本發(fā)明涉及微電子裝配工藝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種多通道微帶環(huán)行器組件裝配方法。

背景技術(shù)：

X波段多通道微帶環(huán)行器組件是微波系統(tǒng)關(guān)鍵組成件之一，在各種無源、有源微波電路模塊、分機(jī)、整機(jī)中得到應(yīng)用，起到收發(fā)雙工、級(jí)間隔離、防止竄擾、阻抗匹配、去耦等作用。伴隨著有源相控陣天線技術(shù)的發(fā)展，多通道的T/R組件呈現(xiàn)下多通道、微型化的瓦片式組件趨勢(shì)發(fā)展，進(jìn)而對(duì)新型環(huán)行器組件提出了高集成度、小型化、輕重量的發(fā)展要求。

多通道微帶環(huán)行器組件的組裝，包含微帶電路板的接地焊接、射頻連接器的氣密性裝配、環(huán)行器與腔體間的裝配、雙面腔體的密封互連以及整體環(huán)行器組件的三防處理等裝配內(nèi)容，涉及的裝配內(nèi)容和工序較多。

現(xiàn)有技術(shù)的組裝工藝存在以下缺陷：

1、傳統(tǒng)的同一溫度下的裝配無法實(shí)現(xiàn)環(huán)行器組件的集成裝配；

2、對(duì)于微帶電路板2的低空洞接地焊接，采用傳統(tǒng)的回流焊接技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)，如圖1所示，傳統(tǒng)回流焊接會(huì)在微帶電路板2的背面產(chǎn)生較多空洞；

3、雙面腔體的密封也無法采用傳統(tǒng)的激光密封或者平行封焊接形式實(shí)現(xiàn)氣密性封裝；

4、對(duì)于高效的結(jié)構(gòu)外觀三防處理能力，傳統(tǒng)三防工藝手段一直無法實(shí)現(xiàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的至少一種缺陷，本發(fā)明提供了一種多通道微帶環(huán)行器組件裝配方法，包括如下步驟：

步驟一，依次將電路板焊片和微帶電路板放置在環(huán)行器組件的腔體內(nèi)，通過共晶燒結(jié)的方式將微帶電路板固定在環(huán)行器組件內(nèi)；

步驟二，將射頻連接器通過焊膏焊接到所述腔體的連接器安裝孔內(nèi)；

步驟三，通過導(dǎo)電膠將環(huán)行器粘接到環(huán)行器組件的腔體內(nèi)，并通過引線鍵合方式將環(huán)行器和微帶電路板連接；

步驟四，在環(huán)行器組件上放置組件焊片，通過釬焊密封的方式將兩個(gè)環(huán)行器組件密封固定。

優(yōu)選的，還包括步驟五，步驟五為向連接器安裝孔內(nèi)填充灌封膠。

優(yōu)選的，步驟三中采用金帶作為引線鍵合方式中的引線。

優(yōu)選的，環(huán)行器組件和組件焊片上均開有數(shù)量相同的定位銷安裝孔，組件焊片通過定位銷安裝孔與環(huán)行器組件對(duì)齊。

優(yōu)選的，焊膏的熔點(diǎn)比電路板焊片的熔點(diǎn)低至少三十度。

本發(fā)明提供的一種多通道微帶環(huán)行器組件裝配方法，采用微帶電路板的共晶燒結(jié)工藝，降低微帶電路板底部接地面空洞率，進(jìn)而降低整個(gè)環(huán)行器組件的駐波，提高環(huán)行器組件的一次合格率；采用基于低溫焊料片的釬焊密封技術(shù)，通過定位銷安裝孔的精確定位，實(shí)現(xiàn)雙面腔體的低溫、高氣密的封裝；采用環(huán)氧膠灌封技術(shù)，對(duì)環(huán)行器組件多通道連接器部位進(jìn)行灌封保護(hù)，實(shí)現(xiàn)整體環(huán)行器組件的高效三防能力，進(jìn)行提成整體產(chǎn)品的長期可靠性。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中微帶電路板背面空洞示意圖；

