專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體制造鋁金屬線(xiàn)制程的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，特別涉及一種半導(dǎo)體制造鋁金屬線(xiàn)制程。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造金屬化過(guò)程中，用鋁金屬做后道連線(xiàn)，如在O. 13um制程中，由于設(shè) 計(jì)規(guī)則的縮小，鋁金屬線(xiàn)之間的space(間距)較小，較高的操作電壓會(huì)增加鋁等金屬線(xiàn)之 間的擊穿幾率，目前的半導(dǎo)體制造鋁金屬線(xiàn)制程，如圖1所示，包括以下步驟
1.淀積鋁金屬薄膜；
2.刻蝕所述鋁金屬薄膜； 3. PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣象淀積)淀積IMD (Inter-MetalDielectric，金屬
層間介電質(zhì)層)； 4. MD通孔等后續(xù)工藝。 如圖2所示，在特定的設(shè)計(jì)規(guī)則里，由于在設(shè)計(jì)版圖里用到的大塊孤立區(qū)的鋁金 屬，如Vpwr(電源端)和Vpos(正端)，而Vpwr又是floating(懸浮)的，沒(méi)有接到Sub(襯 底)，導(dǎo)致在MD淀積過(guò)程中的電荷積累在連接Vpwr的大塊鋁金屬上放不掉，從而擴(kuò)大了操 作電壓導(dǎo)致的電壓差。從金屬的斷面來(lái)看，由于這些金屬周?chē)强諘鐓^(qū)，截面底部呈錐形， 天線(xiàn)效應(yīng)導(dǎo)致的尖端放電會(huì)從底部發(fā)生(如圖中虛線(xiàn)所示區(qū)域)，MD淀積過(guò)程中的電荷積 累擴(kuò)大了由于較小金屬線(xiàn)之間的間距造成的尖端放電效應(yīng)，容易導(dǎo)致Vpos和Vpwr之間的 短路，使產(chǎn)品良率降低。 PECVD是在低壓條件下進(jìn)行的增強(qiáng)的等離子體薄膜淀積，會(huì)對(duì)淀積晶圓表面造成 plasma damage (PID，等離子體損傷)，如果釋放不掉，反應(yīng)腔內(nèi)的等離子體所帶的電荷會(huì)在 晶圓上累積，比如連接Vpwr的金屬層。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種半導(dǎo)體制造鋁金屬線(xiàn)制程，能減少鋁金屬線(xiàn) 制程中的等離子體損傷，提高產(chǎn)品良率。 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的半導(dǎo)體制造鋁金屬線(xiàn)制程，其特征在于，包括以下 步驟 步驟一 .淀積鋁金屬薄膜；
步驟二 .刻蝕所述鋁金屬薄膜； 步驟三.APCVD(常壓化學(xué)氣象淀積)淀積同所述金屬鋁直接接觸的MD ;
步驟四.PECVD淀積IMD ;
步驟五.MD通孔等后續(xù)工藝。 在本發(fā)明的半導(dǎo)體制造鋁金屬線(xiàn)制程中，在金屬刻蝕完后，采用APCVD來(lái)代替原 有的PECVD進(jìn)行金屬層間膜的淀積，APCVD是在常壓條件下進(jìn)行的淀積，不會(huì)對(duì)晶圓產(chǎn)生等 離子體損傷，減少了在金屬上的電荷累積，從而避免了金屬上電荷釋放不掉導(dǎo)致的尖端放電。


下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。 圖1是現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造鋁金屬線(xiàn)制程流程圖； 圖2是采用現(xiàn)有半導(dǎo)體制造鋁金屬線(xiàn)制程的半導(dǎo)體剖面圖； 圖3是本發(fā)明的半導(dǎo)體制造鋁金屬線(xiàn)制程一實(shí)施方式的流程圖； 圖4是采用本發(fā)明的半導(dǎo)體制造鋁金屬線(xiàn)制程一實(shí)施方式的半導(dǎo)體剖面圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的半導(dǎo)體制造鋁金屬線(xiàn)制程一實(shí)施方式如圖3所示，包括以下步驟
1.淀積鋁金屬薄膜；
2.刻蝕所述鋁金屬薄膜； 3. APCVD (常壓化學(xué)氣象淀積)淀積同所述金屬鋁直接接觸的MD (如TE0S，正硅酸乙脂)；4. CMP (化學(xué)機(jī)械拋光)上述APCVD淀積的MD ;
5. PECVD淀積IMD ;
6. MD通孔等后續(xù)工藝。 采用本發(fā)明的半導(dǎo)體制造鋁金屬線(xiàn)制程的半導(dǎo)體剖面圖如圖4所示，采用APCVD(常壓化學(xué)氣象淀積)淀積同金屬鋁直接接觸的IMD。 在本發(fā)明的半導(dǎo)體制造鋁金屬線(xiàn)制程中，在金屬刻蝕完后，采用APCVD來(lái)代替原有的PECVD進(jìn)行金屬層間膜的淀積，APCVD是在常壓條件下進(jìn)行的淀積，不會(huì)對(duì)晶圓產(chǎn)生等離子體損傷，減少了在金屬上的電荷累積，從而避免了金屬上電荷釋放不掉導(dǎo)致的尖端放電?？紤]到用APCVD和PECVD淀積的薄膜k值(介電常數(shù))有差異，會(huì)造成層間電容和寄生電容的偏離，所以在APCVD淀積完后，運(yùn)用CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)制程把APCVD淀積的IMD磨平，再用PECVD淀積來(lái)調(diào)節(jié)IMD總的厚度，保持同半導(dǎo)體的金屬層原來(lái)的寄生電容和層間電容。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體制造鋁金屬線(xiàn)制程，其特征在于，包括以下步驟步驟一.淀積鋁金屬薄膜；步驟二.刻蝕所述鋁金屬薄膜；步驟三.APCVD淀積同所述金屬鋁直接接觸的IMD；步驟四.PECVD淀積IMD；步驟五.IMD通孔等后續(xù)工藝。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體制造鋁金屬線(xiàn)制程，其特征在于，步驟三通過(guò)APCVD淀 積同所述金屬鋁直接接觸的頂D后，CMP所述APCVD淀積的MD，然后進(jìn)行步驟四。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造鋁金屬線(xiàn)制程，其特征在于，所述MD為T(mén)EOS。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體制造鋁金屬線(xiàn)制程，包括以下步驟淀積鋁金屬薄膜；刻蝕所述鋁金屬薄膜；APCVD淀積同所述金屬鋁直接接觸的IMD；PECVD淀積IMD。本發(fā)明的半導(dǎo)體制造鋁金屬線(xiàn)制程，能減少鋁金屬線(xiàn)制程中的等離子體損傷，提高產(chǎn)品良率。
文檔編號(hào)H01L21/768GK101740467SQ20081004398
公開(kāi)日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2008年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月24日
發(fā)明者譚穎, 陳廣龍 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司