本發(fā)明涉及一種封裝基板的技術(shù)，可應(yīng)用于鑄模內(nèi)銅連接(Copper Connection in Molding，簡(jiǎn)稱C2iM)、印刷電路板(Printed-Circuit Board，簡(jiǎn)稱PCB)、無(wú)核心層載板(Coreless substrate)等電路板的封裝，屬于半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

新一代的電子產(chǎn)品不僅追求輕薄短小，更朝多功能與高性能的方向發(fā)展，因此，集成電路(Integrated Circuit，簡(jiǎn)稱IC)技術(shù)不斷地高密度化與微型化，以期在有限的晶片空間容納更多的電子元件，而其后端的封裝基板及其構(gòu)裝技術(shù)亦隨之進(jìn)展，以符合此新一代的電子產(chǎn)品趨勢(shì)。

其中，以鑄模(Molding)技術(shù)制作的封裝基板可同時(shí)提供細(xì)線路及薄型化的優(yōu)勢(shì)，而適用于光學(xué)模組和移動(dòng)裝置等電子產(chǎn)品。然而，一般用于鑄模技術(shù)的鑄?；衔?Epoxy Molding Compound，簡(jiǎn)稱EMC)在成形后為硬脆的剛性材質(zhì)，而在鑄模步驟的后續(xù)制程中，容易發(fā)生損傷或碎裂的狀況。因此，有必要發(fā)展新的封裝基板技術(shù)，以對(duì)應(yīng)及改善上述的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為達(dá)成此目的，本發(fā)明提供一種封裝基板，其包括：一硬性介電材料層；一第一導(dǎo)線層，包含至少一第一金屬走線，形成于該硬性介電材料層上；以及一第一柔性介電材料層，形成于該第一導(dǎo)線層上。

在一實(shí)施例中，該硬性介電材料層選自環(huán)氧樹脂鑄?；衔?、FR-4環(huán)氧樹脂玻璃纖維、FR-5環(huán)氧樹脂玻璃纖維、BT樹脂及ABF樹脂所組成的材料群中的任一種。

在一實(shí)施例中，該第一柔性介電材料層選自聚亞酰胺、PEN、液晶塑膠、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、或聚四氟乙烯所組成的材料群中的任一種。

在一實(shí)施例中，該封裝基板進(jìn)一步包含：一第二柔性介電材料層，形成于 該硬性介電材料層下。

在一實(shí)施例中，該封裝基板進(jìn)一步包含：一第二導(dǎo)線層，包含至少一第二金屬走線，形成于該硬性介電材料層與該第二柔性介電材料層之間。

在一實(shí)施例中，該封裝基板進(jìn)一步包含：一導(dǎo)電連接單元，穿過(guò)該硬性介電材料層，并連接該第一導(dǎo)線層與該第二導(dǎo)線層。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種封裝基板，其包括：一第一柔性介電材料層；一第一導(dǎo)線層，包含至少一第一金屬走線，形成于該第一柔性介電材料層上；一多層介電層，形成于該第一導(dǎo)線層上；一第二導(dǎo)線層，包含至少一第二金屬走線，形成于該多層介電層上；以及一第二柔性介電材料層，形成于該第二導(dǎo)線層上；其中，該多層介電層包含：一第一硬性介電材料層、一形成于該第一硬性介電材料層上的第三柔性介電材料層、及一形成于該第三柔性介電材料層上的第二硬性介電材料層。

在一實(shí)施例中，該封裝基板進(jìn)一步包含：一導(dǎo)電連接單元，穿過(guò)該多層介電層，并連接該第一導(dǎo)線層與該第二導(dǎo)線層。

在一實(shí)施例中，該第一及第二硬性介電材料層選自環(huán)氧樹脂鑄模化合物、FR-4環(huán)氧樹脂玻璃纖維、FR-5環(huán)氧樹脂玻璃纖維、BT樹脂及ABF樹脂所組成的材料群中的任一種。

在一實(shí)施例中，該第一、第二、及第三柔性介電材料層選自聚亞酰胺、PEN、液晶塑膠、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、或聚四氟乙烯所組成的材料群中的任一種。

