本公開至少一實施例涉及一種有機發(fā)光二極管照明燈片及其制備方法。

背景技術(shù)：

隨著有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)技術(shù)的成熟，OLED照明也逐漸走向市場。近年來的研究表明，OLED照明具有燈具能效高、光線柔和、分布均勻、顯色指數(shù)高、健康無輻射、可支持柔性應(yīng)用等無以取代的優(yōu)點。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本公開的至少一實施例涉及一種有機發(fā)光二極管照明燈片及其制備方法，該OLED制備過程不需要使用精細金屬掩膜(Fine Metal Mask)。

本公開至少一實施例涉及一種有機發(fā)光二極管照明燈片的制備方法，包括：制作陣列背板，所述陣列背板包括第一襯底以及形成在所述第一襯底上的第一電極；在所述陣列背板設(shè)置有所述第一電極的一面貼附靜電膜，對所述靜電膜進行構(gòu)圖形成圖案化的靜電膜，以所述圖案化的靜電膜為掩膜形成有機膜層；形成第二電極，得到有機發(fā)光二極管器件；對所述有機發(fā)光二極管器件進行封裝。

本公開至少一實施例涉及一種有機發(fā)光二極管照明燈片，包括燈片主體，所述燈片主體包括照明部，所述燈片主體的邊緣圍繞的區(qū)域內(nèi)包括至少一個不發(fā)光區(qū)域；所述照明部包括第一襯底以及形成在所述第一襯底上的多個有機發(fā)光二極管器件，各所述有機發(fā)光二極管器件包括第一電極、第二電極以及設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的有機膜層；所述有機膜層在所述照明部連續(xù)延伸。

附圖說明

為了更清楚地說明本公開實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開的一些實施例，而非對本公開的限制。

