本發(fā)明涉及SIP模組的制造領(lǐng)域，尤指一種SIP模組的制造、拾取方法和設(shè)備及EMI電磁屏蔽層制造方法。

背景技術(shù)：

隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在的電子設(shè)備逐漸趨于輕薄短小，這要求電路組件與線路的分布密度過(guò)高，很多的組件擠在很小的空間中，這增加了組件之間相互干擾的機(jī)會(huì)，其中又以電磁干擾(Electromagnetic Interference，EMI)及噪聲最令人困擾。本領(lǐng)域的技術(shù)人員為解決上述技術(shù)問(wèn)題，發(fā)明了一種集成電路基板的電磁干擾屏蔽結(jié)構(gòu)，利用濺鍍的方式直接在集成電路基板上形成區(qū)塊隔間，從而有效預(yù)防電磁干擾以及噪聲。

SIP(System In a Package，系統(tǒng)包裝)封裝主要是將不同組件內(nèi)藏于多功能基板中，達(dá)到功能整合的目的。不同的芯片排列方式，與不同的內(nèi)部接合技術(shù)搭配，使SIP的封裝型態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合，并可依照客戶或產(chǎn)品的需求加以客制化或彈性生產(chǎn)。為避免在濺鍍過(guò)程中將濺鍍材料噴射到SIP模組具有焊點(diǎn)的一面，本領(lǐng)域的技術(shù)人員會(huì)在濺鍍過(guò)程前在SIP模組具有焊點(diǎn)的一面上涂一層INK保護(hù)層，濺鍍過(guò)程結(jié)束后再將INK保護(hù)層洗掉，同時(shí)也可以把濺鍍過(guò)程中噴射到INK保護(hù)層上的濺鍍材料洗掉。這種方法雖然可以保護(hù)SIP模組的焊點(diǎn)不受到損壞，但是，這種方法的操作過(guò)程復(fù)雜，效率低，不適合大批量生產(chǎn)。

因此，本申請(qǐng)人致力于提供一種SIP模組的制造方法、拾取方法和設(shè)備及EMI電磁屏蔽層制造方法，從而得到一種焊點(diǎn)不會(huì)被污染以及不會(huì)受損的SIP模組，并且提高了SIP模組的生產(chǎn)效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種SIP模組的制造方法、拾取方法和設(shè)備及 EMI電磁屏蔽層制造方法，從而得到焊點(diǎn)不會(huì)被污染以及不會(huì)受損的SIP模組，并且提高了SIP模組的生產(chǎn)效率。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種SIP模組的拾取方法，用于拾取被雙面膠固定在承載盤(pán)上表面的所述SIP模組，包括步驟：

吸盤(pán)下降至與所述SIP模組的上表面接觸；

吸盤(pán)真空吸附所述SIP模組的上表面；

空氣頂針上升至與所述承載盤(pán)的下表面接觸，所述空氣頂針遮罩住所述承載盤(pán)的通孔，使所述SIP模組的下表面、所述通孔以及所述空氣頂針形成一密閉空間；

從空氣頂針的中空結(jié)構(gòu)向所述密閉空間內(nèi)噴射壓縮空氣，且作用于所述SIP模組的下表面，使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動(dòng)；

所述吸盤(pán)上升拾取所述SIP模組。

本發(fā)明的SIP模組的拾取方法通過(guò)向SIP模組噴射壓縮空氣，使SIP模組與雙面膠的粘合松動(dòng)，從而有效拾取用雙面膠固定在承載盤(pán)上的SIP模組，且壓縮空氣不僅會(huì)吹掉SIP模組下表面上的雜質(zhì)，避免SIP模組上的焊點(diǎn)受到污染，而且會(huì)有效避免SIP模組上的焊點(diǎn)受到損傷。

優(yōu)選地，所述噴射的壓縮空氣壓力大于或等于所述雙面膠的粘合力。

這此條件下，本發(fā)明的拾取方法會(huì)達(dá)到較好的拾取效果。

優(yōu)選地，所述噴射的壓縮空氣壓力小于所述雙面膠的粘合力，且使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動(dòng)后的剩余粘合力小于所述吸盤(pán)的真空吸附力。