附圖說(shuō)明

圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖。

圖2為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖。

圖3為根據(jù)第二實(shí)施例而以印刷電路板為基本架構(gòu)的封裝基板的剖面示意圖。

圖4為根據(jù)第二實(shí)施例而以無(wú)核心層載板為基本架構(gòu)的封裝基板的剖面示意圖。

圖5為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的封裝基板的剖面示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：100、200、300-封裝基板；110、210-硬性介電材料層；120、220、320-第一導(dǎo)線層；121、122-第一金屬走線；130、230、310-第一柔性介電材料層；131-接線開口；140、240、350-第二柔性介電材料層；250、340-第二 導(dǎo)線層；260、360-導(dǎo)電連接單元；330-多層介電層；332-第一硬性介電材料層；334-第三柔性介電材料層；336-第二硬性介電材料層。

具體實(shí)施方式

為使對(duì)本發(fā)明的特征、目的及功能有更進(jìn)一步的認(rèn)知與了解，茲配合圖式詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例如后。在所有的說(shuō)明書及圖示中，將采用相同的元件編號(hào)以指定相同或類似的元件。

在各個(gè)實(shí)施例的說(shuō)明中，當(dāng)一元素被描述是在另一元素之「上方/上」或「下方/下」，指直接地或間接地在該另一元素之上或之下的情況，其可能包含設(shè)置于其間的其他元素；所謂的「直接地」指其間并未設(shè)置其他中介元素?！干戏?上」或「下方/下」等的描述以圖式為基準(zhǔn)進(jìn)行說(shuō)明，但也包含其他可能的方向轉(zhuǎn)變。所謂的「第一」、「第二」、及「第三」用以描述不同的元素，這些元素并不因?yàn)榇祟惙Q謂而受到限制。為了說(shuō)明上的便利和明確，圖式中各元素的厚度或尺寸，以夸張或省略或概略的方式表示，且各元素的尺寸并未完全為其實(shí)際的尺寸。

本發(fā)明所提出的封裝基板技術(shù)可應(yīng)用于鑄模內(nèi)銅連接(C2iM)、印刷電路板(PCB)、無(wú)核心層載板等電路板的封裝。以下將先描述各種可能的實(shí)施例的封裝基板結(jié)構(gòu)，之后會(huì)再說(shuō)明如何將這些封裝基板結(jié)構(gòu)施加于鑄模內(nèi)銅連接(C2iM)、印刷電路板、及無(wú)核心層載板等電路板的封裝。

圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的封裝基板100的剖面示意圖。該封裝基板100包含：一硬性介電材料層110、一第一導(dǎo)線層120、以及一第一柔性介電材料層130。該硬性介電材料層110用以支持或承載整個(gè)封裝基板元件，例如，倘若此封裝基板的結(jié)構(gòu)建立在鑄模內(nèi)銅連接(C2iM)或無(wú)核心層載板的基礎(chǔ)上，則該硬性介電材料層110的組成材質(zhì)可以是環(huán)氧樹脂鑄?；衔?EMC)、BT(Bismaleimide Triazine)樹脂、或ABF(Ajinomoto Build-up Film)樹脂；而倘若此封裝基板的結(jié)構(gòu)建立在印刷電路板的基礎(chǔ)上，則該硬性介電材料層110的組成材質(zhì)可以是FR-4或FR-5環(huán)氧樹脂玻璃纖維。上述的介電材料都有剛硬易脆的屬性，因而可能會(huì)造成在封裝基板元件制作及組裝過(guò)程(例如，沖壓及貼合)中的損傷、破裂。

該第一導(dǎo)線層120包含至少一第一金屬走線121、122，其可借助于微影蝕刻(Photolithography)制程而圖案化成該封裝基板100的電路布局。例如，先在該 硬性介電材料層110上以濺鍍(Sputtering coating)或蒸鍍(Evaporation)方式形成一金屬層(例如，銅(Cu)、鎳(Ni)、錫(Sn)及鎳/金(Ni/Au)之組合或合金)，接著涂布一光阻層(未圖示)于該金屬層上，并以微影蝕刻制程將該光阻層的該等第一金屬走線121、122之外的部分去除，使得該光阻層的剩余部分形成該金屬層的蝕刻遮罩，則在施以蝕刻(Etching)制程之后，該金屬層未被移除的剩余部分即可形成該等第一金屬走線121、122。在第1圖中，復(fù)數(shù)個(gè)第一金屬走線121的寬度不同于復(fù)數(shù)個(gè)第一金屬走線122的寬度；但不以此為限，該第一導(dǎo)線層120亦可包含另一種寬度的金屬走線。