圖1a為本公開一實施例提供的OLED照明燈片制備方法流程圖；

圖1b為本公開一實施例提供的OLED照明燈片發(fā)光區(qū)域示意圖；

圖2a為圖1b的OLED照明燈片的MN處的陣列背板的剖面示意圖；

圖2b為本公開一實施例提供的OLED照明燈片中包括外接電極的陣列背板的剖面示意圖；

圖2c為圖2b的簡化示意圖；

圖3a為本公開一實施例提供的OLED照明燈片制備方法中形成的靜電膜的俯視示意圖；

圖3b為本圖3a中對應(yīng)外接電極處的剖視示意圖；

圖4a為本公開一實施例提供的OLED照明燈片制備方法中形成的圖案化的靜電膜的俯視示意圖；

圖4b為圖4a中AB處的剖視示意圖；

圖5a為本公開一實施例提供的OLED照明燈片制備方法中形成有機膜層的薄膜的俯視示意圖(有機膜層的薄膜整面覆蓋，并對有機膜層的薄膜做了半透明處理)；

圖5b為圖5a中CD處的剖視示意圖；

圖6a為本公開一實施例提供的OLED照明燈片制備方法中去除搭接區(qū)靜電膜的俯視示意圖；

圖6b為圖6a中EF處的剖視示意圖；

圖7a為本公開一實施例提供的OLED照明燈片制備方法中形成的第二電極的薄膜的俯視示意圖(第二電極的薄膜整面覆蓋，并對第二電極的薄膜做了半透明處理)；

圖7b為圖7a中GH處的剖視示意圖；

圖8a為本公開一實施例提供的OLED照明燈片制備方法中去掉除引出電極區(qū)外的掩膜區(qū)靜電膜以及形成在其上的膜層的俯視示意圖；

圖8b為圖8a中IJ處的剖視示意圖；

圖8c為形成的有機膜層(有機膜層的圖形)的示意圖；

圖8d為形成的第二電極(第二電極的圖形)的示意圖；

圖9為本公開一實施例提供的OLED照明燈片制備方法中形成封裝薄膜的示意圖；

圖10為本公開一實施例提供的OLED照明燈片制備方法中形成第二襯底的示意圖；

圖11a為本公開一實施例提供的OLED照明燈片制備方法中掩膜區(qū)和第二區(qū)域的示意圖；

圖11b為本公開一實施例提供的OLED照明燈片制備方法中利用激光經(jīng)掩膜版照射第一襯底和第二襯底的組合去除的示意圖；

圖12為本公開一實施例提供的OLED照明燈片制備方法中去除第二區(qū)域的第一襯底和第二襯底以及位于兩者之間的膜層的示意圖；

圖13為本公開一實施例提供的OLED照明燈片制備方法中貼附第一水氧阻隔層的示意圖；

圖14為本公開一實施例提供的OLED照明燈片制備方法中將第一襯底和承載第一襯底的承載基板分離的示意圖；

圖15為本公開一實施例提供的OLED照明燈片制備方法中貼附第二水氧阻隔層的示意圖；

圖16a為本公開一實施例提供的OLED照明燈片制備方法中鏤空區(qū)和第二區(qū)域的示意圖；

圖16b為本公開一實施例提供的OLED照明燈片制備方法中貼附第一水氧阻隔層和第二水氧阻隔層后進行切割，以形成鏤空區(qū)域的示意圖；

圖17為本公開一實施例提供的OLED照明燈片制備方法中貼附光取出膜后進行切割，以形成鏤空區(qū)域的示意圖；

圖18a為本公開一實施例提供的OLED照明燈片制備方法中形成的OLED器件的最終造型的示意圖(照明燈片不具有鏤空結(jié)構(gòu))；

圖18b為圖18a提供的OLED照明燈片的KL處剖視示意圖；

圖19為本公開一實施例提供的OLED照明燈片制備方法中形成的OLED器件的最終造型的示意圖(照明燈片具有鏤空結(jié)構(gòu))；

圖20為圖19提供的OLED照明燈片的XY處剖視示意圖(相鄰鏤空區(qū)域之間或相鄰不發(fā)光區(qū)域之間的燈片主體具有一個子像素)；

圖21為圖19提供的OLED照明燈片的XY處剖視示意圖(相鄰鏤空區(qū)域之間或相鄰不發(fā)光區(qū)域之間的燈片主體具有兩個子像素)。

附圖標記：

100-承載基板；101-第一襯底；1015-第一電極；1010-第一絕緣層；1011-電極走線；1012-第二絕緣層；1013-阻抗走線電極；1014-第三絕緣層；1016-像素定義層；10160-像素限制區(qū)域；10250-搭接區(qū)；1025-外接電極；102-靜電膜；1020-圖案化的靜電膜；1021-第一區(qū)域；103-有機膜層；104-第二電極；1040-第二電極的薄膜；01020-掩膜區(qū)；10280-引出電極區(qū)；1028-引出電極區(qū)的掩膜區(qū)靜電膜；105-封裝薄膜；106-第二襯底；107-第一水氧阻隔層；108-第二水氧阻隔層；109-光取出膜；21021-第二區(qū)域；200-掩膜版；2001-掩膜版的光透過區(qū)域；2002-掩膜版的不透光區(qū)域；011-發(fā)光區(qū)域；012-邊緣封裝區(qū)域；013-鏤空區(qū)域；10-燈片主體；01-子像素；0011-照明部；002-不發(fā)光區(qū)域；031-第三區(qū)域。

具體實施方式

為使本公開實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本公開實施例的附圖，對本公開實施例的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本公開的一部分實施例，而不是全部的實施例?；谒枋龅谋竟_的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本公開保護的范圍。

除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學術(shù)語應(yīng)當為本公開所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀薄ⅰ跋隆?、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關(guān)系，當被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

通常的OLED照明燈片制備過程中，形成有機膜層以及陰極的過程中，需要使用精細金屬掩膜(Fine Metal Mask，F(xiàn)MM)，而FMM價格昂貴，并且在制備過程中，因其自身重力作用，可能會導致制得的OLED照明燈片的對應(yīng)FMM邊緣區(qū)域的子像素與對應(yīng)FMM中間區(qū)域的子像素的大小不一，從而使得OLED照明燈片邊緣區(qū)域與中間區(qū)域的發(fā)光亮度不一，發(fā)光不均勻。