這此條件下，本發(fā)明的拾取方法會(huì)達(dá)到較好的拾取效果。

優(yōu)選地，所述拾取方法還包括步驟：所述空氣頂針下降至與所述承載盤(pán)的下表面脫離。

本發(fā)明還提供了一種SIP模組的EMI電磁屏蔽層制造方法，包括步驟：

用雙面膠將SIP模組固定在設(shè)有通孔的承載盤(pán)的上表面，所述下表面為所述SIP模組具有焊點(diǎn)的表面，且所述焊點(diǎn)位于所述通孔的正上方且不 與所述雙面膠接觸；

對(duì)所述SIP模組的四周及上表面進(jìn)行金屬濺鍍形成EMI電磁屏蔽層；

吸盤(pán)下降至與所述SIP模組的上表面接觸，吸盤(pán)真空吸附所述SIP模組的上表面；

空氣頂針上升至與所述承載盤(pán)的下表面接觸，所述空氣頂針遮罩住所述承載盤(pán)的通孔，使所述SIP模組的下表面、所述通孔以及所述空氣頂針形成一密閉空間；

從空氣頂針的中空結(jié)構(gòu)向所述密閉空間內(nèi)噴射壓縮空氣，且作用于所述SIP模組的下表面，使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動(dòng)；

所述吸盤(pán)上升拾取制造完成的上表面及四周具有EMI電磁屏蔽層且下表面無(wú)污染、無(wú)損傷的SIP模組。

由于SIP模組通過(guò)雙面膠固定在承載盤(pán)上，這樣SIP模組與承載盤(pán)之間的空間被雙面膠有效填充，從而有效避免了在SIP模組上制造EMI電磁屏蔽層時(shí)，濺鍍材料噴射到SIP模組的焊點(diǎn)上。

優(yōu)選地，所述噴射的壓縮空氣壓力大于或等于所述雙面膠的粘合力。

優(yōu)選地，所述噴射的壓縮空氣壓力小于所述雙面膠的粘合力，且使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動(dòng)后的剩余粘合力小于所述吸盤(pán)的真空吸附力。

優(yōu)選地，所述SIP模組的EMI電磁屏蔽層制造方法還包括步驟：所述空氣頂針下降至與所述承載盤(pán)的下表面脫離。

本發(fā)明還提供了一種SIP模組的制造方法，包括步驟：

在PCB的上表面焊接SIP模組所需的芯片及主動(dòng)元件、被動(dòng)元件，所述PCB的下表面具有預(yù)留的焊點(diǎn)，制成SIP模組的PCBA；

對(duì)所述PCBA的上表面填膠，使膠覆蓋所述PCBA上表面的芯片及主動(dòng)元件、被動(dòng)元件，而后使膠固化制成SIP模組；

用雙面膠將SIP模組固定在設(shè)有通孔的承載盤(pán)的上表面，所述下表面為所述SIP模組具有焊點(diǎn)的表面，且所述焊點(diǎn)位于所述通孔的正上方且不與所述雙面膠接觸；

對(duì)所述SIP模組的四周及上表面進(jìn)行金屬濺鍍形成EMI電磁屏蔽層；

吸盤(pán)下降至與所述SIP模組的上表面接觸，吸盤(pán)真空吸附所述SIP模組的上表面；

空氣頂針上升至與所述承載盤(pán)的下表面接觸，所述空氣頂針遮罩住所述承載盤(pán)的通孔，使所述SIP模組的下表面、所述通孔以及所述空氣頂針形成一密閉空間；

從空氣頂針的中空結(jié)構(gòu)向所述密閉空間內(nèi)噴射壓縮空氣，且作用于所述SIP模組的下表面，使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動(dòng)；

所述吸盤(pán)上升拾取制造完成的下表面無(wú)污染、無(wú)損傷的SIP模組。

優(yōu)選地，所述噴射的壓縮空氣壓力大于或等于所述雙面膠的粘合力。

優(yōu)選地，所述噴射的壓縮空氣壓力小于所述雙面膠的粘合力，且使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動(dòng)后的剩余粘合力小于所述吸盤(pán)的真空吸附力。

