1.一種AgNWs薄膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：
首先將體積比為150:1~20:1的十二烷基硫酸鈉水溶液與十二烷基二甲基氧化胺水溶液混合，再加入48~52mg/mLAgNWs水溶液混合，振動攪拌，形成含有大小不一的氣泡的混合液；
接著將上述混合液涂覆在基板上，自然晾干后退火，得到AgNWs薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AgNWs薄膜的制備方法，其特征在于，所述十二烷基硫酸鈉水溶液為2-4wt%的十二烷基硫酸鈉水溶液。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AgNWs薄膜的制備方法，其特征在于，所述十二烷基二甲基氧化胺水溶液為32-34wt%的十二烷基二甲基氧化胺水溶液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AgNWs薄膜的制備方法，其特征在于，通過渦旋振蕩器振動攪拌。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AgNWs薄膜的制備方法，其特征在于，所述混合液涂覆的厚度為0.1~2mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AgNWs薄膜的制備方法，其特征在于，在180~220℃下退火。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AgNWs薄膜的制備方法，其特征在于，退火時長為18~22min。
8.一種AgNWs薄膜，其特征在于，采用如權(quán)利要求1~7任一所述的AgNWs薄膜的制備方法制備而成。
9.一種量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括步驟：
A、在陰極層上依次制備電子注入層和電子傳輸層；
B、在電子傳輸層上制備量子點發(fā)光層；
C、在量子點發(fā)光層上依次制備空穴傳輸層以及陽極層，形成QLED；其中，所述陽極層為權(quán)利要求8所述AgNWs薄膜。
10.一種量子點發(fā)光二極管，其特征在于，采用如權(quán)利要求9所述的量子點發(fā)光二極管的制備方法制備而成，所述量子點發(fā)光二極管自下而上依次包括陰極層、電子注入層、電子傳輸層、量子點發(fā)光層、空穴傳輸層以及陽極層。