該第一柔性介電材料層130形成于該第一導(dǎo)線層120上，并且可依據(jù)該第一導(dǎo)線層120連接至外部電路的實(shí)際需要，而在該第一柔性介電材料層130中開設(shè)接線開口131。該第一柔性介電材料層130的組成材質(zhì)可以是聚亞酰胺(PolyImide，簡(jiǎn)稱PI)、PEN(polyethylene naphthalate)、液晶塑膠(Liquid Crystal Plastic，簡(jiǎn)稱LCP)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PolyEthylene Terephthalate，簡(jiǎn)稱PET)、或聚四氟乙烯(PolyTetraFluoroEthylene，簡(jiǎn)稱PTFE)等柔韌性的聚合物材料。由于上述的介電材料都有柔韌彈性的屬性，因此可緩沖或減少封裝基板元件可能的彎折或撞擊，而不致造成上述封裝基板元件制作過(guò)程中的損傷、破裂。該第一柔性介電材料層130形成于該封裝基板100的最上層，并包覆該等第一金屬走線121、122，用以保護(hù)該封裝基板100免于受到來(lái)自外部環(huán)境或后續(xù)制程(例如，焊接)的可能傷害。

在另一實(shí)施例中，一第二柔性介電材料層140可進(jìn)一步形成于該硬性介電材料層110之下，如圖1所示，則該第一柔性介電材料層130與該第二柔性介電材料層140一上一下地將該硬性介電材料層110與該第一導(dǎo)線層120包夾于其中，如同三明治一般。該第二柔性介電材料層140的組成材質(zhì)亦可以是聚亞酰胺(PI)、PEN、液晶塑膠(LCP)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、或聚四氟乙烯(PTFE)等柔韌性的聚合物材料，其可選擇與該第一柔性介電材料層130相同或不同的材料，本發(fā)明對(duì)此不加以限制。如此，上下兩層的柔性層將可提高該封裝基板100的可撓度。

圖2為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的封裝基板200的剖面示意圖。該封裝基板200包含：一硬性介電材料層210、一第一導(dǎo)線層220、一第一柔性介電材料層230、一第二柔性介電材料層240、一第二導(dǎo)線層250、以及一導(dǎo)電連接單元260；也就是說(shuō)，該封裝基板200為雙導(dǎo)線層的封裝基板元件。在本實(shí)施例中，該硬 性介電材料層210、該第一導(dǎo)線層220、該第一柔性介電材料層230以及該第二柔性介電材料層240的功能與組成材料基本上皆分別同于第一實(shí)施例的該硬性介電材料層110、該第一導(dǎo)線層120、該第一柔性介電材料層130以及該第二柔性介電材料層140，其相關(guān)描述請(qǐng)參閱上文，在此不再贅述。該第一導(dǎo)線層220包含至少一第一金屬走線221、222，且由于制作程序的差異，本實(shí)施例的第一導(dǎo)線層220嵌置于該硬性介電材料層210的上表面，而不像第一實(shí)施例的第一導(dǎo)線層120完全設(shè)置于該硬性介電材料層110之上；但不以此為限，本實(shí)施例的第一導(dǎo)線層220亦可以完全設(shè)置于該硬性介電材料層110之上。

該第二導(dǎo)線層250包含至少一第二金屬走線，其形成于該硬性介電材料層210與該第二柔性介電材料層240之間。該第二導(dǎo)線層250的功能與組成材料基本上類似于該第一導(dǎo)線層220(其相關(guān)描述請(qǐng)參閱上文，在此不再贅述)，惟二者的位置分別在該硬性介電材料層210之上與之下，而形成該雙層封裝基板200的上層與下層電路布局。

倘若該第一導(dǎo)線層220與該第二導(dǎo)線層250之間有電性連接的必要，則其間可增設(shè)該導(dǎo)電連接單元260。例如，倘若此封裝基板的結(jié)構(gòu)建立在鑄模內(nèi)銅連接(C2iM)的基礎(chǔ)上，則該導(dǎo)電連接單元260可以是貫穿該硬性介電材料層210的金屬柱狀物(例如，銅柱)；而倘若此封裝基板的結(jié)構(gòu)系建立在印刷電路板或無(wú)核心層載板的基礎(chǔ)上，則該導(dǎo)電連接單元260可以是在貫穿該硬性介電材料層210的通道內(nèi)填滿導(dǎo)電材料(例如，銅、鋁、錫)的導(dǎo)電通道。