圖2是多通道微帶環(huán)行器組件裝配方法的流程圖；

圖3是環(huán)行器組件內(nèi)部示意圖；

圖4是共晶燒結(jié)技術(shù)下的微帶電路板背面空洞示意圖；

圖5是射頻連接器和環(huán)行器組件連接處的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是組件焊片的安裝位置圖；

圖7是多通道微帶環(huán)行器組件裝配完成的側(cè)面示意圖；

圖8是多通道微帶環(huán)行器組件裝配完成的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：環(huán)行器組件1，微帶電路板2，焊膏3，射頻連接器4，連接器安裝孔5，環(huán)行器6，組件焊片7，灌封膠8，定位銷安裝孔9。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行更加詳細(xì)的描述。在附圖中，自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，均僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制。

下面通過具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的描述。

具體實(shí)施例：

如圖2所示，本發(fā)明提供了一種多通道微帶環(huán)行器組件裝配方法，包括如下步驟：

步驟一，如圖3所示，按照微帶電路板2、電路板焊片、環(huán)行器組件1的順序?qū)⑽щ娐钒?與電路板焊片放置在環(huán)行器組件1腔體內(nèi)的焊接部位，并用工裝壓好，其中電路板焊片優(yōu)選采用AgSn焊料片，然后采用預(yù)制好的共晶燒結(jié)溫度曲線，對(duì)微帶電路板2進(jìn)行共晶燒結(jié)，使其固定在環(huán)行器組件1內(nèi)，使用共晶燒結(jié)的方式可大大降低微帶電路板2背面空洞率，如圖4所示；

步驟二，如圖5所示，采用定制工裝將涂好焊膏3的射頻連接器安裝到環(huán)行器組件1腔體的連接器安裝孔5內(nèi)，并用工裝進(jìn)行加固，采用回流焊接工藝，將射頻連接器4焊接至腔體上，其中焊膏3的熔點(diǎn)比電路板焊片的熔點(diǎn)低至少三十度；

步驟三，采用導(dǎo)電膠環(huán)氧粘接工藝，通過導(dǎo)電膠將環(huán)行器6粘接至環(huán)行器組件1腔體內(nèi)部的環(huán)行器安裝部位處，并采用引線鍵合工藝，將環(huán)行器6和微帶電路板2的電路通過金帶連接；

步驟四，如圖6及圖7所示，在環(huán)行器組件1上放置組件焊片7，其中環(huán)行器組件1和組件焊片7上均開有數(shù)量相同的定位銷安裝孔9，組件焊片7通過定位銷安裝孔9與環(huán)行器組件1對(duì)齊，并且組件焊片7優(yōu)選采用低溫InPbAg焊片，然后基于低溫焊片的釬焊密封工藝，將兩個(gè)環(huán)行器組件1腔體采用倒扣形式進(jìn)行釬焊密封，組件焊片7的差異性可控，方便批量化生產(chǎn)。

步驟五，采用灌封工藝，向連接器安裝孔5內(nèi)填充灌封膠8，灌封膠8優(yōu)選采用環(huán)氧樹脂膠，填充灌封膠8可提高三防性能，三防指的是防霉菌、防潮濕、防鹽霧。

在具體實(shí)施中，可以根據(jù)需要在執(zhí)行步驟一之前先對(duì)所有零部件進(jìn)行來料檢驗(yàn)，驗(yàn)證產(chǎn)品質(zhì)量及可焊性，并對(duì)環(huán)行器組件1的腔體、微帶電路板2、電路板焊片進(jìn)行清洗，以保證環(huán)行器組件1可正常裝配。

如圖8所示為環(huán)行器組件裝配完成后的示意圖，在環(huán)行器組件裝配完成后，還可根據(jù)需要對(duì)其進(jìn)行篩選以保證產(chǎn)品質(zhì)量。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。