1.一種利用二氧化錫催化生長(zhǎng)Si納米線的方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)催化生長(zhǎng)硅納米線的金屬氧化物SnO2的制備：
將摻氟氧化錫涂層導(dǎo)電玻璃作為襯底，并置于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置的真空腔內(nèi)的下極靶樣品臺(tái)上；抽至真空，同時(shí)加熱襯底；再通入Ar氣并電離成等離子體，同時(shí)采用流動(dòng)的Ar氣調(diào)節(jié)真空腔內(nèi)的壓強(qiáng)維持在10-100Pa；然后通入SiH4和H2，摻氟氧化錫涂層導(dǎo)電玻璃上的摻氟氧化錫涂層融化成直徑為0.2-0.5μm的液相SnO2球體；
2)根據(jù)固-液-氣生長(zhǎng)原理催化生長(zhǎng)硅納米線：
在真空下，加熱到沉積溫度450-750℃，并以沉積功率為10-75W、沉積壓強(qiáng)為80-140Pa、沉積時(shí)間為50-90min、靶間距離為2.5-3cm進(jìn)行沉積，得到Si納米線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用二氧化錫催化生長(zhǎng)Si納米線的方法，其特征在于，摻氟氧化錫涂層導(dǎo)電玻璃上摻氟氧化錫涂層的厚度為0.15-0.4μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用二氧化錫催化生長(zhǎng)Si納米線的方法，其特征在于，加熱襯底的溫度為200-350℃，加熱的時(shí)間為3-8分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用二氧化錫催化生長(zhǎng)Si納米線的方法，其特征在于，SiH4的流量為2-20Sccm，H2的流量為10-100Sccm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用二氧化錫催化生長(zhǎng)Si納米線的方法，其特征在于，步驟1)和步驟2)中的真空度均為1×10-4Pa。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用二氧化錫催化生長(zhǎng)Si納米線的方法，其特征在于，進(jìn)行步驟1)前，將摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃于室溫下置于無水乙醇中超聲波震蕩去除摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表面的污漬。