一種鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜及其制備方法，所述鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜由以下原子數(shù)百分比的組分組成：O 63％～70％，其余為Nb和Sn；其中，Nb的原子數(shù)為Nb、Sn原子總數(shù)的1％～9％。該透明導(dǎo)電膜是采用遠(yuǎn)源等離子體濺射技術(shù)在襯底上濺射沉積制成的。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜載流子遷移率高達(dá)18cm2V?1s?1，對(duì)可見光的透射率在85％以上，電阻率低至10?4Ω·cm，近紫外及可見光范圍內(nèi)透明，可廣泛用于太陽(yáng)能電池和透明光電器件；該透明導(dǎo)電膜光電性能優(yōu)異，成分簡(jiǎn)單，原材料豐富，制備過(guò)程工藝可控，環(huán)境友好，大大節(jié)約了生產(chǎn)成本和時(shí)間，適用于柔性光電及光伏器件，應(yīng)用前景廣闊。
【專利說(shuō)明】
一種鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明屬于透明導(dǎo)電氧化物薄膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜，同時(shí)還涉及一種鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]透明導(dǎo)電氧化物(transparent conductive oxide，簡(jiǎn)稱TCOs)是一類應(yīng)用廣泛的半導(dǎo)體功能材料，主要包括In、Sn、Zn和Cd的氧化物及其復(fù)合多元氧化物薄膜材料，具有禁帶寬、可見光譜區(qū)光透射率高和電阻率低等共同光電特性，作為光電器件的透明電極，廣泛地應(yīng)用于平板顯示器件、觸摸面板、太陽(yáng)能光伏電池、反射熱鏡、氣體敏感器件、特殊功能窗口涂層、透明PN結(jié)及光電子、微電子、真空電子器件等領(lǐng)域。透明導(dǎo)電氧化物薄膜，S卩T⑶薄膜由于其具有高的可見光透過(guò)率以及低的電阻率，受到越來(lái)越多研究者的青睞，并且得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，尤其是在電子領(lǐng)域和能源領(lǐng)域。
[0003]近年來(lái)，新興光電產(chǎn)品層出不窮，薄膜太陽(yáng)電池的研發(fā)逐漸向生產(chǎn)過(guò)度，從而使透明導(dǎo)電氧化物電極的市場(chǎng)也需求迅速擴(kuò)展。同時(shí)，光電子產(chǎn)業(yè)的多樣化也對(duì)透明導(dǎo)電氧化物電極提出了新的要求。目前，主流的TCO薄膜材料主要包括氧化銦錫(ΙΤ0)、鋁摻雜氧化鋅(ΑΖ0)、氟摻雜氧化錫(FTO)等。氧化銦錫(ITO)電阻率可達(dá)10—4Ω.cm，透光性能優(yōu)異，占據(jù)了超過(guò)80%的市場(chǎng)份額。但在實(shí)際應(yīng)用中，銦(Ιη，ΙΤ0主要元素)資源匱乏，若以現(xiàn)有消耗速度，預(yù)計(jì)全球銦資源將在短時(shí)間內(nèi)消耗殆盡，ITO已不能滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，因此尋找資源豐富，性能優(yōu)異的新型透明導(dǎo)電氧化物電極材料迫在眉睫。
[0004]氧化錫基的薄膜材料是一種較早地投入商業(yè)使用的TCO薄膜，與其他薄膜材料相比，氧化錫基薄膜的價(jià)格較為低廉，化學(xué)穩(wěn)定性較強(qiáng)，耐酸蝕;熱穩(wěn)定性強(qiáng)，且具有較好的機(jī)械性能。氧化錫基的薄膜是一種N型寬禁帶的半導(dǎo)體材料，禁帶寬度在3.5eV到4eV之間，摻雜的氧化錫和未摻雜的氧化錫的晶體結(jié)構(gòu)都是四方金紅石型，它的晶胞為體心正交的平行六面體。理想狀態(tài)下的氧化錫晶體的能帶結(jié)構(gòu)是價(jià)帶全滿，沒(méi)有導(dǎo)電用空穴，而導(dǎo)帶全空，沒(méi)有自由電子提供載流子，所以理想情況下的氧化錫晶體是不導(dǎo)電的。但實(shí)際情況下，由于晶格內(nèi)部錫原子和氧原子由于材料的熱起伏引起的熱震動(dòng)會(huì)使得它們偏離既定位置，很容易產(chǎn)生錫原子位移和氧原子的空位，而氧空位的形成會(huì)使得薄膜材料產(chǎn)生一定量的載流子，從而使材料本身具有導(dǎo)電性。而本征的氧化錫的導(dǎo)電性能很差，對(duì)本征的氧化錫薄膜進(jìn)行適當(dāng)?shù)膿诫s可大幅度提高其導(dǎo)電性能。
[0005]當(dāng)對(duì)本征的氧化錫薄膜中摻雜氟元素時(shí)，F(xiàn)—會(huì)替代02—或者在原有的氧化錫晶體結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上形成間隙氟原子，從而顯著增加薄膜中的載流子濃度，所以能大幅提高氧化錫薄膜的導(dǎo)電性。但是FTO薄膜在等離子體中的穩(wěn)定性較差，不容易對(duì)其進(jìn)行絨面腐蝕，在生產(chǎn)實(shí)際中只能利用高溫在線化學(xué)氣相沉積(CVD)的方法進(jìn)行大規(guī)模的制備?；瘜W(xué)氣相沉積是把含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種化合物或單質(zhì)氣體，供給襯底或基板，借助氣相反應(yīng)，在襯底或基板表面反應(yīng)生成薄膜的方法。但是，該方法制備FTO薄膜靈活性較差，許多適宜形成膜層材料的氣相先驅(qū)物缺乏或價(jià)格昂貴，實(shí)際生產(chǎn)中的應(yīng)用受到一定的限制。另外，現(xiàn)有的FTO薄膜的導(dǎo)電性能較差，比起其他的透明導(dǎo)電氧化物薄膜還是有一定差距，還不能滿足實(shí)際應(yīng)用的需要。