本公開至少一實施例提供一種OLED照明燈片的制備方法，如圖1a所示，包括：制作陣列背板，陣列背板包括第一襯底以及形成在第一襯底上的第一電極；在陣列背板設(shè)置有第一電極的一面貼附靜電膜，對靜電膜進行構(gòu)圖形成圖案化的靜電膜，以圖案化的靜電膜為掩膜形成有機膜層；形成第二電極，得到OLED器件；對OLED器件進行封裝。

本公開至少一實施例提供的OLED照明燈片的制備方法，OLED制備過程不需要使用FMM，以靜電膜代替通常的OLED照明燈片制備過程中使用的FMM，使得OLED照明燈片制備更加簡單，制得的OLED照明燈片發(fā)光亮度均一。

實施例1

本實施例以形成圖1b所示的結(jié)構(gòu)為例進行說明OLED照明燈片的制備方法，但本實施例形成的圖形不限于圖1b示出的圖形。圖1b中形成的圖形結(jié)構(gòu)為一蝴蝶狀的照明燈片，發(fā)光區(qū)域011構(gòu)成照明燈片的照明部，照明燈片還包括不發(fā)光區(qū)域002，不發(fā)光區(qū)域002例如包括邊緣封裝區(qū)。用戶可看到亮度的區(qū)域為發(fā)光區(qū)域011。例如，發(fā)光區(qū)域011包括多個子像素。

本實施例提供的OLED照明燈片的制備方法，包括如下步驟。

S1、制作陣列背板，陣列背板包括第一襯底101以及形成在第一襯底101上的第一電極1015。

例如，制作陣列背板包括如下步驟。形成的陣列背板可如圖2a所示。

S101、在第一襯底101上形成第一絕緣層1010。第一襯底101置于基板100上，基板100例如包括玻璃基板。

S102、在第一絕緣層1010上形成電極走線1011的圖形。

S103、在電極走線1011的圖形上形成第二絕緣層1012，對第二絕緣層1012進行構(gòu)圖形成第二絕緣層過孔。

S104、在構(gòu)圖后的第二絕緣層上形成阻抗走線電極1013的圖形，阻抗走線電極1013經(jīng)第二絕緣層過孔與電極走線1011電連接。

阻抗走線電極1013的設(shè)置可以使得照明燈片的發(fā)光更加均勻，阻抗走線電極1013可為線型、折線型等形狀，阻抗走線電極1013可設(shè)置在其所在的子像素區(qū)域內(nèi)，可通過調(diào)節(jié)阻抗走線電極1013的長度來調(diào)節(jié)電阻。亦可不設(shè)置阻抗走線電極1013，本公開的實施例對此不作限定。

S105、在阻抗走線電極1013的圖形上形成第三絕緣層1014，對第三絕緣層1014進行構(gòu)圖形成第三絕緣層過孔。

S106、在構(gòu)圖后的第三絕緣層上形成第一電極1015的圖形，第一電極1015經(jīng)第三絕緣層過孔與阻抗走線電極1013電連接。

S107、在第一電極1015的圖形上形成像素定義層1016以形成像素限制區(qū)域10160的圖形。

下面例舉幾種各層適合的材質(zhì)，需要說明的是，本公開實施例各層的材質(zhì)并不限于列舉的材料。第一襯底101可包括柔性襯底，其材質(zhì)可包括聚酰亞胺(polyimide，PI)。第一絕緣層1010、第二絕緣層1012、第三絕緣層和像素定義層1016材質(zhì)可包括氮化硅(SiNx)，氧化硅(SiOx)，氮氧化硅(SiNxOy)中的一種或多種。第一絕緣層1010可作為緩沖層，電極走線1011可采用低電阻材質(zhì)的金屬，例如，可采用金、銀、銅、鋁、鉬、鈦中的至少一種。第一電極1015和阻抗走線電極1013可采用透明導電材料，例如可采用氧化銦錫(Indium Tin Oxides，ITO)，亦可采用疊層結(jié)構(gòu)，例如采用金屬與導電金屬氧化物的疊層，例如可采用金屬和ITO的疊層，金屬包括金、銀、銅、鋁、鉬、鈦中的至少一種。

