技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種砷化鎵量子點(diǎn)增強(qiáng)的石墨烯/碲鎘汞紅外探測(cè)器及其制備方法，該石墨烯/碲鎘汞紅外探測(cè)器自下而上依次有襯底、導(dǎo)電鍍膜層、碲鎘汞層、石墨烯層及砷化鎵量子點(diǎn)層，所述的紅外探測(cè)器還設(shè)有第一電極和第二電極，第一電極設(shè)置在導(dǎo)電鍍膜層上，第二電極設(shè)置在石墨烯層上。其制備方法如下：先在襯底上沉積導(dǎo)電鍍膜層，再沉積碲鎘汞層；然后將石墨烯轉(zhuǎn)移至碲鎘汞層上；在石墨烯層上制備砷化鎵量子點(diǎn)層；最后在石墨烯層及導(dǎo)電鍍膜層上分別制作電極，獲得紅外探測(cè)器。本發(fā)明的砷化鎵量子點(diǎn)增強(qiáng)的石墨烯/碲鎘汞紅外探測(cè)器利用砷化鎵量子點(diǎn)引入的光生摻雜效應(yīng)來(lái)獲得具有高轉(zhuǎn)化效率的石墨烯/碲鎘汞紅外探測(cè)器。

技術(shù)研發(fā)人員：龐倩桃
受保護(hù)的技術(shù)使用者：龐倩桃
文檔號(hào)碼：201611082048
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.30
技術(shù)公布日：2017.02.22