本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種降低易碎基底在半導(dǎo)體制程中破片率的方法。

背景技術(shù)：

鍺基器件與磷化銦基器件由于其不可替代的優(yōu)勢(shì)，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中有著廣泛應(yīng)用。例如：由于高電子遷移率、高光電轉(zhuǎn)換效率及高抗輻射閾值，鍺襯底廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池中。其中鍺襯底高效太陽(yáng)能電池在空間應(yīng)用比例已超過80％。InP基器件具有高頻、低噪聲、高效率、抗輻照等特點(diǎn)，成為W波段以及更高頻率毫米波電路的首選材料。但鍺基與磷化銦基很脆弱，在前段制程中容易破裂,且破片幾率隨著晶圓尺寸的增加而增長(zhǎng)。在晶圓制程中，產(chǎn)線良率與生產(chǎn)成本成反比。故在制程中，降低破片率對(duì)降低生產(chǎn)成本而言，至關(guān)重要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種降低易碎基底在半導(dǎo)體制程中破片率的方法，用于解決易碎基底在半導(dǎo)體制程中破片率高的問題。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種降低易碎基底在半導(dǎo)體制程中破片率的方法，包括以下步驟：

1)、在制備性能器件之前，在外延片正面設(shè)置保護(hù)層；

2)、在外延片背面鍍上一層金屬膜；

3)、將外延片與保護(hù)層分離；

4)、在外延片表面制備所需的性能器件；

5)、去除外延片背面的金屬膜，并減薄外延片的厚度。

進(jìn)一步的，所述步驟5)中，采用研磨工藝去除外延片背面的金屬膜。

進(jìn)一步的，所述步驟5)中，采用研磨工藝減薄外延片的厚度。

進(jìn)一步的，所述金屬膜的厚度為1-2μm。

進(jìn)一步的，所述金屬膜為惰性金屬膜。

進(jìn)一步的，所述步驟1)中，所述保護(hù)層為載片，該載片與外延片正面鍵合。

所述步驟1)中，所述保護(hù)層為保護(hù)膜，該保護(hù)膜粘貼在外延片正面。

進(jìn)一步的，所述載片為藍(lán)寶石載片。

進(jìn)一步的，所述載片的厚度為0.3-0.7mm。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有以下有益效果：

通過在外延片背面鍍上一層金屬膜，以此增強(qiáng)外延片的強(qiáng)度，且不會(huì)影響前段制程正常作業(yè)，從而降低外延片在前段制程中的破片幾率，節(jié)約生成成本。

以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明；但本發(fā)明的一種降低易碎基底在半導(dǎo)體制程中破片率的方法不局限于實(shí)施例。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的外延片鍵合后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的外延片鍍上金屬膜后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明的外延片與載片分離后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明的外延片表面制備所需的性能器件后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明的外延片去除金屬膜后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明的外延片減薄厚的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例，本發(fā)明的一種降低易碎基底在半導(dǎo)體制程中破片率的方法，包括以下步驟：

1)、在制備性能器件之前，在外延片1正面設(shè)置保護(hù)層，該保護(hù)層具體為藍(lán)寶石載片2，將外延片1正面與藍(lán)寶石載片2(所述載片2的類型不局限于藍(lán)寶石)進(jìn)行鍵合，如圖1所示，用于保護(hù)外延片1正面不受步驟2)的影響，即避免外延片1背面電鍍金屬膜3過程中，外延片1的正面受到污染；所述載片2的厚度為0.3-0.7mm，取較佳值0.7mm；

2)、在外延片1背面采用電鍍方式鍍上一層惰性金屬膜3，如圖2所示，該金屬膜3覆蓋外延片1的整個(gè)背面，且其厚度為1-2μm，取較佳值1.5μm；所述金屬膜3的材質(zhì)優(yōu)選銅或金；

3)、采用芯片基板分離工藝將外延片1與載片2分離，獲得只有背面鍍有所述金屬膜3的外延片1，如圖3所示；

4)、在外延片1表面制備所需的性能器件，所述性能器件包括集電極4、基極5、發(fā)射極6和絕緣層7，如圖4所示；

5)、采用研磨工藝進(jìn)行第一次研磨，去除外延片1背面的金屬膜3，如圖5所示；

6)采用研磨工藝進(jìn)行第二次研磨，減薄外延片1的厚度，將外延片1研磨到所要求的厚度，如圖6所示。所述絕緣層7也相應(yīng)減薄到所需的厚度。

本發(fā)明通過電鍍方式在易碎基底(即所述外延片1)背面鍍上一層惰性金屬膜3，來增強(qiáng)外延片1的強(qiáng)度，且不會(huì)影響前段制程正常作業(yè)，以此降低外延片1在前段制程中的破片幾率。

在其它實(shí)施例中，所述保護(hù)層為保護(hù)膜，在步驟1)中，其采用粘貼的方式固定在外延片的正面；在步驟3)中，可直接用手將保護(hù)膜從外延片正面撕下來。

上述實(shí)施例僅用來進(jìn)一步說明本發(fā)明的一種降低易碎基底在半導(dǎo)體制程中破片率的方法，但本發(fā)明并不局限于實(shí)施例，凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均落入本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍內(nèi)。