例如，在制作陣列背板的過程中，還包括形成外接電極1025，外接電極1025包括搭接區(qū)10250和引出電極區(qū)10280，搭接區(qū)的外接電極被配置來與第二電極搭接(第二電極與外接電極電連接)，引出電極區(qū)10280的外接電極被配置來連接外接電路。例如，外接電極可與電源的一端電連接。外接電極可單獨形成，也可采用與上述步驟中的一層或多層同層形成，一些示例中，第一電極1015包括靠近第三絕緣層1014的金屬鋁層以及設(shè)置在鋁層上的ITO，并且與第一電極1015同層形成有外接電極1025，外接電極1025也包括靠近第三絕緣層1014的金屬鋁層以及設(shè)置在鋁層上的ITO。第一電極1015不與外接電極1025電連接。形成的結(jié)構(gòu)如圖2b所示。為了方便描述，后續(xù)附圖中，圖2b的結(jié)構(gòu)簡化為圖2c。圖2c中，對應(yīng)搭接區(qū)10250，像素定義層1016包括第一過孔10161，對應(yīng)引出電極區(qū)10280，像素定義層1016包括第二過孔10162。第二電極通過第一過孔10161與外接電極1025搭接，外接電路通過第二過孔10162與外接電極1025電連接。當然，第一電極1015和外接電極1025的結(jié)構(gòu)以及材質(zhì)不限于上述描述，只是以此為例進行說明。對于第一電極，例如，第一電極1015可通過電極走線1011與外接電路電連接，但不限于此。

需要說明的是，本公開的實施例以圖2a所示的陣列背板為例進行說明，但陣列背板并不限于圖2a示出的結(jié)構(gòu)。

例如，陣列背板形成步驟中，為避免開口率的降低，可使得電極走線1011等設(shè)置在發(fā)光區(qū)域的邊緣部位。但本公開的實施例不限于此。本公開的實施例中，陣列背板在不發(fā)光區(qū)域處可不設(shè)置子像素結(jié)構(gòu)，例如，陣列背板在不發(fā)光區(qū)域處不形成第一電極等膜層。通過掩膜版在該處的遮擋即可實現(xiàn)。

S2、如圖3a、3b所示，在陣列背板設(shè)置有第一電極1015的一面貼附靜電膜102，如圖4a、4b所示，對靜電膜進行構(gòu)圖形成圖案化的靜電膜1020，如圖5a、5b所示，以圖案化的靜電膜1020為掩膜形成有機薄膜層1030。

例如，采用蒸鍍法形成有機膜層的薄膜，對靜電膜進行構(gòu)圖包括去除第一區(qū)域1021的靜電膜，保留掩膜區(qū)的靜電膜，圖4a中填充圖案的部分即對應(yīng)掩膜區(qū)01020，第一區(qū)域1021為有效蒸鍍區(qū)域。例如，第一區(qū)域102大于發(fā)光區(qū)域011。有效蒸鍍區(qū)域例如對應(yīng)形成的有機膜層的區(qū)域。

例如，對靜電膜進行構(gòu)圖包括采用激光切割技術(shù)去除第一區(qū)域靜電膜。例如，可使用激光勾勒出需去除區(qū)域的輪廓，再利用膠帶粘貼并去除需去除區(qū)域的靜電膜。對靜電膜進行構(gòu)圖時，可通過控制激光能量以實現(xiàn)半切效果，即只切割靜電膜，不傷及第一襯底。需要說明的是，靜電膜的去除不限于上述給出的方法。

靜電膜是一種不涂膠膜，不含有膠材成分，是一種自粘膜，靠靜電吸附來粘著物品，僅靠靜電實現(xiàn)吸附。例如，靜電膜材質(zhì)包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亞胺(PI)、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)中的至少一個，但不限于此。例如，靜電膜因其僅靠靜電實現(xiàn)吸附，比較容易去除。

