1.一種高導(dǎo)熱量子點(diǎn)薄膜的制備方法，其特征是，包括步驟：
S1混合納米級的半導(dǎo)體量子點(diǎn)、高聚物基體和第一有機(jī)溶劑，并使高聚物基體完全溶解于第一有機(jī)溶劑，獲得量子點(diǎn)溶液；
S2將量子點(diǎn)溶液轉(zhuǎn)移至電紡絲設(shè)備的注射器中，利用電紡絲設(shè)備制備電紡絲膜；
S3對電紡絲膜進(jìn)行熱壓得到壓實(shí)電紡絲膜；
S4將壓實(shí)電紡絲膜浸入LED封裝膠中，真空脫泡后取出，經(jīng)加熱固化，即得到高導(dǎo)熱量子點(diǎn)薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)熱量子點(diǎn)薄膜的制備方法，其特征是：
所述的半導(dǎo)體量子點(diǎn)為CdSe/ZnS量子點(diǎn)、CdSe量子點(diǎn)、CdSe/CdS/ZnS量子點(diǎn)、ZnO/CdS量子點(diǎn)、ZnSe/ZnS量子點(diǎn)、CuInS2量子點(diǎn)或InP/ZnS量子點(diǎn)。
3.如權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)熱量子點(diǎn)薄膜的制備方法，其特征是：
所述的高聚物基體為聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚對苯二甲酸乙二醇酯。
4.如權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)熱量子點(diǎn)薄膜的制備方法，其特征是：
所述的第一有機(jī)溶劑為三氯甲烷、甲苯、己烷或二甲苯。
5.如權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)熱量子點(diǎn)薄膜的制備方法，其特征是：
所述的量子點(diǎn)溶液中，半導(dǎo)體量子點(diǎn)和高聚物基體的質(zhì)量比為1：（50~200），高聚物基體的質(zhì)量濃度為10wt%~20wt%。
6.如權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)熱量子點(diǎn)薄膜的制備方法，其特征是：
步驟S3中熱壓條件為：熱壓溫度為50℃~100℃，壓力范圍為5MPa ~20MPa，熱壓時間為10分鐘~20分鐘。
7.如權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)熱量子點(diǎn)薄膜的制備方法，其特征是：
步驟S3中，在熱壓前，采用第二有機(jī)溶劑對電紡絲膜進(jìn)行浸潤，第二有機(jī)溶劑選擇不溶解高聚物基體且不與半導(dǎo)體量子點(diǎn)反應(yīng)的有機(jī)溶劑。
8.如權(quán)利要求7所述的高導(dǎo)熱量子點(diǎn)薄膜的制備方法，其特征是：
所述的第二有機(jī)溶劑為酒精、乙二醇或異丙醇。
9.如權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)熱量子點(diǎn)薄膜的制備方法，其特征是：
所述的LED封裝膠為硅膠或環(huán)氧樹脂。