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)中，CN102332325B公開了一種In、Sn、Mo、Nb共摻雜透明導(dǎo)電薄膜，其制備方法是將In203、Sn02、Nb205和MoO3粉末混合后壓制成型，然后在1000-1400°C下燒結(jié)，制得Nb、Mo、Sn共摻雜In2O3陶瓷靶材，所述In2O3、SnO2、Nb205和MoO3粉末的質(zhì)量比為91:5:1:3;將他、]\10、3]1共摻雜111203陶瓷勒1材至于脈沖激光沉積裝置中沉積，制得111、311、]\10、他共摻雜透明導(dǎo)電薄膜，該透明導(dǎo)電薄膜的最低電阻率達(dá)2.33X10—4Ω.cm，平均透光率在90%以上。上述內(nèi)容提出了對(duì)包含SnO2在內(nèi)的多元氧化物進(jìn)行多元素?fù)诫s的TCO材料，但由這些多元氧化物TCO成分復(fù)雜，成本高，制備技術(shù)不易控制，光電性能不易保證，尚無(wú)法用于生產(chǎn)實(shí)際。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]本發(fā)明的目的是提供一種鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜，光電性能優(yōu)異，成分簡(jiǎn)單，成本低。
[0008]本發(fā)明的第二個(gè)目的是提供一種鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法。
[0009]為了實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:
[0010]—種鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜，由以下原子數(shù)百分比的組分組成:0 63%?70%，其余為Nb和Sn(Nb、Sn和O的總原子數(shù)為100%);其中，Nb的原子數(shù)為Nb、Sn原子總數(shù)的
1% ?
[0011]本發(fā)明的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜，利用Nb替代SnO2中的Sn，在二氧化錫基材料中摻雜Nb，摻雜后費(fèi)米能級(jí)移入導(dǎo)帶底部，增加導(dǎo)帶底部能帶曲率，使其具有類似金屬的優(yōu)異導(dǎo)電性能;所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜載流子迀移率高達(dá)18cm2V—1S.1,對(duì)近紫外、可見光及紅外光區(qū)的光子透明；在載流子濃度與一般TCO—致時(shí)，電阻率優(yōu)于10—4Ω.cm，導(dǎo)電率高，具有優(yōu)異的光電性能；同時(shí)成分簡(jiǎn)單，只含有Nb、Sn和O三種基本元素(制備過(guò)程中不可避免的雜質(zhì)極少，在此忽略不計(jì))，成本低。
[0012]所述鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜是采用遠(yuǎn)源等離子體濺射技術(shù)在襯底上反應(yīng)濺射沉積制成的。本發(fā)明的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜還可以采用本領(lǐng)域中其他常規(guī)技術(shù)進(jìn)行制備，如磁控濺射、反應(yīng)熱蒸鍍等方法。采用反應(yīng)熱蒸鍍方法制備時(shí)，以金屬為蒸鍍?cè)?，以氧氣為反?yīng)氣體。
[0013]—種鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法，包括以下步驟:
[0014]I)以氬氣為等離子體氣源，以氧氣為反應(yīng)氣體，采用遠(yuǎn)源等離子體濺射技術(shù)在襯底上濺射沉積薄膜，得半成品；
[0015]2)將步驟I)所得半成品進(jìn)行退火處理，即得。
[0016]遠(yuǎn)源等離子體濺射技術(shù)(HiTUS)是一種高靶材利用率的濺射技術(shù)，它是通過(guò)靶材遠(yuǎn)處產(chǎn)生的高密度等離子體完成濺射的。現(xiàn)有技術(shù)中，與之相對(duì)應(yīng)的遠(yuǎn)源等離子體濺射系統(tǒng)在其真空室(派射腔室)側(cè)壁固定有等離子體發(fā)射系統(tǒng)(The Plasma Launch System,PLS，射頻等離子體源)，即石英玻璃管外纏繞有射頻線圈天線;等離子體由此產(chǎn)生并經(jīng)PLS出口處的發(fā)射電磁圈放大，并由聚束電磁線圈完成等離子體方向的聚焦與控制。通過(guò)對(duì)每一個(gè)電磁線圈電流進(jìn)行精密控制，可以對(duì)等離子體束進(jìn)行導(dǎo)向，這樣能夠覆蓋靶材的全部表面。這種條件下，靶材表面氬離子處于低能(30?50eV)高密度(離子數(shù)112?1014/cm3)狀態(tài)。因此靶材得到了均勻的刻蝕，與常規(guī)的磁控濺射相比大大減輕了靶中毒的現(xiàn)象，同時(shí)也大大提高了濺射沉積薄膜的沉積速率。
[0017]本發(fā)明的制備方法中，遠(yuǎn)源等離子體濺射技術(shù)利用射頻等離子發(fā)射系統(tǒng)產(chǎn)生高密度低能量等離子體，并利用濺射功率控制當(dāng)量靶材偏壓，以加速等離子體中的重離子，實(shí)現(xiàn)高效濺射。
[0018]步驟I)所述襯底為玻璃襯底、石英襯底或透明塑料襯底。SnO2基薄膜與玻璃襯底、石英襯底具有較好的附著性，采用玻璃襯底、石英襯底可以提高薄膜與襯底的結(jié)合力，穩(wěn)定性好。所述透明塑料襯底的材料為聚乙烯對(duì)苯二甲酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等透明塑料基底材料。濺射前，將清潔后的襯底固定在濺射腔體內(nèi)。
