專利名稱：一種半導(dǎo)體制程中的設(shè)備監(jiān)控方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明設(shè)計(jì)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一種監(jiān)控方法，尤其是一種能使產(chǎn)品良率提高的半導(dǎo)體制程中的設(shè)備監(jiān)控方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體集成電路的制造涉及數(shù)百個(gè)工藝步驟，這些步驟的任何一個(gè)脫離監(jiān)控即使其他步驟都做了很好的控制還是有可能導(dǎo)致最終的產(chǎn)品失效。因此，監(jiān)控每一個(gè)工藝步驟， 并有早期預(yù)警是半導(dǎo)體集成工藝的關(guān)鍵問題之一。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體工廠采用離線監(jiān)控和在線監(jiān)控這兩種監(jiān)控形式在操作過程中的檢查設(shè)備的性能。但是，上述兩種監(jiān)控形式都有局限性和風(fēng)險(xiǎn)期間，從而給生產(chǎn)帶來不確定性。離線監(jiān)控只能在設(shè)備不生產(chǎn)時(shí)進(jìn)行，從而使監(jiān)控頻率低，生產(chǎn)中的不確定性無法及時(shí)得到監(jiān)控。在線監(jiān)控是整個(gè)工藝的一部分，但是通常無法檢查所有的晶圓，產(chǎn)品在到達(dá)在線檢測(cè)站點(diǎn)后按照已經(jīng)定義好的抽樣規(guī)則選取，不符合抽樣規(guī)則的產(chǎn)品被自動(dòng)跳到下一站點(diǎn)而不做缺陷檢測(cè)，而產(chǎn)品到達(dá)主工藝站點(diǎn)后選擇跑貨設(shè)備是隨機(jī)的，這樣有可能造成某一臺(tái)主工藝設(shè)備在一段時(shí)間內(nèi)跑出來的產(chǎn)品都沒有被缺陷檢測(cè)過，有這樣使某臺(tái)設(shè)備在一段時(shí)間內(nèi)脫離監(jiān)測(cè)監(jiān)控，使風(fēng)險(xiǎn)擴(kuò)大。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體工廠的實(shí)際做法就是上述的抽樣檢驗(yàn)，這導(dǎo)致其必須承擔(dān)被跳過的大量晶圓在生產(chǎn)中產(chǎn)生的風(fēng)險(xiǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有的半導(dǎo)體制程中的監(jiān)控方法所存在的上述問題，本發(fā)明提供一種能使產(chǎn)品良率提高的半導(dǎo)體制程中的設(shè)備監(jiān)控方法。本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為
一種半導(dǎo)體制程中的設(shè)備監(jiān)控方法，其中，包括如下步驟 步驟a、于半導(dǎo)體制程開始前制定一固定樣本數(shù)量的抽樣方案； 步驟b、于工藝步驟開始前根據(jù)所述抽樣方案確定哪些晶圓需要被抽樣，哪些晶圓無需被抽樣，將需要被抽樣的晶圓平均的分配到每臺(tái)工藝設(shè)備； 步驟C、執(zhí)行工藝步驟；
步驟d、以所述抽樣方案抽樣，根據(jù)所述抽樣的結(jié)果，對(duì)所述被抽樣的晶圓進(jìn)行在線檢測(cè)。步驟e、重復(fù)步驟b至步驟d直至所有工藝步驟執(zhí)行完畢； 步驟f、對(duì)所有晶圓進(jìn)行電氣性能檢測(cè)。上述半導(dǎo)體制程中的設(shè)備監(jiān)控方法，其中，所述抽樣方案隨所述工藝步驟變化而變化。上述半導(dǎo)體制程中的設(shè)備監(jiān)控方法，其中，還包括風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志分配模塊和風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志， 所述風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志分配模塊按預(yù)定規(guī)則將所述風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志分配予所述晶圓，所述抽樣方案使帶有所述風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志的晶圓被抽樣。
上述半導(dǎo)體制程中的設(shè)備監(jiān)控方法，其中，所述預(yù)定規(guī)則包括如下步驟
步驟al 所述風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志分配模于一工藝步驟執(zhí)行完畢后且所述抽樣執(zhí)行前收回所有所述風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志；
步驟a2 所述風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志分配模于所述抽樣執(zhí)行前，向于所述執(zhí)行完畢的工藝步驟中可能存在風(fēng)險(xiǎn)的晶圓分配所述風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志。上述半導(dǎo)體制程中的設(shè)備監(jiān)控方法，其中，所述預(yù)定規(guī)則包括如下步驟