優(yōu)選地，還包括步驟所述空氣頂針下降至與所述承載盤(pán)的下表面脫離。

優(yōu)選地，所述PCB、PCBA、膠固化制成的SIP模組是多聯(lián)板PCB、多聯(lián)板PCBA、多聯(lián)板SIP模組；在進(jìn)行金屬濺鍍步驟之前需要將多聯(lián)板SIP模組切割成單顆的SIP模組。

本發(fā)明還提供了一種SIP模組的拾取設(shè)備，用于拾取被雙面膠固定在承載盤(pán)上表面的所述SIP模組，包括：吸盤(pán)，設(shè)置在所述承載盤(pán)的上方，用于真空吸附所述SIP模組的上表面，拾取所述SIP模組；機(jī)械手臂，與所述吸盤(pán)連接，用于移動(dòng)所述吸盤(pán)；空氣頂針，設(shè)置在所述承載盤(pán)的下方；其中間設(shè)有供壓縮空氣通過(guò)的中空結(jié)構(gòu)，用于噴射壓縮空氣；空氣頂針移動(dòng)機(jī)構(gòu)，與所述空氣頂針連接，用于使所述空氣頂針正對(duì)所述承載盤(pán)的通孔；所述空氣頂針移動(dòng)機(jī)構(gòu)還用于使所述空氣頂針上升、下降至與所述承載盤(pán)的下表面接觸、脫離。

其中，所述空氣頂針在被所述空氣頂針移動(dòng)機(jī)構(gòu)上升至與所述承載盤(pán)的下表面接觸時(shí)，所述空氣頂針遮罩住所述承載盤(pán)的通孔，使所述SIP模 組的下表面、所述通孔以及所述空氣頂針形成一密閉空間；并從空氣頂針的中空結(jié)構(gòu)向所述密閉空間內(nèi)噴射壓縮空氣，作用于所述SIP模組的下表面，使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動(dòng)；并由所述吸盤(pán)真空吸附、上升拾取所述SIP模組。

優(yōu)選地，所述SIP模組的拾取設(shè)備還包括電磁閥和氣缸；所述氣缸與所述空氣頂針連接，用于向所述空氣頂針提供壓縮空氣；所述電磁閥設(shè)置在所述氣缸和所述空氣頂針之間，用于控制所述氣缸噴射壓縮空氣。

其中，所述空氣頂針在被所述空氣頂針移動(dòng)機(jī)構(gòu)上升至與所述承載盤(pán)的下表面接觸時(shí)，所述空氣頂針遮罩住所述承載盤(pán)的通孔，使所述SIP模組的下表面、所述通孔以及所述空氣頂針形成一密閉空間；并從空氣頂針的中空結(jié)構(gòu)向所述密閉空間內(nèi)噴射壓縮空氣，作用于所述SIP模組的下表面，使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動(dòng)；并由所述吸盤(pán)真空吸附、上升拾取所述SIP模組。

優(yōu)選地，所述噴射的壓縮空氣壓力大于或等于所述雙面膠的粘合力。

優(yōu)選地，所述噴射的壓縮空氣壓力小于所述雙面膠的粘合力，且使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動(dòng)后的剩余粘合力小于所述吸盤(pán)的真空吸附力。

優(yōu)選地，所述空氣頂針上設(shè)有一’O’型圈，所述空氣頂針上升時(shí)，所述’O’型圈與所述承載盤(pán)的下表面接觸。

優(yōu)選地，所述空氣頂針的形狀與尺寸足以遮罩住所述承載盤(pán)的通孔是指：所述’O’型圈的尺寸等于或大于所述通孔的尺寸，足以遮罩、并密封住所述通孔的底部。

所述SIP模組的拾取設(shè)備還包括空氣頂針移動(dòng)機(jī)構(gòu)，空氣頂針移動(dòng)機(jī)構(gòu)與所述空氣頂針連接，用于使所述空氣頂針正對(duì)所述承載盤(pán)的通孔；所述空氣頂針移動(dòng)機(jī)構(gòu)還用于使所述空氣頂針上升、下降至與所述承載盤(pán)的下表面接觸、脫離。

