1.一種SIP模組的拾取方法，用于拾取被雙面膠固定在承載盤上表面的所述SIP模組，其特征在于，包括步驟：
吸盤下降至與所述SIP模組的上表面接觸；
吸盤真空吸附所述SIP模組的上表面；
空氣頂針上升至與所述承載盤的下表面接觸，所述空氣頂針遮罩住所述承載盤的通孔，使所述SIP模組的下表面、所述通孔以及所述空氣頂針形成一密閉空間；
從空氣頂針的中空結(jié)構(gòu)向所述密閉空間內(nèi)噴射壓縮空氣，且作用于所述SIP模組的下表面，使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動；
所述吸盤上升拾取所述SIP模組。
2.如權(quán)利要求1所述的SIP模組的拾取方法，其特征在于：
所述噴射的壓縮空氣壓力大于或等于所述雙面膠的粘合力。
3.如權(quán)利要求1所述的SIP模組的拾取方法，其特征在于：
所述噴射的壓縮空氣壓力小于所述雙面膠的粘合力，且使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動后的剩余粘合力小于所述吸盤的真空吸附力。
4.如權(quán)利要求1-3中任意一項所述的SIP模組的拾取方法，其特征在于：
所述拾取方法還包括步驟：所述空氣頂針下降至與所述承載盤的下表面脫離。
5.一種SIP模組的EMI電磁屏蔽層制造方法，其特征在于，包括步驟：
用雙面膠將SIP模組固定在設(shè)有通孔的承載盤的上表面，所述下表面為所述SIP模組具有焊點的表面，且所述焊點位于所述通孔的正上方且不與所述雙面膠接觸；
對所述SIP模組的四周及上表面進(jìn)行金屬濺鍍形成EMI電磁屏蔽層；
吸盤下降至與所述SIP模組的上表面接觸，吸盤真空吸附所述SIP模組的上表面；
空氣頂針上升至與所述承載盤的下表面接觸，所述空氣頂針遮罩住所述承載盤的通孔，使所述SIP模組的下表面、所述通孔以及所述空氣頂針形成一密閉空間；
從空氣頂針的中空結(jié)構(gòu)向所述密閉空間內(nèi)噴射壓縮空氣，且作用于所述SIP模組的下表面，使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動；
所述吸盤上升拾取制造完成的上表面及四周具有EMI電磁屏蔽層且下表面無污染、無損傷的SIP模組。
6.如權(quán)利要求5所述的SIP模組的EMI電磁屏蔽層制造方法，其特征在于：
所述噴射的壓縮空氣壓力大于或等于所述雙面膠的粘合力。
7.如權(quán)利要求5所述的SIP模組的EMI電磁屏蔽層制造方法，其特征在于：
所述噴射的壓縮空氣壓力小于所述雙面膠的粘合力，且使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動后的剩余粘合力小于所述吸盤的真空吸附力。
8.如權(quán)利要求5-7中任意一項所述的SIP模組的EMI電磁屏蔽層制造方法，其特征在于：
所述SIP模組的EMI電磁屏蔽層制造方法還包括步驟：所述空氣頂針下降至與所述承載盤的下表面脫離。
9.一種SIP模組的制造方法，其特征在于，包括步驟：
在PCB的上表面焊接SIP模組所需的芯片及主動元件、被動元件，所述PCB的下表面具有預(yù)留的焊點，制成SIP模組的PCBA；
對所述PCBA的上表面填膠，使膠覆蓋所述PCBA上表面的芯片及主動元件、被動元件，而后使膠固化制成SIP模組；
用雙面膠將SIP模組固定在設(shè)有通孔的承載盤的上表面，所述下表面為 所述SIP模組具有焊點的表面，且所述焊點位于所述通孔的正上方且不與所述雙面膠接觸；
對所述SIP模組的四周及上表面進(jìn)行金屬濺鍍形成EMI電磁屏蔽層；
吸盤下降至與所述SIP模組的上表面接觸，吸盤真空吸附所述SIP模組的上表面；
空氣頂針上升至與所述承載盤的下表面接觸，所述空氣頂針遮罩住所述承載盤的通孔，使所述SIP模組的下表面、所述通孔以及所述空氣頂針形成一密閉空間；