步驟al 所述風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志分配模于一工藝步驟執(zhí)行完畢后且所述抽樣執(zhí)行前向于所述執(zhí)行完畢的工藝步驟中可能存在風(fēng)險(xiǎn)的晶圓分配所述風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志；
步驟a2 所述風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志分配模于所述步驟d中的在線檢測(cè)完成后收回所有所述風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)
ο本發(fā)明的有益效果是
通過抽樣方案和動(dòng)態(tài)風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志配合，使抽樣批次被平均的分配到每臺(tái)設(shè)備，使半導(dǎo)體制程中的潛在風(fēng)險(xiǎn)最小化。


圖1是本發(fā)明一種半導(dǎo)體制程中的設(shè)備監(jiān)控方法的流程圖2是本發(fā)明一種半導(dǎo)體制程中的設(shè)備監(jiān)控方法的風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志分配模塊的預(yù)定規(guī)則的流程圖3是本發(fā)明一種半導(dǎo)體制程中的設(shè)備監(jiān)控方法風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志分配模塊的預(yù)定規(guī)則的另一種實(shí)施方式的流程圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，但不作為本發(fā)明的限定。如圖1所示本發(fā)明一種半導(dǎo)體制程中的設(shè)備監(jiān)控方法，包括如下步驟 步驟a、于半導(dǎo)體制程開始前制定一固定樣本數(shù)量的抽樣方案；
步驟b、于工藝步驟開始前根據(jù)抽樣方案確定哪些晶圓需要被抽樣，哪些晶圓無需被抽樣，將需要被抽樣的晶圓平均的分配到每臺(tái)工藝設(shè)備； 步驟C、執(zhí)行工藝步驟；
步驟d、以抽樣方案抽樣，根據(jù)抽樣的結(jié)果，對(duì)被抽樣的晶圓進(jìn)行在線檢測(cè)； 步驟e、重復(fù)步驟b至步驟d直至所有工藝步驟執(zhí)行完畢； 步驟f、對(duì)所有晶圓進(jìn)行電氣性能檢測(cè)。

其中，抽樣方案隨工藝步驟變化而變化且平均的將抽樣批次分配到每一臺(tái)工藝設(shè)備，是每一臺(tái)工藝設(shè)備在完成工藝步驟后都有晶圓被抽樣到，使工藝設(shè)備不會(huì)脫離在線監(jiān)測(cè)的監(jiān)控。這是與現(xiàn)有的在線監(jiān)控形式的最大區(qū)別，進(jìn)一步的可以引入一個(gè)風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志分配模塊和風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志，風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志分配模塊按預(yù)定規(guī)則將風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志分配予晶圓，抽樣方案使帶有所述風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志的晶圓被抽樣。也就是當(dāng)抽樣進(jìn)行時(shí)，抽樣方案判斷到帶有風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志的晶圓及對(duì)其進(jìn)行抽樣。進(jìn)一步的，如圖2所示，分險(xiǎn)標(biāo)志分配模塊的預(yù)定規(guī)則包括如下步驟 步驟al 于一工藝步驟執(zhí)行完畢后且抽樣執(zhí)行前收回所有風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志；步驟a2 于抽樣執(zhí)行前，向于執(zhí)行完畢的工藝步驟中可能存在風(fēng)險(xiǎn)的晶圓分配風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)
ο如圖3所示，分險(xiǎn)標(biāo)志分配模塊的預(yù)定規(guī)則也可以采用如下步驟
步驟al 于一工藝步驟執(zhí)行完畢后且抽樣執(zhí)行前向于執(zhí)行完畢的工藝步驟中可能存在風(fēng)險(xiǎn)的晶圓分配風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志；