其中，所述空氣頂針在被所述空氣頂針移動(dòng)機(jī)構(gòu)上升至與所述承載盤(pán)的下表面接觸時(shí)，所述空氣頂針遮罩住所述承載盤(pán)的通孔，使所述SIP模 組的下表面、所述通孔以及所述空氣頂針形成一密閉空間；并從空氣頂針的中空結(jié)構(gòu)向所述密閉空間內(nèi)噴射壓縮空氣，作用于所述SIP模組的下表面，使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動(dòng)；并由所述吸盤(pán)真空吸附、上升拾取所述SIP模組。

優(yōu)選地，所述SIP模組還包括一承載盤(pán)傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述承載盤(pán)傳動(dòng)機(jī)構(gòu)與所述承載盤(pán)連接，用于移動(dòng)所述承載盤(pán)。

綜上所述，本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)以下有益效果：

(1)本發(fā)明的SIP模組的拾取方法，通過(guò)從承載盤(pán)的通孔向SIP模組下表面噴射壓縮空氣，使SIP模組與雙面膠的粘合松動(dòng)，被吸嘴完全吸附，從而有效拾取用雙面膠固定在承載盤(pán)上的SIP模組，且有效避免SIP模組的下表面上的焊點(diǎn)受到污染以及受到損傷。

(2)本發(fā)明的SIP模組的EMI電磁屏蔽層制造方法，在對(duì)SIP模組進(jìn)行濺鍍前用雙面膠將SIP模組具有焊點(diǎn)的一面固定在承載盤(pán)上，然后再對(duì)SIP模組進(jìn)行金屬濺鍍形成EMI電磁屏蔽層，雙面膠有效填充了SIP模組與承載盤(pán)之間的空間，這樣可以有效避免濺鍍材料噴射到SIP模組的下表面造成污染。

(3)本發(fā)明的SIP模組的拾取設(shè)備，通過(guò)用空氣頂針向用雙面膠固定在承載盤(pán)上的SIP模組下表面噴射壓縮空氣，從而使其被吸嘴完全吸附，從而有效拾取SIP模組，且有效避免了SIP模組的焊點(diǎn)在拾取過(guò)程中受到損傷。

(4)本發(fā)明的SIP模組的拾取設(shè)備中的空氣頂針通過(guò)一’O’型圈與承載盤(pán)的下表面接觸，這樣可以使二者的接觸更為封閉，從而有效避免壓縮空氣在噴射過(guò)程中發(fā)生泄漏。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明：

圖1是具體實(shí)施例的SIP模組的拾取方法的流程示意圖；

圖2是具體實(shí)施例的SIP模組的EMI電磁屏蔽層制造方法的流程示 意圖；

圖3是具體實(shí)施例的SIP模組的制造方法的流程示意圖；

圖4是SIP模組的拾取設(shè)備的具體實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是SIP模組的拾取設(shè)備的具體實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是SIP模組的拾取設(shè)備的具體實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是承載盤(pán)的俯視圖。。

附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明：

A SIP模組 B 承載盤(pán) B1 通孔

C 雙面膠 1 機(jī)械手臂 2 吸盤(pán)

3 空氣頂針 31 中空結(jié)構(gòu) 4 空氣頂針移動(dòng)機(jī)構(gòu)

5 電磁閥 6 氣缸 7 ’O’型圈。

具體實(shí)施方式

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

如圖1所示是具體實(shí)施例的SIP模組的拾取方法的流程示意圖；參見(jiàn)圖1，本具體實(shí)施例公開(kāi)了一種SIP模組的拾取方法，用于拾取被雙面膠固定在承載盤(pán)上表面的所述SIP模組，其特征在于，包括步驟：

步驟S10：吸盤(pán)下降至與所述SIP模組的上表面接觸；

步驟S11：吸盤(pán)真空吸附所述SIP模組的上表面；

步驟S12：空氣頂針上升至與所述承載盤(pán)的下表面接觸，所述空氣頂針遮罩住所述承載盤(pán)的通孔，使所述SIP模組的下表面、所述通孔以及所述空氣頂針形成一密閉空間；