[0019]濺射所用的靶材為鈮錫合金、鈮錫金屬組合鈀或鈮錫金屬氧化物;所述鈮錫合金中，Nb的原子數(shù)為Nb、Sn原子總數(shù)的1%?9% ;所述鈮錫金屬組合鈀中，鈮靶的面積為鈮靶、錫靶總面積的I %?9% (此處所述的面積是指靶材的有效面積)；所述鈮錫金屬氧化物中，Nb的原子數(shù)為Nb、Sn原子總數(shù)的I %?9%。當(dāng)靶材為鈮錫合金或鈮錫金屬組合靶時(shí)，所述濺射為反應(yīng)濺射，反應(yīng)濺射是指在濺射過(guò)程中不斷通入氧氣作為反應(yīng)氣體，和濺射出的靶材粒子在空中結(jié)合并發(fā)生反應(yīng)，以反應(yīng)產(chǎn)物的形式飛向襯底并粘附在襯底表面上，沉積形成一層致密的納米薄膜。靶材為鈮錫金屬組合鈀是指同時(shí)采用鈮靶及錫靶進(jìn)行濺射，以實(shí)現(xiàn)透明導(dǎo)電膜所要求的組分。
[0020]濺射沉積薄膜之前，將濺射腔體內(nèi)抽真空至真空度不大于2.0X10—3Pa。然后向腔室內(nèi)通入一定流量的氬氣，待腔室內(nèi)的壓強(qiáng)穩(wěn)定后，再開啟射頻等離子體源(PLS)產(chǎn)生等離子流。所用的氬氣為純度不低于99.99%的高純氣體。待系統(tǒng)內(nèi)的等離子體穩(wěn)定后，調(diào)節(jié)靶材直流及射頻功率，再通入氧氣。所用的氧氣為純度不低于99.99%的高純氣體。
[0021]步驟I)的濺射過(guò)程中，通入氧氣的體積流量占氧氣與氬氣通入總體積流量的1.5 %?8 %，濺射腔體內(nèi)的壓力為3.5?4.5Pa。向腔室內(nèi)通入氧氣后，待靶材電流和氣壓均穩(wěn)定后，再開始進(jìn)行濺射沉積薄膜。
[0022]步驟I)的濺射過(guò)程中，等離子體源功率密度為2?24W/cm2，產(chǎn)生離子能量低于50eV的低能等離子體。
[0023]步驟I)的濺射過(guò)程中，靶材直流功率密度為I?12W/cm2，使靶材當(dāng)量偏壓在-60?-550V。濺射過(guò)程中，分別通過(guò)控制等離子體源功率和靶材直流功率，調(diào)控薄膜沉積速率及透明導(dǎo)電膜的成分。
[0024]步驟I)的派射過(guò)程中，薄膜沉積速率為5?25nm/mi η，沉積時(shí)間為1?20mi η。所得銀摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的厚度為50?500nm。
[0025]步驟I)的濺射過(guò)程中，沉積時(shí)襯底加熱溫度不高于400°C。濺射過(guò)程中，濺射溫度為20?30°C。濺射沉積薄膜的過(guò)程在室溫或較低溫度下進(jìn)行，濺射過(guò)程更簡(jiǎn)單，易于控制。
[0026]步驟2)中，所述退火處理的溫度為100?400°C，保溫時(shí)間為3?20min。該退火處理在大氣中進(jìn)行，為低溫退火處理;優(yōu)選的，所述退火處理的溫度為100?300°C，保溫時(shí)間為3?5min0
[0027]本發(fā)明的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法，是以氬氣為等離子體氣源，以氧氣為反應(yīng)氣體，采用遠(yuǎn)源等離子體濺射技術(shù)在襯底上反應(yīng)濺射沉積后，經(jīng)退火處理獲得的；所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜具有良好的透光性和低的電阻率，對(duì)于可見光的透射率在85%以上，電阻率低至10—4Ω.cm，導(dǎo)電率高，具有優(yōu)異的光電性能;所得薄膜致密且均勻，具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性。本發(fā)明的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法，采用遠(yuǎn)源等離子體濺射技術(shù)在襯底上進(jìn)行反應(yīng)濺射沉積，濺射速度快，濺射溫度低，可重復(fù)性好，所得薄膜具有較高的透光性和低的電阻率，光電性能優(yōu)越，適合推廣應(yīng)用。
[0028]遠(yuǎn)源等離子體濺射系統(tǒng)(HiTUS)通過(guò)射頻激發(fā)高密度低能量等離子體，不依賴永磁體促進(jìn)等離子體發(fā)生，而是通過(guò)對(duì)靶向功率的控制，實(shí)現(xiàn)對(duì)靶材的均勻?yàn)R射。由此可避免磁控濺射因近靶磁場(chǎng)不均勻所引起的靶材“跑道”濺射現(xiàn)象，將靶材利用率提高到90%以上;反應(yīng)濺射時(shí)因避免了與跑道效應(yīng)相關(guān)的靶材不均勻中毒，使薄膜成分均勻，組織致密。因避免了不必要高能粒子的產(chǎn)生，與磁控濺射同比節(jié)能70%以上。
[0029]本發(fā)明首次采用HiTUS技術(shù)制備出性能優(yōu)越的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜，平均透光率接近高透明襯底，電阻率可低于10—3Ω.cm，XRD檢測(cè)顯示所得薄膜為非晶或多晶二氧化錫，無(wú)其它相產(chǎn)生；用X射線光電子能譜(XPS)對(duì)薄膜進(jìn)行化學(xué)態(tài)分析顯示，Sn在薄膜中主要以正四價(jià)形式與氧結(jié)合，摻雜元素Nb主要以正五價(jià)的形式與氧結(jié)合，對(duì)比結(jié)果顯示五價(jià)鈮是提高二氧化錫的優(yōu)異光電性能的關(guān)鍵。
[0030]本發(fā)明的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法，所得透明導(dǎo)電膜為非晶結(jié)構(gòu)、多晶結(jié)構(gòu)或非晶及晶體結(jié)構(gòu)的混合物，結(jié)構(gòu)均勻致密，與襯底附著力高;光電性能優(yōu)異，即使是非晶狀態(tài)，透明導(dǎo)電膜亦具有優(yōu)異的光電性能，因而適用于柔性光電器件，，可廣泛用作太陽(yáng)能電池，觸摸屏，平板顯示及其它光電器件的電極材料;成分簡(jiǎn)單，原材料豐富，制備過(guò)程工藝可控，環(huán)境友好，生產(chǎn)過(guò)程中無(wú)有害物質(zhì)產(chǎn)生，利用高密度等離子體可實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)濺射技術(shù)達(dá)不到的高濺射速率，大大節(jié)約生產(chǎn)成本和時(shí)間，實(shí)現(xiàn)了鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電薄膜(NTO)的低能耗制備，室溫沉積適用于柔性光電及光伏器件，應(yīng)用前景廣闊。
