步驟s13中，首先，從提供/回收盒取出1張晶片w而利用搬送單元的搬送墊對(duì)晶片w進(jìn)行吸引保持，并將晶片w的正面ws側(cè)載置在卡盤(pán)工作臺(tái)51上。然后，如圖12所示，將對(duì)于晶片w具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的激光束l定位在晶片w的器件區(qū)域wa的內(nèi)部而從晶片w的背面wr的切削槽d的內(nèi)周側(cè)沿著分割預(yù)定線在晶片w的器件區(qū)域wa的內(nèi)部形成改質(zhì)層k。這樣，在改質(zhì)層形成步驟s13中，沿著器件區(qū)域wa的、全部的分割預(yù)定線在晶片w的內(nèi)部形成改質(zhì)層k。利用搬送單元的搬送墊對(duì)形成有改質(zhì)層k的晶片w進(jìn)行吸引保持而收納在提供/回收盒中。然后，通過(guò)移送機(jī)構(gòu)或操作人員將提供/回收盒移送并收納到磨削裝置20中。

在實(shí)施了改質(zhì)層形成步驟s13之后，實(shí)施磨削步驟s14。在磨削步驟s14中，首先，從提供/回收盒取出1張晶片w而利用搬送單元的搬送墊對(duì)晶片w進(jìn)行吸引保持，并將晶片w的正面ws側(cè)載置在卡盤(pán)工作臺(tái)21上。然后，如圖13所示，從晶片w的背面wr通過(guò)第二磨削單元40進(jìn)行磨削，如圖14所示，使晶片w薄化至完工厚度t2并且使通過(guò)磨削動(dòng)作而產(chǎn)生的以改質(zhì)層k為起點(diǎn)的裂紋c一直產(chǎn)生到晶片w的正面ws側(cè)，并沿著分割預(yù)定線對(duì)晶片w進(jìn)行分割。這樣，在磨削步驟s14中，當(dāng)晶片w被磨削至完工厚度t2時(shí)，加強(qiáng)部wc被去除。由于外周剩余區(qū)域wb隔著切削槽d而從器件區(qū)域wa分離，所以在磨削步驟s14中，即使改質(zhì)層k的裂紋c伸長(zhǎng)，也可以通過(guò)切削槽d來(lái)限制朝向晶片w的徑向外側(cè)的裂紋c的伸長(zhǎng)。利用搬送單元的搬送墊對(duì)加工后的晶片w進(jìn)行吸引保持而收納在提供/回收盒中。

如以上那樣，根據(jù)本實(shí)施方式的晶片的加工方法，與第一實(shí)施方式同樣，即使裂紋c從改質(zhì)層k伸長(zhǎng)，也能夠通過(guò)環(huán)狀的加強(qiáng)部wc來(lái)加強(qiáng)晶片w，因此減少了晶片w的翹曲。因此，在改質(zhì)層形成步驟s13之后，在為了在磨削步驟s14中進(jìn)行磨削而將晶片w從激光加工裝置50搬送至第二磨削單元40時(shí)，能夠通過(guò)例如以吸引保持著晶片的狀態(tài)進(jìn)行搬送的搬送單元等各種搬送單元進(jìn)行搬送。這樣，根據(jù)本實(shí)施方式的晶片的加工方法，能夠不用按照搬送單元的種類而容易地搬送所加工的晶片w。

根據(jù)本實(shí)施方式的晶片的加工方法，在步驟s11～步驟s14的實(shí)施之前，在環(huán)狀切削槽形成步驟s10中，從晶片w的正面ws側(cè)切入外周剩余區(qū)域wb與器件區(qū)域wa的邊界wd直到到達(dá)第1厚度t1，由此，能夠形成環(huán)狀的切削槽d。在環(huán)狀加強(qiáng)部形成步驟s12中，當(dāng)晶片w的厚度成為第1厚度t1并形成有加強(qiáng)部wc時(shí)，能夠使外周剩余區(qū)域wb隔著切削槽d而從器件區(qū)域wa分離。由此，關(guān)于晶片的加工方法，在磨削步驟s14中，即使形成于晶片w的改質(zhì)層k的裂紋c伸長(zhǎng)，也能夠通過(guò)切削槽d來(lái)限制朝向晶片w的徑向外側(cè)的裂紋c的伸長(zhǎng)。

另外，本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式。即，能夠在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)實(shí)施各種變形。例如，雖然說(shuō)明了在環(huán)狀切削槽形成步驟s10中將切削槽d的深度切削形成為距晶片w的正面ws為t1的深度，但只要切削槽d的深度為t1以上而未到晶片w的厚度即可。