從空氣頂針的中空結(jié)構(gòu)向所述密閉空間內(nèi)噴射壓縮空氣，且作用于所述SIP模組的下表面，使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動；
所述吸盤上升拾取制造完成的下表面無污染、無損傷的SIP模組。
10.如權(quán)利要求9所述的SIP模組的EMI電磁屏蔽層制造方法，其特征在于：
所述噴射的壓縮空氣壓力大于或等于所述雙面膠的粘合力。
11.如權(quán)利要求9所述的SIP模組的EMI電磁屏蔽層制造方法，其特征在于：
所述噴射的壓縮空氣壓力小于所述雙面膠的粘合力，且使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動后的剩余粘合力小于所述吸盤的真空吸附力。
12.如權(quán)利要求9-11中任意一項所述的SIP模組的EMI電磁屏蔽層制造方法，其特征在于：
還包括步驟：所述空氣頂針下降至與所述承載盤的下表面脫離。
13.如權(quán)利要求9-11中任意一項所述的SIP模組的EMI電磁屏蔽層制造方法，其特征在于：
所述PCB、PCBA、膠固化制成的SIP模組是多聯(lián)板PCB、多聯(lián)板PCBA、多聯(lián)板SIP模組；
在進(jìn)行金屬濺鍍步驟之前需要將多聯(lián)板SIP模組切割成單顆的SIP模組。
14.一種SIP模組的拾取設(shè)備，用于拾取被雙面膠固定在承載盤上表面的所述SIP模組，其特征在于，包括：
吸盤，設(shè)置在所述承載盤的上方，用于真空吸附所述SIP模組的上表面，拾取所述SIP模組；
機(jī)械手臂，與所述吸盤連接，用于移動所述吸盤；
空氣頂針，設(shè)置在所述承載盤的下方；其中間設(shè)有供壓縮空氣通過的中空結(jié)構(gòu)，用于噴射壓縮空氣；
空氣頂針移動機(jī)構(gòu)，與所述空氣頂針連接，用于使所述空氣頂針正對所述承載盤的通孔；所述空氣頂針移動機(jī)構(gòu)還用于使所述空氣頂針上升、下降至與所述承載盤的下表面接觸、脫離；
其中，所述空氣頂針在被所述空氣頂針移動機(jī)構(gòu)上升至與所述承載盤的下表面接觸時，所述空氣頂針遮罩住所述承載盤的通孔，使所述SIP模組的下表面、所述通孔以及所述空氣頂針形成一密閉空間；并從空氣頂針的中空結(jié)構(gòu)向所述密閉空間內(nèi)噴射壓縮空氣，作用于所述SIP模組的下表面，使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動；
并由所述吸盤真空吸附、上升拾取所述SIP模組。
15.如權(quán)利要求14所述的SIP模組的拾取設(shè)備，其特征在于：
所述SIP模組的拾取設(shè)備還包括電磁閥和氣缸；
所述氣缸與所述空氣頂針連接，用于向所述空氣頂針提供壓縮空氣；
所述電磁閥設(shè)置在所述氣缸和所述空氣頂針之間，用于控制所述氣缸噴射壓縮空氣。
16.如權(quán)利要求15所述的SIP模組的拾取設(shè)備，其特征在于：
所述噴射的壓縮空氣壓力大于或等于所述雙面膠的粘合力。
17.如權(quán)利要求15所述的SIP模組的拾取設(shè)備，其特征在于：
所述噴射的壓縮空氣壓力小于所述雙面膠的粘合力，且使所述SIP模組與所述雙面膠的粘合松動后的剩余粘合力小于所述吸盤的真空吸附力。
18.如權(quán)利要求14所述的SIP模組的拾取設(shè)備，其特征在于：
所述空氣頂針上設(shè)有一’O’型圈，所述空氣頂針上升時，所述’O’型圈與所述承載盤的下表面接觸。
19.如權(quán)利要求18所述的SIP模組的拾取設(shè)備，其特征在于：
所述空氣頂針的形狀與尺寸足以遮罩住所述承載盤的通孔是指：所述’O’型圈的尺寸等于或大于所述通孔的尺寸，足以遮罩、并密封住所述通孔的底部。
20.如權(quán)利要求14-19中任意一項所述的SIP模組的拾取設(shè)備，其特征在于：
還包括一承載盤傳動機(jī)構(gòu)，所述承載盤傳動機(jī)構(gòu)與所述承載盤連接，用于移動所述承載盤。