步驟S13：從空氣頂針的中空結(jié)構(gòu)向所述密閉空間內(nèi)噴射壓縮空氣，且作用于所述SIP模組的下表面，使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動(dòng)；

步驟S14：所述吸盤(pán)上升拾取所述SIP模組。

具體的，本實(shí)施例中的拾取方法還包括步驟S15：所述空氣頂針下降至與所述承載盤(pán)的下表面脫離。

在本實(shí)施例中，為達(dá)到較好的拾取效果，所述噴射的壓縮空氣壓力大于或等于所述雙面膠的粘合力，或者是所述噴射的壓縮空氣壓力小于所述雙面膠的粘合力，且使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動(dòng)后的剩余粘合力小于所述吸盤(pán)的真空吸附力。

其中，所述噴射的壓縮空氣壓力使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動(dòng)后的剩余粘合力小于所述吸盤(pán)的真空吸附力是指：

剩余粘合力<真空吸附力；

剩余粘合力+芯片自重<＝真空吸附力；

剩余粘合力<＝真空吸附力-芯片自重。

需要說(shuō)明的是，在其他實(shí)施例中，空氣頂針噴射的壓縮空氣壓力大小可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置，只要其能使SIP模組與雙面膠的粘合松動(dòng)即可。

圖2是具體實(shí)施例的SIP模組的EMI電磁屏蔽層制造方法的流程示意圖；參見(jiàn)圖2，一種SIP模組的EMI電磁屏蔽層制造方法，包括：

步驟S20：用雙面膠將SIP模組固定在設(shè)有通孔的承載盤(pán)的上表面，所述下表面為所述SIP模組具有焊點(diǎn)的表面，且所述焊點(diǎn)位于所述通孔的正上方且不與所述雙面膠接觸；

步驟S21：對(duì)所述SIP模組的四周及上表面進(jìn)行金屬濺鍍形成EMI電磁屏蔽層；

步驟S22：吸盤(pán)下降至與所述SIP模組的上表面接觸；

步驟S23：吸盤(pán)真空吸附所述SIP模組的上表面；

步驟S24：空氣頂針上升至與所述承載盤(pán)的下表面接觸，所述空氣頂針遮罩住所述承載盤(pán)的通孔，使所述SIP模組的下表面、所述通孔以及所述空氣頂針形成一密閉空間；

步驟S25：從空氣頂針的中空結(jié)構(gòu)向所述密閉空間內(nèi)噴射壓縮空氣，且作用于所述SIP模組的下表面，使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動(dòng)；

步驟S26：所述吸盤(pán)上升拾取制造完成的上表面及四周具有EMI電磁屏蔽層且下表面無(wú)污染、無(wú)損傷的SIP模組。

在本實(shí)施例中，為達(dá)到較好的拾取效果，所述噴射的壓縮空氣壓力大于或等于所述雙面膠的粘合力，或者是，所述噴射的壓縮空氣壓力小于所述雙面膠的粘合力，且使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動(dòng)后的剩余粘合力小于所述吸盤(pán)的真空吸附力。

需要說(shuō)明的是，在其他實(shí)施例中，空氣頂針噴射的壓縮空氣壓力大小可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置，只要其能使SIP模組與雙面膠的粘合松動(dòng)即可。

具體的，所述SIP模組的EMI電磁屏蔽層制造方法還包括步驟S27：所述空氣頂針下降至與所述承載盤(pán)的下表面脫離。

圖3是具體實(shí)施例的SIP模組的制造方法的流程示意圖；參見(jiàn)圖3，一種SIP模組的制造方法，包括步驟：

步驟S30：在PCB的上表面焊接SIP模組所需的芯片及主動(dòng)元件、被動(dòng)元件，所述PCB的下表面具有預(yù)留的焊點(diǎn)，制成SIP模組的PCBA；

步驟S31：對(duì)所述PCBA的上表面填膠，使膠覆蓋所述PCBA上表面的芯片及主動(dòng)元件、被動(dòng)元件，而后使膠固化制成SIP模組；

步驟S32：用雙面膠將SIP模組固定在設(shè)有通孔的承載盤(pán)的上表面，所述下表面為所述SIP模組具有焊點(diǎn)的表面，且所述焊點(diǎn)位于所述通孔的正上方且不與所述雙面膠接觸；