【附圖說(shuō)明】
[0031 ]圖1為【具體實(shí)施方式】中所用遠(yuǎn)源等離子體濺射系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖2為反應(yīng)濺射沉積薄膜過(guò)程的微觀示意圖；
[0033]圖3為實(shí)施例2所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的電子結(jié)構(gòu)計(jì)算結(jié)果比較圖；
[0034]圖4為實(shí)施例2所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的可見過(guò)透過(guò)率檢測(cè)結(jié)果示意圖；
[0035]圖5為實(shí)施例2所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的XPS分析結(jié)果(Sn3d)示意圖；
[0036]圖6為實(shí)施例2所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的XPS分析結(jié)果(Nd3d)示意圖；
[0037]圖7為實(shí)施例3所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的可見過(guò)透過(guò)率檢測(cè)結(jié)果示意圖；
[0038]圖8為實(shí)施例4所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的透光性能檢測(cè)結(jié)果示意圖；
[0039]圖9為實(shí)施例1所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的XRD圖。
【具體實(shí)施方式】
[0040]下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0041]【具體實(shí)施方式】中，所用的遠(yuǎn)源等離子體濺射系統(tǒng)如圖1所示，主要由等離子體源發(fā)射系統(tǒng)1、真空系統(tǒng)、等離子體聚束電磁鐵、襯底樣品架3、靶材加速偏壓電源、反應(yīng)氣體氣路
4、水冷系統(tǒng)、空氣壓縮機(jī)等構(gòu)成。真空系統(tǒng)由真空腔室9、機(jī)械栗、分子栗構(gòu)成，在對(duì)系統(tǒng)抽真空時(shí)，需要先使用機(jī)械栗抽到一定的真空度，然后啟動(dòng)分子栗，用分子栗直接抽出真空腔室中的氣體，而機(jī)械栗在分子栗工作時(shí)抽分子栗，兩個(gè)真空栗傳遞著把真空腔室9中的氣體抽到大氣中，這樣才能保證腔室中有一個(gè)高的真空度。
[0042]如圖1所示，真空腔室9的左側(cè)連通等離子體源發(fā)射系統(tǒng)I;所述等離子體源發(fā)射系統(tǒng)I由射頻天線線圈2和石英管10組成，射頻天線線圈2均勻地纏繞在石英管10的外圍，并距離石英管10有一定的均勻距離。當(dāng)需要產(chǎn)生等離子體的時(shí)候，往真空腔室9中持續(xù)通入一定流量的高純氬氣，使腔室中的氣壓穩(wěn)定在所需壓強(qiáng)，然后給射頻天線線圈2通電，在高頻的射頻電源作用下，石英管10內(nèi)的電子和中性粒子保持尚的碰撞率，從而氬氣分子被電尚，在石英管10的內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生淡紫色的等離子體。
[0043]在等離子體源發(fā)射系統(tǒng)I的石英管10靠近真空腔室9的一側(cè)，和靶材6的下方，分別安裝了一個(gè)電磁鐵5，用來(lái)控制等離子體束的形狀和運(yùn)動(dòng)方向，稱為等離子體聚束電磁鐵線圈。在打開射頻電源產(chǎn)生等離子體之前，要啟動(dòng)真空腔室一側(cè)的電磁鐵5，從而產(chǎn)生所需的磁力線分布，這樣一來(lái)就能把等離子體源產(chǎn)生的等離子體源源不斷地輸送到真空腔室9。當(dāng)靶材下方的電磁鐵5不工作時(shí)，產(chǎn)生的等離子體是彌散地分布在整個(gè)真空腔室9，當(dāng)給電磁鐵5通電并產(chǎn)生磁場(chǎng)時(shí)，有效區(qū)域內(nèi)的磁力線的形狀發(fā)生變化，等離子體會(huì)根據(jù)磁場(chǎng)的導(dǎo)向作用而沿著磁力線運(yùn)動(dòng)，整體看來(lái)等離子體會(huì)變成一個(gè)均勻的光束，并隨著磁場(chǎng)發(fā)生彎曲，直接集中地打到靶材6表面。通過(guò)調(diào)節(jié)兩個(gè)電磁鐵5到合適的電流，來(lái)精確控制磁力線的形狀，從而可以引導(dǎo)等離子體束正好完全準(zhǔn)確地覆蓋住靶材6的整個(gè)區(qū)域面積。由于等離子體打在靶材表面會(huì)使得靶材6產(chǎn)生較多熱量，為了保護(hù)靶材，防止被融化，在靶材下方的銅板8中源源不斷地流動(dòng)著循環(huán)水7，將熱量帶走，而循環(huán)水7則通過(guò)外接的水冷機(jī)散熱，保持在室溫的水平。
[0044]等離子體束打在靶材上的能量大約為10eV，轟擊出的粒子并不能直接濺射到有一定距離的襯底上，而是停留懸浮在靶材表面附近，所以需要給這些帶電粒子施加一個(gè)合適的加速電壓，讓他們飛向襯底表面。本發(fā)明用的方法是反應(yīng)濺射法，如圖2所示，在濺射過(guò)程中通入反應(yīng)氣體，和濺射出的靶材微粒在空中結(jié)合并發(fā)生反應(yīng)，并在給靶材底部提供的加速偏壓的作用下以反應(yīng)產(chǎn)物的形式飛向襯底并粘附在襯底表面上，經(jīng)過(guò)一定的時(shí)間，便可形成一層致密的納米薄膜。
