技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種高導(dǎo)熱量子點(diǎn)薄膜的制備方法，包括：S1混合納米級的半導(dǎo)體量子點(diǎn)、高聚物基體和第一有機(jī)溶劑，并使高聚物基體完全溶解于第一有機(jī)溶劑，獲得量子點(diǎn)溶液；S2將量子點(diǎn)溶液轉(zhuǎn)移至電紡絲設(shè)備的注射器中，利用電紡絲設(shè)備制備電紡絲膜；S3對電紡絲膜進(jìn)行熱壓得到壓實(shí)電紡絲膜；S4將壓實(shí)電紡絲膜浸入LED封裝膠中，真空脫泡后取出，經(jīng)加熱固化，即得到高導(dǎo)熱量子點(diǎn)薄膜。本發(fā)明簡單有效，環(huán)保經(jīng)濟(jì)，顯著提高提升了量子點(diǎn)薄膜的導(dǎo)熱性能，從而可改善量子點(diǎn)LED的散熱性能和光色穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭懷;劉勝;雷翔;劉潔;周尚儒
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢大學(xué)
文檔號碼：201610968220
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.26
技術(shù)公布日：2017.03.08