技術(shù)編號：12478203
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體制造領域，特別是涉及一種降低易碎基底在半導體制程中破片率的方法。背景技術(shù)鍺基器件與磷化銦基器件由于其不可替代的優(yōu)勢，在半導體產(chǎn)業(yè)中有著廣泛應用。例如：由于高電子遷移率、高光電轉(zhuǎn)換效率及高抗輻射閾值，鍺襯底廣泛應用于太陽能電池中。其中鍺襯底高效太陽能電池在空間應用比例已超過80％。InP基器件具有高頻、低噪聲、高效率、抗輻照等特點，成為W波段以及更高頻率毫米波電路的首選材料。但鍺基與磷化銦基很脆弱，在前段制程中容易破裂,且破片幾率隨著晶圓尺寸的增加而增長。在晶圓制程中，產(chǎn)線良率...
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