[0045]所述襯底樣品架用于固定襯底，所述襯底樣品架的下方設(shè)有可開啟或關(guān)閉擋板，用于緊貼襯底下表面以控制在襯底表面上進(jìn)行反應(yīng)濺射沉積的開始或結(jié)束。
[0046]靶材在濺射過(guò)程中會(huì)發(fā)熱，直接施加給靶材過(guò)高的偏壓會(huì)使得靶材發(fā)熱過(guò)多產(chǎn)生熱脹冷縮現(xiàn)象，甚至有可能使得靶材開裂報(bào)廢，為了延長(zhǎng)靶材壽命和保護(hù)靶材，在反應(yīng)濺射沉積薄膜之前需要對(duì)靶材進(jìn)行預(yù)濺射，對(duì)靶材施加的偏壓要從較低的數(shù)值(靶材功率20W)開始，然后逐步升高，中間間隔10W，直到升高至所需要的靶材偏壓功率(100W)為止。對(duì)靶材的預(yù)濺射也起到了清洗靶材的作用，把靶材表面可能出現(xiàn)的氧化層或污染物濺射掉，保證了原材料的純度。
[0047]實(shí)施例1
[0048]本實(shí)施例的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜，由以下原子數(shù)百分比的組分組成:066.94%,其余為Nb和Sn (Nb、Sn和O的總原子數(shù)為100 % );其中，Nb的原子數(shù)為Nb、Sn原子總數(shù)的5 %。
[0049]本實(shí)施例的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法，包括以下步驟:
[0050]I)以氬氣為等離子體氣源，以氧氣為反應(yīng)氣體，采用遠(yuǎn)源等離子體濺射技術(shù)在玻璃襯底上反應(yīng)濺射沉積薄膜，具體為:
[0051]將清潔后的玻璃襯底固定在遠(yuǎn)源等離子體濺射系統(tǒng)的濺射腔室內(nèi)的樣品臺(tái)上;反應(yīng)濺射之前，將濺射腔室內(nèi)抽真空至真空度優(yōu)于2.0 X 10—3Pa，然后向腔室內(nèi)通入流量為70sCCm的氬氣，待腔室內(nèi)的壓強(qiáng)保持穩(wěn)定后，開啟射頻等離子體源發(fā)射系統(tǒng)，產(chǎn)生等離子體；
[0052]等離子體穩(wěn)定后，向腔室內(nèi)通入氧氣，通入氧氣的體積流量占氧氣與氬氣總體積流量的5.4%，濺射腔體內(nèi)的壓力為0.45Pa，所用的氬氣和氧氣均為純度不低于99.999%的高純氣體;待靶材電流和氣壓均穩(wěn)定后，打開緊貼玻璃襯底下方的擋板，室溫條件下開始進(jìn)行反應(yīng)濺射沉積薄膜；
[0053]反應(yīng)濺射過(guò)程中，等離子體發(fā)射功率為500W，調(diào)節(jié)靶材直流功率是100W，薄膜沉積速率為12nm/min，濺射時(shí)間為20min，玻璃襯底的溫度低于400°C;
[0054]其中，濺射靶材為直徑3英寸的錫鈮金屬組合靶材(純度為99.99% )，其中鈮靶的面積為鈮靶、錫靶總面積的5% ;
[0055]反應(yīng)濺射完成后，關(guān)閉玻璃襯底下方的擋板，玻璃襯底上已沉積一層納米薄膜，SP得半成品；
[0056]2)將步驟I)所得半成品置于快速退火爐中，在400°C、大氣條件下保溫5min進(jìn)行退火處理，后自然冷卻至室溫，即得所述鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜。
[0057]經(jīng)檢測(cè)，本實(shí)施例所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的薄膜厚度為240nm，對(duì)可見光的平均透射率為85%，電阻率為6 X 10—3 Ω.cm。
[0058]實(shí)施例2
[0059]本實(shí)施例的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜，由以下原子數(shù)百分比的組分組成:067.00%,其余為Nb和Sn (Nb、Sn和O的總原子數(shù)為100 % );其中，Nb的原子數(shù)為Nb、Sn原子總數(shù)的6 %。
[0060]本實(shí)施例的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法，包括以下步驟:
[0061 ] I)以氬氣為等離子體氣源，以氧氣為反應(yīng)氣體，采用遠(yuǎn)源等離子體濺射技術(shù)在玻璃襯底上反應(yīng)濺射沉積薄膜，具體為:
[0062]將清潔后的玻璃襯底固定在遠(yuǎn)源等離子體濺射系統(tǒng)的濺射腔室內(nèi)的樣品臺(tái)上;反應(yīng)濺射之前，將濺射腔室內(nèi)抽真空至真空度優(yōu)于2.0 X 10—3Pa，然后向腔室內(nèi)通入流量為200sCCm的氬氣，待腔室內(nèi)的壓強(qiáng)保持穩(wěn)定后，開啟射頻等離子體源發(fā)射系統(tǒng)，產(chǎn)生等離子體；
[0063]等離子體穩(wěn)定后，向腔室內(nèi)通入氧氣，通入氧氣的體積流量占氧氣與氬氣總體積流量的3.15%，濺射腔體內(nèi)的壓力為0.4Pa，所用的氬氣和氧氣均為純度不低于99.999%的高純氣體;待靶材電流和氣壓均穩(wěn)定后，打開緊貼玻璃襯底下方的擋板，室溫條件下開始進(jìn)行反應(yīng)濺射沉積薄膜；
[0064]反應(yīng)濺射過(guò)程中，等離子體發(fā)射功率為1800W，調(diào)節(jié)靶材直流功率使靶材偏壓為-500V，薄膜沉積速率為22.5nm/min，沉積時(shí)間為1min，玻璃襯底的溫度低于400°C ；
[0065]其中，濺射靶材為直徑4英寸的錫鈮金屬組合靶材(純度為99.99% )，其中鈮靶的面積為鈮靶、錫靶總面積的6% ;
[0066]反應(yīng)濺射完成后，關(guān)閉玻璃襯底下方的擋板，玻璃襯底上已沉積一層納米薄膜，SP得半成品;經(jīng)檢測(cè)，該半成品的電阻率為2.6 X 10—3 Ω.cm;