步驟a2 于步驟d中的在線檢測(cè)完成后收回所有風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志。這樣做的好處是通過動(dòng)態(tài)的風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志改變抽樣方案，使每個(gè)工藝步驟結(jié)束后都會(huì)針對(duì)該工藝步驟可能產(chǎn)生的問題進(jìn)行抽樣，進(jìn)而使抽樣批次可以較平均的分配到每一個(gè)工藝步驟，從而有利于最小化潛在的風(fēng)險(xiǎn)周期，使產(chǎn)品良率得到提升。以上所述僅為本發(fā)明較佳的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的申請(qǐng)專利范圍，所以凡運(yùn)用本發(fā)明說明書及圖示內(nèi)容所作出的等效結(jié)構(gòu)變化或等效手段變化，均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體制程中的設(shè)備監(jiān)控方法，其特征在于，包括如下步驟 步驟a、于半導(dǎo)體制程開始前制定一固定樣本數(shù)量的抽樣方案；步驟b、于工藝步驟開始前根據(jù)所述抽樣方案確定哪些晶圓需要被抽樣，哪些晶圓無需被抽樣，將需要被抽樣的晶圓平均的分配到每臺(tái)工藝設(shè)備； 步驟C、執(zhí)行工藝步驟；步驟d、以所述抽樣方案抽樣，根據(jù)所述抽樣的結(jié)果，對(duì)所述被抽樣的晶圓進(jìn)行在線檢測(cè)；步驟e、重復(fù)步驟b至步驟d直至所有工藝步驟執(zhí)行完畢； 步驟f、對(duì)所有晶圓進(jìn)行電氣性能檢測(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體制程中的設(shè)備監(jiān)控方法，其特征在于，所述抽樣方案隨所述工藝步驟變化而變化。
3.如權(quán)利要求2所述半導(dǎo)體制程中的設(shè)備監(jiān)控方法，其特征在于，還包括風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志分配系統(tǒng)和風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志，所述風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志分配系統(tǒng)按預(yù)定規(guī)則將所述風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志分配予所述晶圓， 所述抽樣方案使帶有所述風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志的晶圓被抽樣。
4.如權(quán)利要求3所述半導(dǎo)體制程中的設(shè)備監(jiān)控方法，其特征在于，所述預(yù)定規(guī)則包括如下步驟步驟al 于一工藝步驟執(zhí)行完畢后且所述抽樣執(zhí)行前收回所有所述風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志； 步驟a2 于所述抽樣執(zhí)行前，向于所述執(zhí)行完畢的工藝步驟中可能存在風(fēng)險(xiǎn)的晶圓分配所述風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志。
5.如權(quán)利要求3所述半導(dǎo)體制程中的設(shè)備監(jiān)控方法，其特征在于，所述預(yù)定規(guī)則包括如下步驟步驟al 于一工藝步驟執(zhí)行完畢后且所述抽樣執(zhí)行前向于所述執(zhí)行完畢的工藝步驟中可能存在風(fēng)險(xiǎn)的晶圓分配所述風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志；步驟a2 于所述步驟d中的在線檢測(cè)完成后收回所有所述風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體制程中的設(shè)備監(jiān)控方法，其中，包括如下步驟步驟a、于半導(dǎo)體制程開始前制定一固定樣本數(shù)量的抽樣方案；步驟b、于工藝步驟開始前根據(jù)所述抽樣方案確定哪些晶圓需要被抽樣，哪些晶圓無需被抽樣，將需要被抽樣的晶圓平均的分配到每臺(tái)工藝設(shè)備；步驟c、執(zhí)行工藝步驟；步驟d、以所述抽樣方案抽樣，根據(jù)所述抽樣的結(jié)果，對(duì)所述被抽樣的晶圓進(jìn)行在線檢測(cè)；步驟e、重復(fù)步驟b至步驟d直至所有工藝步驟執(zhí)行完畢；步驟f、對(duì)所有晶圓進(jìn)行電氣性能檢測(cè)。本發(fā)明的有益效果是通過抽樣方案和動(dòng)態(tài)風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志配合，使半導(dǎo)體制程中的潛在風(fēng)險(xiǎn)最小化。
文檔編號(hào)H01L21/66GK102446786SQ201110384000
公開日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2011年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月28日
發(fā)明者倪棋梁, 朱陸君, 王愷, 郭明升, 陳宏璘, 龍吟 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司