1.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
第一芯片，所述第一芯片的有源面設(shè)置有粘結(jié)層，所述粘結(jié)層對應(yīng)所述第一芯片的焊盤設(shè)置有粘結(jié)層盲孔，所述第一芯片非有源面的其他側(cè)面有包覆材料包封；
介質(zhì)層，設(shè)置在所述粘結(jié)層上方，所述介質(zhì)層上設(shè)置有與所述粘結(jié)層盲孔對應(yīng)設(shè)置的介質(zhì)層盲孔，所述粘結(jié)層盲孔和所述介質(zhì)層盲孔中填充有導(dǎo)電材料；
第一重布線層，與所述粘結(jié)層盲孔和所述介質(zhì)層盲孔中填充的導(dǎo)電材料電連接；
焊球，與所述第一重布線層電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
第一絕緣層，位于所述第一重布線層上遠(yuǎn)離所述介質(zhì)層的一側(cè)，所述第一絕緣層上形成有第一開口，所述焊球通過所述第一開口與所述第一重布線層電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介質(zhì)層和所述包覆材料的材料為ABF、FR-4、BT樹脂或者聚丙烯。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
至少一個第二芯片封裝層，位于所述包覆材料遠(yuǎn)離所述第一芯片的一側(cè)，所述第二芯片封裝層包括第二芯片和第二重布線層，所述第二芯片和所述第二重布線層電連接，所述第二重布線層和所述第一重布線層電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
至少一個通孔，所述通孔位于所述第一芯片兩端的包覆材料和介質(zhì)層中，所述通孔貫穿所述包覆材料和所述介質(zhì)層，所述通孔內(nèi)表面設(shè)置有導(dǎo)電材料，所述第一重布線層和所述第二重布線層通過所述通孔內(nèi)表面設(shè)置的導(dǎo)電材料電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二芯片封裝層還包括：
第二絕緣層，位于所述第二芯片與所述第二重布線層之間，所述第二絕緣層上形成有第二開口，所述第二芯片和所述第二重布線層通過所述第二開口電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的材料為阻焊綠油或者有機材料。
8.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：
提供一載板，分別在所述載板的上下表面制備雙層剝離結(jié)構(gòu)，所述雙層剝離結(jié)構(gòu)包括上層結(jié)構(gòu)和下層結(jié)構(gòu)；
分別在所述雙層剝離結(jié)構(gòu)上遠(yuǎn)離所述載板的一側(cè)制備介質(zhì)層，所述介質(zhì)層覆蓋所述雙層剝離結(jié)構(gòu)；
在所述介質(zhì)層預(yù)設(shè)位置處制備至少一個介質(zhì)層盲孔，所述介質(zhì)層盲孔貫穿所述介質(zhì)層；
在所述介質(zhì)層盲孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料；
提供第一芯片，所述第一芯片包括有源面以及位于所述有源面上的至少一個焊盤，所述第一芯片的有源面設(shè)置有粘結(jié)層，將所述第一芯片通過所述粘結(jié)層倒裝在所述介質(zhì)層上，所述焊盤與所述介質(zhì)層盲孔對應(yīng)；
在所述第一芯片非有源面的其他側(cè)面制備包覆材料，所述包覆材料包封所述第一芯片；
將所述雙層剝離結(jié)構(gòu)的上層結(jié)構(gòu)和下層結(jié)構(gòu)進行剝離，得到兩個芯片封裝結(jié)構(gòu)，所述上層結(jié)構(gòu)位于所述芯片封裝結(jié)構(gòu)上，所述下層結(jié)構(gòu)位于所述載板上；
刻蝕所述上層結(jié)構(gòu)以及所述介質(zhì)層盲孔內(nèi)的導(dǎo)電材料，露出所述介質(zhì)層和所述粘結(jié)層；
刻蝕所述粘結(jié)層，形成至少一個粘結(jié)層盲孔，所述粘結(jié)層盲孔貫穿所述粘結(jié)層；
在所述介質(zhì)層盲孔和所述粘結(jié)層盲孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料，并在所述介質(zhì)層上遠(yuǎn)離所述第一芯片的一側(cè)制備第一重布線層，所述第一重布線層與所述介質(zhì)層盲孔對應(yīng)設(shè)置；
在所述第一重布線層上遠(yuǎn)離所述介質(zhì)層的一側(cè)制備焊球，所述焊球與所述第一重布線層電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，在所述介質(zhì)層上遠(yuǎn)離所述第一芯片的一側(cè)制備第一重布線層之后，在所述第一重布線層上遠(yuǎn)離所述介質(zhì)層的一側(cè)制備焊球之前，還包括：
在所述第一重布線層上遠(yuǎn)離所述介質(zhì)層的一側(cè)制備第一絕緣層；
刻蝕所述第一絕緣層形成第一開口，所述第一開口露出所述第一重布線層；
通過所述第一開口制備焊球。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，在所述介質(zhì)層中預(yù)設(shè)位置處制備至少一個介質(zhì)層盲孔，包括：
使用激光刻蝕的方式，在所述介質(zhì)層中預(yù)設(shè)位置處制備至少一個介質(zhì)層盲孔，且激光刻蝕時的能量為0.5-1.0mJ。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，刻蝕所述粘結(jié)層，形成粘結(jié)層盲孔，包括：
使用激光刻蝕的方式，刻蝕所述粘結(jié)層，形成粘結(jié)層盲孔，且激光刻蝕時的能量為0.1-0.3mJ。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，將所述第一芯片通過粘結(jié)層倒裝在所述介質(zhì)層上，包括：
采用貼片機或者倒裝焊機將所述第一芯片通過粘結(jié)層倒裝在所述介質(zhì)層上。
13.根據(jù)權(quán)利要求8-12任一項所述的制備方法，其特征在于，在所述第一重布線層上遠(yuǎn)離所述介質(zhì)層的一側(cè)制備焊球之后，還包括：
在所述包覆材料上遠(yuǎn)離所述第一芯片的一側(cè)制備至少一個第二芯片封裝層，所述第二芯片封裝層包括第二芯片和第二重布線層，所述第二芯片和所述第二重布線層電連接，所述第二重布線層和所述第一重布線層電連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制備方法，其特征在于，在刻蝕所述粘結(jié)層，形成粘結(jié)層盲孔的同時，還包括：
刻蝕所述介質(zhì)層和所述包覆材料，形成至少一個通孔，所述通孔貫穿所述介質(zhì)層和所述包覆材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制備方法，其特征在于，在所述介質(zhì)層盲孔和所述粘結(jié)層盲孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料，并在所述介質(zhì)層上遠(yuǎn)離所述第一芯片的一側(cè)制備第一重布線層的同時，還包括：
在所述通孔內(nèi)表面填充導(dǎo)電材料；
在所述包覆材料上遠(yuǎn)離所述第一芯片的一側(cè)制備第二重布線層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制備方法，其特征在于，在所述包覆材料上遠(yuǎn)離所述第一芯片的一側(cè)制備第二重布線層之后，還包括：
在所述第二重布線層上遠(yuǎn)離所述包覆材料的一側(cè)制備第二絕緣層，所述第二絕緣層上形成有第二開口，所述第二芯片和所述第二重布線層通過所述第二開口電連接。