技術(shù)總結(jié)
一種利用二氧化錫催化生長Si納米線的方法，將摻氟氧化錫涂層導電玻璃作為襯底，加熱后通入Ar氣并電離成等離子體，同時采用流動的Ar氣調(diào)節(jié)真空腔內(nèi)的壓強維持在10?100Pa；然后通入SiH4和H2，摻氟氧化錫涂層導電玻璃上的摻氟氧化錫涂層融化成直徑為0.2?0.5μm的液相SnO2球體；在真空下，進行沉積，得到Si納米線。本發(fā)明創(chuàng)新性的利用摻氟氧化錫層導電玻璃上的摻氟氧化錫層來提供SnO2，并且SnO2作為催化劑生長硅納米線，達到原位生長效果。本發(fā)明工藝簡單，成本低，且能夠?qū)崿F(xiàn)批量生產(chǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：秦毅;馬寧;朱建鋒;趙婷;張佩;王雷;方媛;侯小江
受保護的技術(shù)使用者：陜西科技大學
文檔號碼：201611140652
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.12
技術(shù)公布日：2017.05.24