專利名稱：用于半導(dǎo)體制程的輔助加熱罩的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是與輔助加熱罩有關(guān)，輔助加熱罩用以罩于基板上，特別是指一種用于半導(dǎo)體制程的輔助加熱罩。
背景技術(shù)：
隨著太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,相較于鋪化鎘薄膜材料硒化銅銦鎵(Copper IndiumGallium Diselenide1CIGS)薄膜材料具有較佳的能源轉(zhuǎn)換效率，所以受到重視。CIGS薄膜太陽(yáng)能電池的制程中，通常前制程中已經(jīng)率先將銅銦鎵硒材料鍍?cè)诨迳?，基板材料通常是玻璃材質(zhì)，接著，將鍍有銅銦鎵硒的基板放入反應(yīng)爐中加熱，以在基板上形成CIGS薄膜。類似的制程例如，中國(guó)臺(tái)灣公開(kāi)第201227984號(hào)申請(qǐng)案，其揭露一種用于在玻璃上形成半導(dǎo)體薄膜的反應(yīng)容器，反應(yīng)容器包括一上蓋及與一底座，契合的上蓋與底座之間形成一置物空間，用以容置鍍有銅銦鎵硒的玻璃基板，特別地，上蓋與底座契合部分是榫卯結(jié)構(gòu)，榫卯結(jié)構(gòu)用以供硒蒸氣逸散，這表示置物空間內(nèi)的硒蒸氣會(huì)藉由榫卯結(jié)構(gòu)逸散到反應(yīng)容器夕卜，這樣可能會(huì)讓置物空間內(nèi)的硒蒸氣濃度不足，進(jìn)而造成最終玻璃基板上的CIGS薄膜的硒含量不足，導(dǎo)致良率不佳的嚴(yán)重缺點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型提供一種用于半導(dǎo)體制程的輔助加熱罩。輔助加熱罩罩于一玻璃基板上。玻璃基板具有一頂面、一底面及位于頂、底兩面的周緣之間的一環(huán)立面，玻璃基板的頂面鍍有反應(yīng)材料。輔助加熱罩包括一罩體及一環(huán)墻。該罩體具有一支撐墻及一蓋板。支撐墻的頂部連接蓋板，且環(huán)繞于蓋板的周緣，使得該支撐墻及該蓋板之間形成一腔體。支撐墻的底部抵靠于玻璃基板的頂面，且環(huán)繞玻璃基板的周圍。蓋板是間隔面對(duì)玻璃基板的頂面。環(huán)墻形成于罩體的外周緣，且有一連接部及一凸伸部。連接部延伸自支撐墻及蓋板。凸伸部延伸自連接部，且低于支撐墻的底部。其中，環(huán)墻的凸伸部正對(duì)玻璃基板的環(huán)立面。如此，當(dāng)本實(shí)用新型的輔助加熱罩罩于鍍有反應(yīng)材料的玻璃基板上，且被放入加熱反應(yīng)爐中加熱，這樣，均溫的腔體中的玻璃基板頂面就會(huì)形成由反應(yīng)材料組成的半導(dǎo)體薄膜。再者，本實(shí)用新型的輔助加熱罩是直接罩在玻璃基板上，且支撐墻抵靠在玻璃基板的周圍，所以，相較于先前技術(shù)，反應(yīng)材料(例如硒)蒸氣較不會(huì)外散，且更適合量產(chǎn)。

圖1為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的輔助加熱罩的立體圖。圖2為玻璃基板上的示意圖。圖3及圖4分別為輔助加熱罩罩于玻璃基板上的剖視示意圖。
具體實(shí)施方式
為了詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)特點(diǎn)所在，茲舉以下一較佳實(shí)施例并配合圖式說(shuō)明如后，其中:如圖1所示，圖1為本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的輔助加熱罩的立體圖。輔助加熱罩10包括一罩體11及一環(huán)墻13。罩體11具有一支撐墻111及一蓋板113。支撐墻111的頂部連接蓋板113，且環(huán)繞于蓋板113的周緣，使得支撐墻111及蓋板113之間形成一腔體15 (請(qǐng)先參照?qǐng)D3及圖4)。輔助加熱罩10較佳地選用石墨或石英材料。環(huán)墻13形成于罩體11的外周緣，且具有一連接部131及一凸伸部133。連接部131延伸自支撐墻111及蓋板113。凸伸部133延伸自連接部131，且低于支撐墻111的底部112。實(shí)際上，輔助加熱罩10是一體成形的結(jié)構(gòu)，表示，罩體11及環(huán)墻13 —體的結(jié)構(gòu)。如圖2所示，圖2為玻璃基板上的立體圖。玻璃基板20具有一頂面21、一底面23及位在頂、底兩面21、23的周緣之間的一環(huán)立面25。如圖3所示，圖3為輔助加熱罩罩于玻璃基板上的剖視示意圖。由于，輔助加熱罩10罩于玻璃基板20上的立體圖標(biāo)無(wú)法顯示本實(shí)用新型的特征，即圖1中的輔助加熱罩10被翻轉(zhuǎn)180度，且罩在玻璃基板20上，所以，省略組合狀態(tài)的立體圖，僅以組合后的剖視圖為例。需要注意的是，玻璃基板20的尺寸略小于環(huán)墻13所形成的空間，以使輔助加熱罩10可完整地罩住玻璃基板20。此外，玻璃基板20的頂面21有半導(dǎo)體的反應(yīng)材料，半導(dǎo)體的反應(yīng)材料說(shuō)明請(qǐng)容后再述。