S3、形成有機膜層以及第二電極，得到OLED器件；

例如，形成有機膜層以及第二電極包括：如圖6a、6b所示，在保護氣氛下去除搭接區(qū)靜電膜以及其上的膜層以露出外接電極的搭接區(qū)10250，如圖7a、7b所示，形成第二電極的薄膜1040；如圖8a、8b所示，在保護氣氛下去掉除引出電極區(qū)10280外的掩膜區(qū)靜電膜以及形成在其上的膜層(掩膜區(qū)靜電膜上形成有有機膜層的薄膜1030和第二電極的薄膜1040)，得到有機膜層103和第二電極104，第二電極104與外接電極1025電連接，形成的有機膜層如圖8c所示，形成的第二電極如圖8d所示。引出電極區(qū)10280的掩膜區(qū)靜電膜1028如圖8b所示。保護氣氛例如包括氮氣氣氛，但不限于此。圖8a中，為了清楚的顯示引出電極區(qū)10280的掩膜區(qū)靜電膜1028，靜電膜之上的膜層透明化處理。

S4、對OLED器件進行封裝。

例如，對OLED器件進行封裝包括：形成第二電極104后，進行薄膜封裝，形成的封裝薄膜105如圖9所示。

從而，得到了OLED照明燈片。得到的照明燈片中，發(fā)光區(qū)域為一蝴蝶形狀，得到的照明燈片可參考如圖1b。

例如，為了更好的起到防水氧的效果，進行薄膜封裝后，還可包括：

S5、如圖10所示，在第一襯底101設(shè)置OLED器件的一側(cè)貼附第二襯底106。

需要說明的是，本公開的實施例中，OLED器件可包括陽極、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)和陰極。例如，上述各層可依次疊層設(shè)置。從而，有機膜層103可包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)中的至少一種。需要說明的是，在另一實施例提供的OLED器件中，也可不設(shè)置空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)中的至少一層。此外，上述層疊結(jié)構(gòu)僅僅為示意性的，根據(jù)本公開實施例的OLED器件可以減少上述層中的某些層，也可以增加其他的層。例如，還可以包括空穴阻擋層、電子阻擋層等。本公開的實施例對此不作限定。有機膜層103的材質(zhì)可參照通常設(shè)計，在此不再贅述。

實施例2

通常的OLED照明燈片，受制程限制，無法實現(xiàn)中間鏤空的設(shè)計，因此在外觀造型上難有顯著突破。本實施例提出的器件結(jié)構(gòu)和制備工藝可有效解決該問題，為燈片造型設(shè)計提供了更為寬廣的設(shè)計空間。

本實施例制備的OLED照明燈片包括鏤空結(jié)構(gòu)。

本實施例在實施例1的基礎(chǔ)上進行。例如，還可以包括如下步驟。

S6、如圖11a、11b所示，貼附第二襯底106后，利用激光切割技術(shù)對第一襯底101和第二襯底106的組合進行切割，以去除第二區(qū)域21021的第一襯底101和第二襯底106以及位于兩者之間的膜層，第二區(qū)域21021位于掩膜區(qū)01020的范圍內(nèi)，并且小于掩膜區(qū)01020，從而可使得OLED器件封裝的更好，在切割后也能有較好的防水氧能力。第二區(qū)域21021的圖形可參照掩膜區(qū)01020的圖形。圖11a中，蝴蝶輪廓中，虛線為掩膜區(qū)01020的邊界，實線為第二區(qū)域21021的邊界。第一襯底101和第二襯底106的組合例如是指在第一襯底101上貼附第二襯底106后得到的結(jié)構(gòu)。

S7、對第一襯底101和第二襯底106的組合進行切割后，使激光經(jīng)過掩膜版200照射切割后的第一襯底101和第二襯底106的組合，使位于第二區(qū)域21021的第一襯底101和第二襯底106以及位于兩者之間的膜層被剝離，將被剝離的部分與承載第一襯底101的承載基板100分離，得到的結(jié)構(gòu)如圖12所示。掩膜版200的圖形可如圖11a所示。如圖11a、11b所示，掩膜版200對應(yīng)于第二區(qū)域21021的位置為光透過區(qū)域2001，其余區(qū)域為不透光區(qū)域2002。對第一襯底101和第二襯底106的組合進行切割并剝離被激光照射部分后得到的結(jié)構(gòu)如圖12所示。

