專利名稱：封裝基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種封裝基板，尤指一種線路層具有大面積導(dǎo)體區(qū)塊的封裝基板。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢。目前半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)已開發(fā)出不同的封裝型態(tài)。而針對不同的封裝結(jié)構(gòu)，亦發(fā)展出各種封裝用的封裝基板，例如芯片尺寸覆晶載板(Flip Chip Chip Size Package，F(xiàn)CCSP)或覆晶載板(Flip Chip ballgrid array FCBGA)。對細(xì)間距(fine pitch)的芯片尺寸覆晶載板(FCCSP)或覆晶載板(FCBGA)而言，同時具有細(xì)線路(線寬小于IOum)與大尺寸的連接墊(徑寬大于130um)、接地區(qū)(徑寬大于200um)及粗線路(線寬大于20um)。圖1A至圖1F為現(xiàn)有具細(xì)線路與大尺寸金屬部的封裝基板I的制法。如圖1A所示， 提供一表面配置多個線路101及電性連接墊100的承載層10，該承載層10為核心板及多層封裝基板的介電層的其中一者。如圖1B所示，于該承載層10、線路101及電性連接墊100表面上形成一介電層11，且該介電層11形成友多個盲孔110以顯露該電性連接墊100的表面。如圖1C所不,于該介電層11表面上形成一導(dǎo)電層13。如圖1D所示，于該導(dǎo)電層13表面上形成一阻層14，且于該阻層14上形成多個小面積線路槽141及一大面積開口區(qū)140，以顯露該些電性連接墊100上的導(dǎo)電層13。如圖1E所示，借由該導(dǎo)電層13作為電鍍的電流傳導(dǎo)路徑以形成電性連接該電性連接墊100的線路層15，其包括形成于該線路槽141中的線路151、形成于該些盲孔110中的導(dǎo)電盲孔150、以及形成于該開口區(qū)140中的導(dǎo)體區(qū)塊152。如圖1F及圖1F’所示，移除該阻層14及其下的導(dǎo)電層13。然而，現(xiàn)有制法中，該導(dǎo)體區(qū)塊152于電鍍形成時，因該開口區(qū)140的電流密度小于該線路槽141的電流密度，以致該導(dǎo)體區(qū)塊152易厚度不足，而與該線路151之間有一落差e，甚至產(chǎn)生凹陷K。如此，將造成該導(dǎo)體區(qū)塊152的整面厚度不均勻，導(dǎo)致進行增層線路的電性連接時，該增層線路中的介電層厚度分布不均造成增層時的盲孔加工困難，而造成電性連接品質(zhì)不佳及阻抗控制不良。因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，實已成為目前業(yè)界亟待克服的難題。

實用新型內(nèi)容鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本實用新型的一目的在于提供一種封裝基板，得以避免造成大面積區(qū)導(dǎo)體區(qū)塊厚度不足或中央凹陷，致該線路層厚度不均勻的問題。本實用新型的另一目的為提供一種封裝基板，以避免后續(xù)線路增層時電性連接品質(zhì)不佳及阻抗控制不良的情況。[0014]為達(dá)上揭目的及其它目的，本實用新型提供一種封裝基板，其包括一介電層，其具有多個線路槽及至少一開口區(qū)，該些線路槽連通該開口區(qū)，而該開口區(qū)中具有由多個內(nèi)部墻壁分隔而成的多個相通的隔間，且該開口區(qū)的周緣壁面高度大于該內(nèi)部墻壁的高度；一線路層，形成于該線路槽中；以及導(dǎo)體塊，其形成于該開口區(qū)的隔間中。前述的封裝基板中，位于該開口區(qū)邊緣的隔間的容積大于其它該隔間的容積。前述的封裝基板中，位于該隔間的容積由該開口區(qū)邊緣向內(nèi)遞減。前述的封裝基板中，位于該開口區(qū)中間處的內(nèi)部墻壁的高度大于其它該內(nèi)部墻壁的高度。前述的封裝基板中，該介電層為核心板或多層封裝基板的介電層。前述的封裝基板中，該介電層中具有多個導(dǎo)電盲孔，且該些線路層位于該導(dǎo)電盲孔的上且電性連接該導(dǎo)電盲孔，而該導(dǎo)體塊位于該導(dǎo)電盲孔的上并電性連接部分該導(dǎo)電盲孔。