當(dāng)輔助加熱罩10罩于玻璃基板20時(shí)，支撐墻111的底部112抵靠于玻璃基板20的頂面21，且環(huán)繞玻璃基板20的周圍，蓋板113間隔面對(duì)玻璃基板20的頂面21，如此，腔體15就變成密閉的腔體。環(huán)墻13正對(duì)玻璃基板20的環(huán)立面25，以包圍玻璃基板20的環(huán)立面25。其中，形成反應(yīng)空間的目的請(qǐng)容后再述。一般硒化銅銦鎵(Copper Indium Gallium Diselenide, CIGS)薄膜太陽(yáng)能電池的制程中通常需經(jīng)過(guò)硒化(Selenization)等制程，以使玻璃基板20上形成銅銦鎵硒薄膜。通常在硒化制程之前，玻璃基板20上已經(jīng)鍍有銅銦鎵硒，即前述的反應(yīng)材料，而在執(zhí)行硒化制程時(shí)，本實(shí)用新型的輔助加熱罩10罩于鍍有銅銦鎵硒材料的玻璃基板20上，且放入加熱反應(yīng)爐中，這樣，玻璃基板20與輔助加熱罩10之間密閉的腔體15就可提供均溫的環(huán)境，來(lái)對(duì)玻璃基板20的頂面的反應(yīng)材料加熱。如此，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間且待冷卻后，玻璃基板20上就可形成銅銦鎵硒薄膜。再者，由于支撐墻111直接抵靠在玻璃基板20上，且藉由該輔助加熱罩10的重量自然壓在玻璃基板20上，因此腔體15內(nèi)的硒蒸氣就不會(huì)外泄至輔助加熱罩10外。實(shí)務(wù)上，輔助加熱罩10也可以被應(yīng)用于其它反應(yīng)制程中，因此，不以此所述的硒化制程為限。需要注意的是，在圖3中，輔助加熱罩10及玻璃基板20屬于未被加熱的狀態(tài)，所以，環(huán)墻13與玻璃基板20之間會(huì)有間隙，一旦加熱后，由于材料熱脹的自然現(xiàn)象，間隙會(huì)自然的縮小。輔助加熱罩10的形狀不以此所繪矩形為限，也可以是圓形或三角形等。環(huán)墻13的凸伸部133具有一內(nèi)立面135、一外立面137及一底面139，內(nèi)立面135及外立面137分別連接底面139的內(nèi)、外兩邊，如此，當(dāng)上述的硒化反應(yīng)完成后，即可藉由其它支撐器具(未繪示于圖中)抵頂凸伸部133的底面139后，由下往上將輔助加熱罩10升起，而供取出玻璃基板20。請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D3，較佳地，罩體11的環(huán)墻13的底緣131與玻璃基板20的底面23齊平，這樣，就能在加熱爐中平穩(wěn)的輸送罩有輔助加熱罩10的玻璃基板20。如圖4所示，罩體11的環(huán)墻13的底緣131也可以高于玻璃基板20的底面23，這樣，也可以達(dá)到上述平穩(wěn)輸送的目的。
權(quán)利要求1.一種用于半導(dǎo)體制程的輔助加熱罩，其特征在于，罩于一玻璃基板上，該玻璃基板具有一頂面、一底面及位在頂、底兩面的周緣之間的一環(huán)立面，該玻璃基板的頂面有反應(yīng)材料，該輔助加熱罩包括: 一罩體，具有一支撐墻及一蓋板，該支撐墻的頂部連接該蓋板，且環(huán)繞于該蓋板的周緣，使得該支撐墻及該蓋板之間形成一腔體，其中，該支撐墻的底部抵靠于該玻璃基板的頂面，且環(huán)繞該玻璃基板的周圍，該蓋板面對(duì)該玻璃基板的頂面；及 一環(huán)墻，形成于該罩體的外周緣，且有一連接部及一凸伸部，該連接部延伸自該支撐墻及該蓋板，該凸伸部延伸自該連接部，且低于該支撐墻的底部，其中，該環(huán)墻的凸伸部正對(duì)該玻璃基板的環(huán)立面。
2.如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體制程的輔助加熱罩，其特征在于，該環(huán)墻的凸伸部具有一內(nèi)立面、一外立面及一底面，該內(nèi)立面及該外立面分別連接該底面的內(nèi)、外兩邊。
3.如權(quán)利要求2所述的用于半導(dǎo)體制程的輔助加熱罩，其特征在于，該環(huán)墻的凸伸部的底面與該玻璃基板的底面齊平，或該環(huán)墻的凸伸部的底面高于該玻璃基板的底面。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種用于半導(dǎo)體制程的輔助加熱罩。輔助加熱罩用以罩于一玻璃基板上。玻璃基板具有一頂面、一底面及位于頂、底兩面的周緣之間的一環(huán)立面，玻璃基板的頂面鍍有反應(yīng)材料。輔助加熱罩包括一罩體及一環(huán)墻。該罩體具有一支撐墻及一蓋板。支撐墻的頂部連接蓋板，且環(huán)繞于蓋板的周緣。支撐墻的底部抵靠于玻璃基板的頂面，且環(huán)繞玻璃基板的周圍。蓋板間隔面對(duì)玻璃基板的頂面。環(huán)墻形成于罩體的外周緣，且有一連接部及延伸自連接部的一凸伸部。凸伸部正對(duì)玻璃基板的環(huán)立面。
文檔編號(hào)H01L31/18GK203026544SQ20122070418
公開(kāi)日2013年6月26日 申請(qǐng)日期2012年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月18日
發(fā)明者曾昭隆, 邱文鼎, 趙子銘, 陳君健, 汪宇炎, 何文福, 黎勝, 廖科峰 申請(qǐng)人:生陽(yáng)新材料科技(寧波)有限公司