[0067]2)將步驟I)所得半成品置于快速退火爐中，在280°C、大氣條件下保溫1min進(jìn)行退火處理，后自然冷卻至室溫，即得所述鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜。
[0068]經(jīng)檢測(cè)，本實(shí)施例所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的薄膜厚度為225nm，對(duì)可見光的平均透射率為85%，電阻率為8.7X 10—4Ω.cm。
[0069]對(duì)本實(shí)施例所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行計(jì)算，結(jié)果如圖3所示(其中，6&七％是指透明導(dǎo)電膜中摻雜元素的原子數(shù)為摻雜元素、Sn原子總數(shù)的6%)。從圖3可以看出，本實(shí)施例所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的電子結(jié)構(gòu)與Sb摻雜效果類似;理論載流子迀移率達(dá)18cm2V—1S'對(duì)近紫外至紅外光區(qū)透明。
[0070]對(duì)本實(shí)施例所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的可見光透過(guò)率進(jìn)行檢測(cè)，結(jié)果如圖4所示(其中，普通玻璃指玻璃襯底，NTO/玻璃指鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜附著在玻璃襯底上)。從圖4可以看出，本實(shí)施例所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜附著在玻璃襯底上，平均透過(guò)率接近玻璃襯底本身，對(duì)可見光的平均透過(guò)率在85 %以上。
[0071]對(duì)本實(shí)施例所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜進(jìn)行XPS分析，結(jié)果如圖5、6所示。圖5為Sn 3d的X射線光電子能譜圖，擬合結(jié)果顯示Sn在薄膜中為正四價(jià)；圖6為Nb 3d的X射線光電子能譜圖，擬合結(jié)果顯示Nb在薄膜中為正五價(jià)。結(jié)果表明，本實(shí)施例所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜中，Sn在薄膜中主要以正四價(jià)形式與氧結(jié)合，摻雜元素Nb主要以正五價(jià)的形式與氧結(jié)合。
[0072]實(shí)施例3
[0073]本實(shí)施例的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜，由以下原子數(shù)百分比的組分組成:067.00%,其余為Nb和Sn (Nb、Sn和O的總原子數(shù)為100 % );其中，Nb的原子數(shù)為Nb、Sn原子總數(shù)的6 %。
[0074]本實(shí)施例的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法，包括以下步驟:
[0075]I)以氬氣為等離子體氣源，以氧氣為反應(yīng)氣體，采用遠(yuǎn)源等離子體濺射技術(shù)在透明塑料(聚萘二甲酸乙二醇酯，PEN)襯底上反應(yīng)濺射沉積薄膜，具體為:
[0076]將清潔后的玻璃襯底固定在遠(yuǎn)源等離子體濺射系統(tǒng)的濺射腔室內(nèi)的樣品臺(tái)上;反應(yīng)濺射之前，將濺射腔室內(nèi)抽真空至真空度優(yōu)于2.0 X 10—3Pa，然后向腔室內(nèi)通入流量為200sCCm的氬氣，待腔室內(nèi)的壓強(qiáng)保持穩(wěn)定后，開啟射頻等離子體源發(fā)射系統(tǒng)，產(chǎn)生等離子體；
[0077]等離子體穩(wěn)定后，向腔室內(nèi)通入氧氣，通入氧氣的體積流量占氧氣與氬氣總體積流量的3.15%，濺射腔體內(nèi)的壓力為0.4Pa，所用的氬氣和氧氣均為純度不低于99.999%的高純氣體;待靶材電流和氣壓均穩(wěn)定后，打開緊貼玻璃襯底下方的擋板，室溫條件下開始進(jìn)行反應(yīng)濺射沉積薄膜；
[0078]反應(yīng)濺射過(guò)程中，等離子體發(fā)射功率為1800W，調(diào)節(jié)靶材直流功率使靶材偏壓為-500V，薄膜沉積速率為22.5nm/min，沉積時(shí)間為15min，襯底的溫度為室溫；
[0079]其中，濺射靶材為直徑4英寸的錫鈮金屬組合靶材(純度為99.99% )，其中鈮靶的面積為鈮靶、錫靶總面積的6% ;
[0080]反應(yīng)濺射完成后，關(guān)閉玻璃襯底下方的擋板，玻璃襯底上已沉積一層納米薄膜，SP得半成品；
[0081]2)將步驟I)所得半成品置于快速退火爐中，在100°C、大氣條件下保溫1min進(jìn)行退火處理，后自然冷卻至室溫，即得所述鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜。
[0082]經(jīng)檢測(cè)，本實(shí)施例所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的薄膜厚度為225nm，對(duì)可見光的平均透射率為83% (最大透過(guò)率與PEN最大透過(guò)率一致)，電阻率為2.2 X 10—3 Ω.cm。
[0083]對(duì)本實(shí)施例所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的可見光透過(guò)率進(jìn)行檢測(cè)，結(jié)果如圖7所示(其中，PET是透明塑料襯底，ΝΤ0/ΡΕΤ指鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜附著在塑料襯底上)。從圖7可以看出，本實(shí)施例所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜附著在塑料襯底上，平均透過(guò)率接近塑料襯底本身，對(duì)可見光的平均透過(guò)率在83 %以上。