此外，該介電層可包含堆棧的第一介電層與第二介電層，該第一介電層中具有該些導(dǎo)電盲孔，而該第二介電層中具有該線路層及該導(dǎo)體塊。前述的封裝基板中，該隔間的內(nèi)部墻壁的頂面外露于該導(dǎo)體塊表面，且該些隔間呈幾何形狀的數(shù)組布局。前述的封裝基板中，該導(dǎo)體塊電性連接該線路層。另外，前述的封裝基板中，還包括一絕緣保護層，其設(shè)于該介電層與該線路層上，并具有多個開孔，以外露該導(dǎo)體塊。由上可知，本實用新型的封裝基板，其借由該開口區(qū)中形成多個隔間，使金屬材形成于該開口區(qū)中時，得以縮小電鍍時該開口區(qū)的電流密度分布與線路槽的電流密度分布間的差異，以避免造成該些 導(dǎo)體塊厚度不足或中央凹陷等問題，以利于后續(xù)線路增層結(jié)構(gòu)電性連接線路層時，得以避免電性連接品質(zhì)不佳及阻抗控制不良的情況。此外，借由位于該開口區(qū)邊緣的隔間的容積大于其它該隔間的容積的設(shè)計，以避免其周圍爆充填平能力過強(后續(xù)詳述)，所以能避免該開口區(qū)周圍區(qū)域線路的金屬層較厚的問題。再者，借由位于該開口區(qū)中間處的內(nèi)部墻壁的高度大于其它該內(nèi)部墻壁的高度的設(shè)計，使進行電鍍工藝時的銅離子停在該開口區(qū)中間處的時間較久，以減少該線路槽與該開口區(qū)間的電鍍銅厚的差異，而便于進行減銅工藝(后續(xù)詳述)。

圖1A至圖1F為現(xiàn)有封裝基板的制法剖視示意圖；圖1F’為圖1F的立體剖視示意圖；圖2A至圖2D為本實用新型封裝基板的第一實施例的制法的剖視示意圖；其中，圖2A’及圖2C’分別為圖2A及圖2C的局部立體圖，圖2D’及圖2D”分別為圖2D的不同實施例的立體圖及上視圖；以及圖3A至圖3B為本實用新型封裝基板的第二實施例的制法的剖視示意圖；其中，圖3A’為圖3A的另一實施例。主要組件符號說明I, 2, 3封裝基板[0032]10，20承載層100, 241電性連接墊101, 200a線路11, 22, 250, 32介電層110,210盲孔13, 23a, 33a導(dǎo)電層14阻層140，220，270，270，，320，320，開口區(qū)141，221，221，，321線路槽15，200，24，，24”，251，34’線路層150, 240, 252導(dǎo)電盲孔151線路152導(dǎo)體區(qū)塊21a 第一介電層21b 第二介電層220a, 270a, 322a, 322b內(nèi)部墻壁220b, 220c, 270b, 270c, 270b，，270c，隔間23金屬材24接地墊24a, 34a導(dǎo)體塊25線路增層結(jié)構(gòu)26絕緣保護層260開孔27a, 27b電性接觸墊320a, 320b, 320c隔間34墊部e落差K凹陷S，T, L, hi, h2高度V, W，dl, d2，d3，dl’，d2’，d3，容積。
具體實施方式
以下借由特定的具體實施例說明本實用新型的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本實用新型的其它優(yōu)點及功效。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本實用新型可實施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本實用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本實用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如“上”、“中間”、“第一”、“第二”、及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實用新型可實施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本實用新型可實施的范疇。圖2A至圖2D為本實用新型封裝基板2的第一實施例的制法的剖視示意圖。如圖2A及圖2A’所示，提供一承載層20，其表面配置一圖案化線路層200，且該承載層20為核心板及多層封裝基板的基材。 