技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了GeOI結(jié)構(gòu)以及制備方法。該方法包括：(1)在基底的上表面依次形成鍺過(guò)渡層和鍺層，以便獲得第一復(fù)合體；(2)對(duì)所述第一復(fù)合體進(jìn)行離子注入處理，所述注入的離子中含氫離子；(3)將所述第一復(fù)合體與襯底進(jìn)行鍵合處理，以便獲得第二復(fù)合體，其中，所述襯底的上表面具有絕緣層，并且所述鍵合處理中所述絕緣層與所述鍺層接觸；以及(4)對(duì)所述第二復(fù)合體進(jìn)行剝離處理，以便分別獲得第三復(fù)合體和所述GeOI結(jié)構(gòu)。該方法操作步驟簡(jiǎn)單，對(duì)儀器設(shè)備要求較低，并且可以避免利用Ge晶片進(jìn)行制備時(shí)，由于Ge晶片尺寸過(guò)小而對(duì)GeOI結(jié)構(gòu)造成的尺寸限制。

技術(shù)研發(fā)人員：王敬;孫川川;梁仁榮;許軍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：清華大學(xué)
文檔號(hào)碼：201611053419
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.24
技術(shù)公布日：2017.03.22