步驟S33：對(duì)所述SIP模組的四周及上表面進(jìn)行金屬濺鍍形成EMI電磁屏蔽層；

步驟S34：吸盤(pán)下降至與所述SIP模組的上表面接觸；

步驟S35：吸盤(pán)真空吸附所述SIP模組的上表面；

步驟S36：空氣頂針上升至與所述承載盤(pán)的下表面接觸，所述空氣頂針遮罩住所述承載盤(pán)的通孔，使所述SIP模組的下表面、所述通孔以及所述空氣頂針形成一密閉空間；

步驟S37：從空氣頂針的中空結(jié)構(gòu)向所述密閉空間內(nèi)噴射壓縮空氣，且作用于所述SIP模組的下表面，使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動(dòng)；

步驟S38：所述吸盤(pán)上升拾取制造完成的下表面無(wú)污染、無(wú)損傷的SIP模組。

在本實(shí)施例中，為達(dá)到較好的拾取效果，所述噴射的壓縮空氣壓力大于或等于所述雙面膠的粘合力，或者是，所述噴射的壓縮空氣壓力小于所述雙面膠的粘合力，且使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動(dòng)后的剩余粘合力小于所述吸盤(pán)的真空吸附力。

需要說(shuō)明的是，在其他實(shí)施例中，空氣頂針噴射的壓縮空氣壓力的具體值可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置，只要其能使SIP模組與雙面膠的粘合松動(dòng)即可。

具體的，SIP模組的制造方法還包括步驟S39：所述空氣頂針下降至與所述承載盤(pán)的下表面脫離。

在本具體實(shí)施例中，PCB、PCBA、膠固化制成的SIP模組是多聯(lián)板PCB、多聯(lián)板PCBA、多聯(lián)板SIP模組。并且在進(jìn)行金屬濺鍍步驟之前需要將多聯(lián)板SIP模組切割成單顆的SIP模組。

本發(fā)明公開(kāi)了一種SIP模組的拾取設(shè)備，用于拾取被雙面膠固定在承載盤(pán)上表面的所述SIP模組。

圖4是SIP模組的拾取設(shè)備的具體實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖；如圖4所示，在具體實(shí)施例1中，SIP模組的拾取設(shè)備包括：吸盤(pán)2，設(shè)置在承載盤(pán)B的上方，用于真空吸附所述SIP模組A的上表面，拾取所述SIP模組A；機(jī)械手臂1，與所述吸盤(pán)2連接，用于移動(dòng)所述吸盤(pán)2；空氣頂針3，設(shè)置在所述承載盤(pán)B的下方；其中間設(shè)有供壓縮空氣通過(guò)的中空結(jié)構(gòu)31，用于噴射壓縮空氣；空氣頂針移動(dòng)機(jī)構(gòu)4，與所述空氣頂針3連接，用于使所述空氣頂針3正對(duì)所述承載盤(pán)B的通孔B1；所述空氣頂針移動(dòng)機(jī)構(gòu)4還用于使所述空氣頂針3上升、下降至與所述承載盤(pán)B的下表面接觸、脫離。

再次參見(jiàn)圖4，其中，所述空氣頂針3在被所述空氣頂針移動(dòng)機(jī)構(gòu)4上升至與所述承載盤(pán)B的下表面接觸時(shí)，所述空氣頂針3遮罩住所述承載盤(pán)B的通孔B1，使所述SIP模組A的下表面、所述通孔B1以及所述空 氣頂針3形成一密閉空間；并從空氣頂針3的中空結(jié)構(gòu)31向所述密閉空間內(nèi)噴射壓縮空氣，作用于所述SIP模組A的下表面，使所述SIP模組A與所述雙面膠C的粘合松動(dòng)；并由所述吸盤(pán)2真空吸附、上升拾取所述SIP模組A。