接著，于該承載層20上形成一介電層22,且該介電層22具有多個盲孔210、多個小面積的線路槽221,221’及一大面積的開口區(qū)220，該線路槽221’連通該開口區(qū)220，而該開口區(qū)220中具有由多個內(nèi)部墻壁220a分隔而成的多個相通的隔間220b，220c，且位于該開口區(qū)220邊緣的隔間220c的容積V大于其它該隔間220b的容積W，此外該開口區(qū)220的周緣壁面高度S (即該介電層32表面高度位置)大于該內(nèi)部墻壁220a的高度T。于本實施例中，該介電層22為核心板或多層封裝基板的介電層，且該開口區(qū)220的形狀為四邊形(如矩形)并以角落側(cè)相連通，而該些隔間220b，220c以激光加工成形而呈數(shù)組布局，并且該些隔間220b，220c的形狀為幾何形狀，如四邊形。此外，該盲孔210連通該些線路槽221與該開口區(qū)220。再者，該介電層22可包含堆棧的第一介電層21a與第二介電層21b,該第一介電層21a中具有該些盲孔210，而該第二介電層21b中具有該線路槽221，221’及開口區(qū)220。另外，有關(guān)該承載層20的內(nèi)部結(jié)構(gòu)并無特別限制，例如，可依需求進行布線，且該布線電性連通該線路層200。如圖2B所示，于該介電層22表面上與該些盲孔210、該些線路槽221，221’及該開口區(qū)220中形成如銅的金屬材23。于本實施例中，先形成導(dǎo)電層23a，即填入電鍍液，再借由該導(dǎo)電層23a作電流途徑以電鍍方式形成該金屬材23。如圖2C及圖2C’所示，蝕刻移除該介電層22表面的上的金屬材23，以于該線路槽221,221，中形成線路層24’，24”，且于該開口區(qū)220的隔間220b, 220c中形成導(dǎo)體塊24a，而于該盲孔210中形成電性連接該線路層200，24’與導(dǎo)體塊24a的導(dǎo)電盲孔240。于本實施例中，因該開口區(qū)220的周緣壁面高度S大于該內(nèi)部墻壁220a的高度T，所以該剩余的金屬材23完全覆蓋該些隔間220b，220c的內(nèi)部墻壁200a的頂面。此外，該些導(dǎo)體塊24a角落側(cè)相連而構(gòu)成一體以作為接地墊24，且該接地墊24電性連接該線路層24”，如圖2C’所示。再者，該承載層20上的部分線路200a并未連接導(dǎo)電盲孔240，如圖2C’所示。另外，該線路層24’具有電性連接墊241。本實用新型的封裝基板2的第一實施例中，利用該開口區(qū)220中形成多個隔間220b, 220c,當(dāng)于該開口區(qū)220中形成該金屬材23 (或該接地墊24)時，能縮小電鍍時該開口區(qū)220的電流密度分布(即電鍍液的量)與該線路槽221的電流密度分布間的差異，以避免造成該開口區(qū)220上的金屬材23 (或該接地墊24)厚度不足或中央凹陷等問題，所以該接地墊24具有平整表面。此外，因該隔間220b，220c的設(shè)計所呈現(xiàn)的爆充填平能力過強，即銅填充力(Cufilling capability)過強，使該開口區(qū)220周圍及其周圍線路(即該線路層24”)的銅厚過高，所以蝕刻移除該該介電層22表面的上的金屬材23后將造成短路(即該線路層24”與其它線路相連)。因此，借由位于該開口區(qū)220邊緣的隔間220c的容積V大于其它該隔間220b的容積W的設(shè)計，以避免其周圍爆充填平能力過強，所以能避免周圍區(qū)域的細(xì)線路的銅層較厚的問題。如圖2D所示，接續(xù)工藝中，于該介電層22、線路層24’，24”及接地墊24上形成線路增層結(jié)構(gòu)25，再于該線路增層結(jié)構(gòu)25上形成一絕緣保護層26，且該絕緣保護層26可例如為防焊層。于本實施例中，該線路增層結(jié)構(gòu)25具有至少一介電層250、形成于該介電層250上的線路層251、及形成于該介電層250中并電性連接該線路層251，24’與該接地墊24的多個導(dǎo)電盲孔252，且最外側(cè)的線路層251具有多個電性接觸墊27a，27b，而該絕緣保護層26設(shè)于該介電層250與該線路層251上，并具有多個開孔260，以令該電性接觸墊27a，27b外露于該些開孔260。