借助于本實(shí)施例，該封裝基板200可發(fā)展出以下的例子。圖3為根據(jù)本實(shí)施例而以印刷電路板為基本架構(gòu)的封裝基板的剖面示意圖，其中，該硬性介電材料層210基本上就是一塊印刷電路板，其組成材質(zhì)可以是FR-4或FR-5環(huán)氧樹脂玻璃纖維。此外，圖4為根據(jù)本實(shí)施例而以無(wú)核心層載板為基本架構(gòu)的封裝基板的剖面示意圖，其中，該硬性介電材料層210的組成材質(zhì)可以是環(huán)氧樹脂鑄?；衔?、BT樹脂、或ABF樹脂。

圖5為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的封裝基板300的剖面示意圖。該封裝基板300包含：一第一柔性介電材料層310、一第一導(dǎo)線層320、一多層介電層330、一第二導(dǎo)線層340、以及一第二柔性介電材料層350；也就是說(shuō)，該封裝基板300為多導(dǎo)線層的封裝基板元件，而本實(shí)施例以雙導(dǎo)電層的案例。在本實(shí)施例中，該第一柔性介電材料層310、該第一導(dǎo)線層320、該第二導(dǎo)線層340、以及該一第二柔性介電材料層350的功能與組成材料基本上皆分別同于第二實(shí)施例的該 第二柔性介電材料層240、該第二導(dǎo)線層250、該第一導(dǎo)線層220、以及該第一柔性介電材料層230，其相關(guān)描述請(qǐng)參閱上文，在此不再贅述。第二實(shí)施例的該硬性介電材料層210在本實(shí)施例中被該多層介電層330所取代，而該多層介電層330并非完全是由硬性介電材料所組成。在本實(shí)施例中，該多層介電層330可包含一第一硬性介電材料層332、一第三柔性介電材料層334、及一第二硬性介電材料層336；就其空間位置而言，該第三柔性介電材料層334形成于該第一硬性介電材料層332上，該第二硬性介電材料層336則形成于該第三柔性介電材料層334上，而形成多層結(jié)構(gòu)的介電材料。該第一硬性介電材料層332及該第二硬性介電材料層336的功能與組成材料基本上皆同于第一實(shí)施例的該硬性介電材料層110，該第三柔性介電材料層334的功能與組成材料則基本上同于第一實(shí)施例的該第一柔性介電材料層130，其相關(guān)描述請(qǐng)參閱上文，在此不再贅述。藉此，上中下三層的柔性層將可更進(jìn)一步提高該封裝基板300的可撓度。

在另一實(shí)施例中，倘若該第一導(dǎo)線層320與該第二導(dǎo)線層340之間有電性連接的必要，則其間可增設(shè)一導(dǎo)電連接單元360。例如，倘若此封裝基板的結(jié)構(gòu)系建立在鑄模內(nèi)銅連接(C2iM)的基礎(chǔ)上，則該導(dǎo)電連接單元360可以是貫穿該多層介電層330的金屬柱狀物(例如，銅柱)；而倘若此封裝基板的結(jié)構(gòu)系建立在印刷電路板或無(wú)核心層載板的基礎(chǔ)上，則該導(dǎo)電連接單元360可以是在貫穿該多層介電層330的通道內(nèi)填滿導(dǎo)電材料(例如，銅、鋁、錫)的導(dǎo)電通道。但本發(fā)明不以此為限制，該封裝基板300可依據(jù)電路設(shè)計(jì)上的實(shí)際需要，設(shè)置更多的柔性介電材料層或是導(dǎo)線層，以在可達(dá)成其電路功能的前提下，同時(shí)能保證該封裝基板300的可撓度。

以上這些實(shí)施例僅是范例性的，并不對(duì)本發(fā)明的范圍構(gòu)成任何限制。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍下可以對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的細(xì)節(jié)和形式進(jìn)行修改或替換，但這些修改和替換均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。