[0084]實(shí)施例4
[0085]本實(shí)施例的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜，由以下原子數(shù)百分比的組分組成:067.01%，其余為恥和311(恥、311和0的總原子數(shù)為100%);其中，恥的原子數(shù)為恥、311原子總數(shù)的6.3%。
[0086]本實(shí)施例的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法，包括以下步驟:
[0087]I)以氬氣為等離子體氣源，以氧氣為反應(yīng)氣體，采用遠(yuǎn)源等離子體濺射技術(shù)在玻璃襯底上反應(yīng)濺射沉積薄膜，具體為:
[0088]反應(yīng)濺射之前，將遠(yuǎn)源等離子體濺射系統(tǒng)的濺射腔室內(nèi)抽真空至2.0X10—3Pa,然后向腔室內(nèi)通入流量為70sCCm的氬氣，待腔室內(nèi)的壓強(qiáng)保持穩(wěn)定后，開啟等離子體源發(fā)射系統(tǒng)，使得等離子體源處產(chǎn)生等離子體；
[0089]等離子體穩(wěn)定后，向腔室內(nèi)通入氧氣，通入氧氣的體積流量占氧氣與氬氣總體積流量的5.7%，濺射腔體內(nèi)的壓力為0.45Pa，所用的氬氣和氧氣均為純度不低于99.999%的高純氣體;待靶材電流和氣壓均穩(wěn)定后，打開緊貼玻璃襯底下方的擋板，室溫條件下開始進(jìn)行反應(yīng)濺射沉積薄膜；
[0090]反應(yīng)濺射過(guò)程中，等離子體發(fā)射功率為500W，靶材加速偏壓功率是100W，濺射速度為12nm/min，濺射時(shí)間為20min，濺射溫度為20 °C，玻璃襯底的溫度為常溫；
[0091]其中，濺射靶材為直徑3英寸的錫鈮合金(純度為5N)，Nb的原子數(shù)為Nb、Sn原子總數(shù)的6.3%;
[0092]反應(yīng)濺射完成后，關(guān)閉玻璃襯底下方的擋板，玻璃襯底上已沉積一層納米薄膜，SP得半成品；
[0093]2)將步驟I)所得半成品置于快速退火爐中，在400°C、大氣條件下保溫5min進(jìn)行退火處理，后自然冷卻至室溫，即得所述鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜。
[0094]經(jīng)檢測(cè)，本實(shí)施例所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的薄膜厚度為240nm，對(duì)可見光的透射率為85%以上，電阻率為6 X 10—3 Ω.cm。
[0095]對(duì)本實(shí)施例所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜進(jìn)行檢測(cè)，結(jié)果如圖8、9所示。從圖8可以看出，本實(shí)施例所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜對(duì)于可見光的透光率達(dá)到85%以上，具有良好的透光性能。從圖9可以看出，XRD衍射峰為二氧化錫的衍射峰，因此該薄膜主要組分為Sn02。
[0096]實(shí)施例5
[0097]本實(shí)施例的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜，由以下原子數(shù)百分比的組分組成:066.94%,其余為Nb和Sn (Nb、Sn和O的總原子數(shù)為100 % );其中，Nb的原子數(shù)為Nb、Sn原子總數(shù)的5 %。
[0098]本實(shí)施例的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法，包括以下步驟:
[0099]I)以氬氣為等離子體氣源，以氧氣為反應(yīng)氣體，采用遠(yuǎn)源等離子體濺射技術(shù)在玻璃襯底上反應(yīng)濺射沉積薄膜，具體為:
[0100]反應(yīng)濺射之前，將遠(yuǎn)源等離子體濺射系統(tǒng)的濺射腔室內(nèi)抽真空至2.0X10—3Pa,然后向腔室內(nèi)通入流量為70sCCm的氬氣，待腔室內(nèi)的壓強(qiáng)保持穩(wěn)定后，開啟等離子體源發(fā)射系統(tǒng)，使得等離子體源處產(chǎn)生等離子體;開啟等離子體聚束電磁鐵，使得等離子體轟擊靶材，對(duì)靶材進(jìn)行預(yù)濺射；
[0101]等離子體穩(wěn)定后，向腔室內(nèi)通入氧氣，通入氧氣的體積流量占氧氣與氬氣總體積流量的7.1%，濺射腔體內(nèi)的壓力為0.4Pa，所用的氬氣和氧氣均為純度不低于99.999%的高純氣體;待靶材電流和氣壓均穩(wěn)定后，打開緊貼玻璃襯底下方的擋板，室溫條件下開始進(jìn)行反應(yīng)濺射沉積薄膜；
[0102]反應(yīng)濺射過(guò)程中，濺射功率為450W，靶材加速偏壓功率是100W，濺射速度為1nm/min，濺射時(shí)間為18min，濺射溫度為25 °C，玻璃襯底的溫度為常溫；
[0103]其中，其中，濺射靶材為直徑3英寸的錫鈮合金(純度為5N)，Nb的原子數(shù)為Nb、Sn原子總數(shù)的5% ；
[0104]反應(yīng)濺射完成后，關(guān)閉玻璃襯底下方的擋板，玻璃襯底上已沉積一層納米薄膜，SP得半成品；
[0105]2)將步驟I)所得半成品置于快速退火爐中，在400°C、大氣條件下保溫5min進(jìn)行退火處理，后自然冷卻至室溫，即得所述鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜。
[0106]經(jīng)檢測(cè)，本實(shí)施例所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的薄膜厚度為180nm，對(duì)可見光的透射率為85%以上，電阻率為1.79 X 10—2 Ω.cm。
[0107]實(shí)施例6