借由該接地墊24具有平整表面，得以避免該線路增層結(jié)構(gòu)25的導(dǎo)電盲孔252與該接地墊24之間電性連接不良的情況。此外，于其它實施例中，如圖2D’所示，部分該電性接觸墊27a也可設(shè)計成由該導(dǎo)體塊24a所構(gòu)成。具體地，于該介電層250上形成一開口區(qū)270，且該開口區(qū)270中具有由內(nèi)部墻壁270a分隔而成的多個相通的隔間270b，270c，且位于該開口區(qū)270邊緣的隔間270c的容積大于其它該隔間270b的容積。再者，該開口區(qū)270的形狀為圓形，且該些容積較小的隔間270b為四邊形并呈數(shù)組布局。另外，于構(gòu)成該電性接觸墊27a的開口區(qū)270’的另一實施例中，如圖2D”所示，位于該開口區(qū)270’邊緣的隔間270c’的容積大于其它該隔間270b’的容積，且該些容積較小的隔間270b’呈六邊形且呈數(shù)組布 局。同理，于該開口區(qū)270，270’中形成多個隔間270b，270c，270b’，270c’，使該電性接觸墊形成于該開口區(qū)270，270’中時，得以縮小電鍍時該開口區(qū)270,270’的電流密度分布與線路槽的電流密度分布間的差異，以避免造成該電性接觸墊27a厚度不足或中央凹陷等問題，所以該電性接觸墊27a具有平整表面，因而能避免外部組件與該電性接觸墊27a之間電性連接不良的情況。此外，借由位于該開口區(qū)270，270’邊緣的隔間270c，270c’容積大于其它該隔間270b, 270b容積的設(shè)計，以避免其周圍爆充填平能力過強，所以能避免周圍區(qū)域的線路層251的銅層較厚的問題。圖3A至圖3B為本實用新型封裝基板3的第二實施例的制法的剖視示意圖。本實施例與第一實施例的差異在于開口區(qū)320的結(jié)構(gòu)，其它相關(guān)工藝大致相同，所以不再贅述相同處。如圖3A所不，一介電層32具有盲孔(圖略)、小面積的線路槽321及一大面積的開口區(qū)320，該開口區(qū)320中具有由多個內(nèi)部墻壁322a，322b分隔而成的多個相通的隔間320a, 320b, 320c，且位于該開口區(qū)320中間處的內(nèi)部墻壁322a的高度hi大于其它該內(nèi)部墻壁322b的高度h2。于本實施例中，該些隔間320a, 320b, 320c的容積dl, d2, d3約相等(即d3 = dl =d2)。此外,利用兩次準(zhǔn)分子激光(Excimer Laser)燒蝕該介電層32,第一次先燒蝕出高度較高的內(nèi)部墻壁322a，第二次再燒蝕出高度較低的內(nèi)部墻壁322b。[0089]另外，也可利用二次利用兩次準(zhǔn)分子激光燒蝕的方式，使位于該開口區(qū)320’邊緣的隔間320c的容積d3’大于其它該隔間320a，320b的容積dl’，d2’，如圖3A’所示，該隔間320a，320b, 320c的容積dl’，d2’，d3’由該開口區(qū)320’邊緣向內(nèi)遞減(如圖3A’所示的d3，> d2，> dl’、或圖未示的 d3，> d2，= dl，)。如圖3B所示，接續(xù)第3A’圖的工藝，于形成一導(dǎo)電層33a后，于該線路槽321中形成一線路層34’(如第2B至2C圖的工藝)，且于該開口區(qū)320’的隔間320a，320b, 320c中形成相連的導(dǎo)體塊34a，而該些導(dǎo)體塊34a構(gòu)成一體以作為如電性接觸墊或接地墊的墊部34。于本實施例中，因該開口區(qū)320，320’的周緣壁面高度L (即該介電層32表面高度位置)大于該最高內(nèi)部墻壁322a的高度hl，所以該些內(nèi)部墻壁322a，322b的頂面未外露于該墊部34表面。本實用新型的封裝基板3的第二實施例中，借由該開口區(qū)320，320’中間處的內(nèi)部墻壁322a的高度hi較高，以于逆電流(電鍍工藝)時，形成該導(dǎo)體塊34a的銅離子能停在該開口區(qū)320，320’中間處的時間較久，也就是加速該開口區(qū)320，320’中間處的電鍍沉積速度，致使該開口區(qū)320，320’中間處的質(zhì)量傳遞速度與該線路槽321中的質(zhì)量傳遞速度相似，以令該線路槽321與該開口區(qū)320，320’的電鍍銅厚幾乎相等，而便于進行減銅工藝(如圖2B至圖2C的工藝)，并增加電鍍生產(chǎn)效率，以降低生產(chǎn)成本。