從圖4中可以看出，雙面膠C與承載盤(pán)B的接觸面積大于雙面膠C與SIP模組A的接觸面積。因此，SIP模組A與雙面膠C的粘合力大于承載盤(pán)B與雙面膠C的粘合力。當(dāng)噴射壓縮空氣時(shí)，雙面膠C與SIP模組A的接觸面先于雙面膠C與承載盤(pán)B的接觸面發(fā)生粘合松動(dòng)。

圖5是SIP模組的拾取設(shè)備的具體實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)與圖4相同，差別僅在于本實(shí)施例的SIP模組的拾取設(shè)備還包括電磁閥5和氣缸6；所述氣缸6與所述空氣頂針3連接，用于向所述空氣頂針3提供壓縮空氣；所述電磁閥5設(shè)置在所述氣缸6和所述空氣頂針3之間，用于控制所述氣缸6噴射壓縮空氣。

再次參見(jiàn)圖5，所述空氣頂針3在被所述空氣頂針移動(dòng)機(jī)構(gòu)4上升至與所述承載盤(pán)B的下表面接觸時(shí)，所述空氣頂針3遮罩住所述承載盤(pán)B的通孔B1，使所述SIP模組A的下表面、所述通孔B1以及所述空氣頂針3形成一密閉空間；電磁閥5控制氣缸6，氣缸6通過(guò)空氣頂針3的中空結(jié)構(gòu)31向所述密閉空間內(nèi)噴射壓縮空氣，且作用于所述SIP模組A的下表面，使所述SIP模組A與所述雙面膠C的粘合松動(dòng)；并由所述吸盤(pán)2真空吸附、上升拾取所述SIP模組A。

圖6是SIP模組的拾取設(shè)備的具體實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)與圖4相同差別僅在于本實(shí)施例的空氣頂針3上還設(shè)有一’O’型圈7，所述空氣頂針3上升時(shí)，所述’O’型圈7與所述承載盤(pán)B的下表面接觸。具體的，所述空氣頂針3的形狀與尺寸足以遮罩住所述承載盤(pán)B的通孔B1是指：所述’O’型圈7的尺寸等于或大于所述通孔B1的尺寸，足以遮罩、并密封住所述通孔B1的底部。具體的，所述’O’型圈7由橡膠材料制成。

再次參見(jiàn)圖6，其中，所述空氣頂針3在被所述空氣頂針移動(dòng)機(jī)構(gòu)4 上升至與所述承載盤(pán)B的下表面接觸時(shí)，所述空氣頂針3遮罩住所述承載盤(pán)B的通孔B1，使所述SIP模組A的下表面、所述通孔B1以及所述空氣頂針3形成一密閉空間；并從空氣頂針3的中空結(jié)構(gòu)31向所述密閉空間內(nèi)噴射壓縮空氣，作用于所述SIP模組A的下表面，使所述SIP模組A與所述雙面膠C的粘合松動(dòng)；并由所述吸盤(pán)2真空吸附、上升拾取所述SIP模組A。

在上述SIP模組的拾取設(shè)備的三個(gè)實(shí)施例中，為達(dá)到較好的拾取效果，所述噴射的壓縮空氣壓力大于或等于所述雙面膠的粘合力，或者是，所述噴射的壓縮空氣壓力小于所述雙面膠的粘合力，且使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動(dòng)后的剩余粘合力小于所述吸盤(pán)的真空吸附力。具體的，SIP模組的拾取設(shè)備還包括一承載盤(pán)傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述承載盤(pán)傳動(dòng)機(jī)構(gòu)與所述承載盤(pán)連接，用于移動(dòng)所述承載盤(pán)。具體的，電磁閥優(yōu)選脈沖電磁閥。

圖7是承載盤(pán)的俯視圖，如圖7所示，在上述實(shí)施例中，雙面膠布滿整個(gè)承載盤(pán)B，并且位于承載盤(pán)B的通孔B1上方處的雙面膠也設(shè)有相應(yīng)的通孔，需要說(shuō)明的是，雙面膠上的通孔的尺寸可以略大于或者略小于承載盤(pán)上的通孔的尺寸大小，但是SIP模組的尺寸需大于雙面膠上的通孔的尺寸。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。