[0108]本實(shí)施例的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜，由以下原子數(shù)百分比的組分組成:067.08%,其余為Nb和Sn (Nb、Sn和O的總原子數(shù)為100 % );其中，Nb的原子數(shù)為Nb、Sn原子總數(shù)的7.5%。
[0109]本實(shí)施例的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法，包括以下步驟:
[0110]I)以氬氣為等離子體氣源，以氧氣為反應(yīng)氣體，采用遠(yuǎn)源等離子體濺射技術(shù)在玻璃襯底上反應(yīng)濺射沉積薄膜，具體為:
[0111]反應(yīng)濺射之前，將遠(yuǎn)源等離子體濺射系統(tǒng)的濺射腔室內(nèi)抽真空至2.0X10—3Pa,然后向腔室內(nèi)通入流量為70sCCm的氬氣，待腔室內(nèi)的壓強(qiáng)保持穩(wěn)定后，開啟等離子體源發(fā)射系統(tǒng)，使得等離子體源處產(chǎn)生等離子體;開啟等離子體聚束電磁鐵，使得等離子體轟擊靶材，對(duì)靶材進(jìn)行預(yù)濺射；
[0112]等離子體穩(wěn)定后，向腔室內(nèi)通入氧氣，通入氧氣的體積流量占氧氣與氬氣總體積流量的4.3%,濺射腔體內(nèi)的壓力為0.35Pa，所用的氬氣和氧氣均為純度不低于99.999 %的高純氣體;待靶材電流和氣壓均穩(wěn)定后，打開緊貼玻璃襯底下方的擋板，室溫條件下開始進(jìn)行反應(yīng)濺射沉積薄膜；
[0113]反應(yīng)濺射過(guò)程中，濺射功率為550W，靶材加速偏壓功率是100W，濺射速度為8nm/min，濺射時(shí)間為20min，濺射溫度為25 °C，玻璃襯底的溫度為常溫；
[0114]其中，濺射靶材為直徑3英寸的錫鈮合金(純度為5N)，Nb的原子數(shù)為Nb、Sn原子總數(shù)的7.5%;
[0115]反應(yīng)濺射完成后，關(guān)閉玻璃襯底下方的擋板，玻璃襯底上已沉積一層納米薄膜，SP得半成品；
[0116]2)將步驟I)所得半成品置于快速退火爐中，在300°C、大氣條件下保溫5min進(jìn)行退火處理，后自然冷卻至室溫，即得所述鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜。
[0117]經(jīng)檢測(cè)，本實(shí)施例所得鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的薄膜厚度為160nm，對(duì)可見光的透射率為85%以上，電阻率為2.55 X 10—3 Ω.cm。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜，其特征在于:該透明導(dǎo)電膜由以下原子數(shù)百分比的組分組成:O 63 %?70%，其余為Nb和Sn;其中，Nb的原子數(shù)為Nb、Sn原子總數(shù)的I %?2.—種如權(quán)利要求1所述的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于:包括以下步驟: 1)以氬氣為等離子體氣源，以氧氣為反應(yīng)氣體，采用遠(yuǎn)源等離子體濺射技術(shù)在襯底上濺射沉積薄膜，得半成品； 2)將步驟I)所得半成品進(jìn)行退火處理，即得。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于:濺射所用的靶材為鈮錫合金、鈮錫金屬組合鈀或鈮錫金屬氧化物;所述鈮錫合金中，Nb的原子數(shù)為Nb、Sn原子總數(shù)的1%?9% ;所述鈮錫金屬組合鈀中，鈮靶的面積為鈮靶、錫靶總面積的1%?9% ;所述銀錫金屬氧化物中，Nb的原子數(shù)為Nb、Sn原子總數(shù)的1%?9%。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于:濺射沉積薄膜之前，將濺射腔體內(nèi)抽真空至真空度不大于2.0 X 10—3Pa。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于:步驟I)的濺射過(guò)程中，通入氧氣的體積流量占氧氣與氬氣通入總體積流量的1.5%?8%，濺射腔體內(nèi)的壓力為3.5?4.5Pa。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于:步驟I)的濺射過(guò)程中，等離子體源功率密度為2?24W/cm2，產(chǎn)生離子能量低于50eV的低能等離子體。7.根據(jù)權(quán)利要求2或6所述的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于:步驟I)的濺射過(guò)程中，靶材直流功率密度為I?12ff/cm2，使靶材當(dāng)量偏壓在-60?-550V。8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于:步驟I)的派射過(guò)程中，薄膜沉積速率為5?25nm/miη，沉積時(shí)間為1?20miη。9.根據(jù)權(quán)利要求2或6所述的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于:步驟I)的濺射過(guò)程中，沉積時(shí)襯底加熱溫度不高于400°C。10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈮摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于:步驟2)中，所述退火處理的溫度為100?400°C，保溫時(shí)間為3?20min。
【文檔編號(hào)】C23C14/46GK105821378SQ201610339080
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年5月20日
【發(fā)明人】邵國(guó)勝, 胡俊華, 郭美瀾, 宋安剛, 韓小平
【申請(qǐng)人】鄭州大學(xué)