因此，能避免該開口區(qū)320，320’上的金屬材厚度不足或中央凹陷等問題，所以該墊部34具有平整表面。此外，借由位于該開口區(qū)320’邊緣的隔間320c的容積d3’大于其它該隔間320a, 320b的容積dl’，d2’的設(shè)計，以避免其周圍爆充填平能力過強，所以能避免周圍區(qū)域的線路層(圖未示)的銅層較厚的問題。本實用新型還提供一種封裝基板2，3，包括一介電層22，32(或介電層250)、一線路層24，，24”，34’(或線路層251)以及多個導(dǎo)體塊24a, 34a。所述的介電層22，32，250為核心板或多層封裝基板的介電層，且具有多個線路槽 221，221’，321 及至少一開口 區(qū) 220，320, 320’(或開口區(qū) 270，270’)，該線路槽221，221’，321連通該開口區(qū)220，270, 270’，320, 320’，而該開口區(qū)220，270，270，，320，320，中具有由多個內(nèi)部墻壁220a, 270a, 322a, 322b分隔而成的多個相通的隔間 220b, 220c, 270b, 270c, 270b，，270c，，320a, 320b, 320c,且該開口區(qū)220，270，270，，320，320，的周緣壁面高度S，L大于該內(nèi)部墻壁220a, 270a, 322a, 322b的高度 T，hl，h2。于一實施例中，位于該開口區(qū)220,270,270’，320’邊緣的隔間220c, 270c, 270c，，320c 的容積 V，d3，大于其它該隔間 220b, 270b, 270b，，320a, 320b 的容積 ff，dl，，d2，。于一實施例中，位于該開口區(qū)320，320’中間處的內(nèi)部墻壁322a的高度hi大于其它該內(nèi)部墻壁322b的高度h2。此外，該些容積較小的隔間220b，270b, 270b’，320a, 320b呈數(shù)組布局，且該些容積較小的隔間220b, 220c, 270b, 270c, 270b，，270c，，320a, 320b的形狀為幾何形狀。所述的線路層24，，24”，251，34，形成于該線路槽221，221，，321中。于本實施例中，該介電層22，250，32中具有多個導(dǎo)電盲孔240，252，且該些線路層24’，251，34’位于該導(dǎo)電盲孔240，252的上并電性連接該導(dǎo)電盲孔240，252。所述的導(dǎo)體塊24a, 34a形成于該開口區(qū)220，270，270，320，320，的隔間220b, 22Oc, 270b, 270c, 270b’，270c’，320a, 320b, 320c 中。其中，該些隔間 320a, 320b, 320c 的內(nèi)部墻壁322a，322b的頂面未外露于該導(dǎo)體塊34a表面?；蛘?，該些隔間的內(nèi)部墻壁的頂面外露于該導(dǎo)體塊表面。于本實施例中，該些導(dǎo)體塊24a，34a構(gòu)成電性接觸墊27a或接地墊24。此外，該導(dǎo)體塊24a, 34a電性連接該線路層24”，251，34’，且該導(dǎo)體塊24a, 34a位于該導(dǎo)電盲孔240，252的上并電性連接·部分該導(dǎo)電盲孔240，252。所述的封裝基板2，3還包括一絕緣保護層26，設(shè)于該介電層250與該線路層251上，并具有多個開孔260，以令該電性接觸墊27a，27b (或?qū)w塊24a，34a)外露于該些開孔260。于一實施例中，該介電層22包含堆棧的第一介電層21a與第二介電層21b，該第一介電層21a中具有該些導(dǎo)電盲孔240，而該第二介電層21b中具有該線路層24’，24”及該導(dǎo)體塊24a。綜上所述，本實用新型的封裝基板，主要借由該開口區(qū)中具有多個隔間，使該接地墊或電性接觸墊形成于該開口區(qū)中時，得以縮小該開口區(qū)的電流密度分布與線路槽的電流密度分布間的差異，以避免造成該墊部厚度不足或中央凹陷等問題，使該墊部具有平整表面，因而能避免外部組件或?qū)щ娒た着c該墊部之間電性連接不良的情況。此外，借由位于該開口區(qū)邊緣的隔間容積大于其它該隔間容積的設(shè)計，以避免其周圍爆充填平能力過強，所以能避免該開口區(qū)周圍區(qū)域的細(xì)線路的銅層較厚所造成的短路問題。另外，借由位于該開口區(qū)中間處的內(nèi)部墻壁的高度大于其它該內(nèi)部墻壁的高度的設(shè)計，以于電鍍工藝時銅離子能停在該開口區(qū)中間處的時間較久，使該開口區(qū)中間處的質(zhì)量傳遞速度與該線路槽中的質(zhì)量傳遞速度相似，以令該線路槽與該開口區(qū)的電鍍銅厚相等，而使該開口區(qū)中所形成的墊部具有平整表面。上述實施例僅用以例示性說明本實用新型的原理及其功效，而非用于限制本實用新型。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本實用新型的精神及范疇下，對上述實施例進行修改。因此本實用新型的權(quán)利保護范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
權(quán)利要求1.一種封裝基板，其特征在于，包括 一介電層，其具有多個線路槽及至少一開口區(qū)，該線路槽連通該開口區(qū)，而該開口區(qū)中具有由多個內(nèi)部墻壁分隔而成的多個相通的隔間，且該開口區(qū)的周緣壁面高度大于該內(nèi)部墻壁的聞度； 一線路層，其形成于該線路槽中；以及 導(dǎo)體塊，其形成于該開口區(qū)的隔間中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于，位于該開口區(qū)邊緣的隔間的容積大于其它該隔間的容積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于，該些隔間呈幾何形狀的數(shù)組布局。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的封裝基板，其特征在于，位于該隔間的容積由該開口區(qū)邊緣向內(nèi)遞減。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的封裝基板，其特征在于，位于該開口區(qū)中間處的內(nèi)部墻壁的高度大于其它該內(nèi)部墻壁的高度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于，該介電層為核心板或多層封裝基板的介電層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的封裝基板，其特征在于，該介電層中具有多個導(dǎo)電盲孔，且該些線路層位于該導(dǎo)電盲孔的上且電性連接該導(dǎo)電盲孔，而該導(dǎo)體塊位于該導(dǎo)電盲孔的上并電性連接部分該導(dǎo)電盲孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝基板,其特征在于，該介電層包含堆棧的第一介電層與第二介電層，該第一介電層中具有該些導(dǎo)電盲孔，而該第二介電層中具有該線路層及該導(dǎo)體塊。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于，該導(dǎo)體塊電性連接該線路層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或9所述的封裝基板，其特征在于，該封裝基板還包括一絕緣保護層，其設(shè)于該介電層與該線路層上，并具有多個開孔，以外露該導(dǎo)體塊。
專利摘要一種封裝基板，包括一具有線路槽及開口區(qū)的介電層、形成于該線路槽中的線路層以及形成于該開口區(qū)中的導(dǎo)體塊，該開口區(qū)具有由多個內(nèi)部墻壁分隔而成的多個相通的隔間，所以當(dāng)導(dǎo)體塊形成于該開口區(qū)中時，得以縮小電鍍時該開口區(qū)的電流密度分布與該線路槽的電流密度分布間的差異，以避免造成該些導(dǎo)體塊厚度不足或中央凹陷等問題。
文檔編號H01L23/13GK202871769SQ20122055311
公開日2013年4月10日 申請日期2012年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月25日
發(fā)明者程石良, 陳宗源, 陳瑋駿, 胡迪群, 林世民 申請人:欣興電子股份有限公司