S8、將被剝離的部分與承載第一襯底101的承載基板100分離后，如圖13所示，在去除了被剝離部分的第二襯底106上貼附第一水氧阻隔層107。

S9、利用激光照射承載第一襯底101的承載基板100，將第一襯底101與承載第一襯底101的承載基板100完全分離。分離后的結(jié)構(gòu)如圖14所示。

S10、去除了被剝離部分的第一襯底101與承載第一襯底101的承載基板100完全分離后，如圖15所示，在去除了被剝離部分的第一襯底101遠離OLED器件的一面貼附第二水氧阻隔層108。

S11、貼附第一水氧阻隔層107和第二水氧阻隔層108后，利用激光切割技術(shù)對第一水氧阻隔層107和第二水氧阻隔層108的組合進行切割，以形成鏤空區(qū)域013，如圖16a和圖16b所示。如圖16a所示，鏤空區(qū)域013位于第二區(qū)域21021的范圍內(nèi)并且小于第二區(qū)域21021，從而可使得OLED器件封裝的更好，在切割后也能有較好的防水氧能力。例如，被切割掉的部分(鏤空區(qū)域)包括第一水氧阻隔層107和第二水氧阻隔層108。鏤空區(qū)域013與第二區(qū)域21021的圖形可如圖16a所示。圖16a中，蝴蝶輪廓中，虛線為第二區(qū)域21021的邊界，實線為鏤空區(qū)域013的邊界。得到的結(jié)構(gòu)可如圖16b所示。圖16b中還示出了發(fā)光區(qū)域011和邊緣封裝區(qū)域012。第一水氧阻隔層107和第二水氧阻隔層108的組合例如是指貼附第一水氧阻隔層107和第二水氧阻隔層108后的結(jié)構(gòu)。

本實施例提供的方法中，第一水氧阻隔層107和第二水氧阻隔層108的設(shè)置，可以進一步提高防水氧封裝效果，可以提高照明燈片的壽命和耐久性。并且，鏤空設(shè)計時，可以實現(xiàn)OLED壽命以及燈片造型二者的兼容。

本實施例提供的方法可以支持柔性O(shè)LED燈片各種復(fù)雜的鏤空設(shè)計方案，為燈片造型設(shè)計提供更大空間。

實施例3

本實施例制備的OLED照明燈片也包括鏤空結(jié)構(gòu)。

本實施例在實施例2的基礎(chǔ)上進行。例如，如圖17所示，為了提高光取出效率，本實施例在貼附第一水氧阻隔層107和第二水氧阻隔層108后，對第一水氧阻隔層107和第二水氧阻隔層108的組合進行切割前，還包括在第一水氧阻隔層107和第二水氧阻隔層108至少之一上貼附光取出膜109。從而，貼附光取出膜109后，可利用激光切割技術(shù)對第一水氧阻隔層107、第二水氧阻隔層108和光取出膜109的組合進行切割以形成鏤空區(qū)域013，同樣的，鏤空區(qū)域013位于第二區(qū)域21021的范圍內(nèi)并且小于第二區(qū)域21021。例如，被切割掉的部分(鏤空區(qū)域)包括第一水氧阻隔層107、第二水氧阻隔層108和光取出膜109。

實施例4

在實施例1的基礎(chǔ)上，為了進一步起到防水氧的效果，本實施例進行了的第一水氧阻隔層107和第二水氧阻隔層108至少之一的貼附。

例如，貼附第二襯底106后，在第二襯底106上貼附第一水氧阻隔層107。

例如，貼附第一水氧阻隔層107后，將第一襯底101和承載第一襯底101的承載基板100分離。

例如，分離第一襯底101和承載第一襯底101的承載基板100后，在第一襯底101遠離OLED器件的一面貼附第二水氧阻隔層108。

實施例5

在實施例4的基礎(chǔ)上，為了提高光取出效率，還包括在第一水氧阻隔層107和第二水氧阻隔層108至少之一上貼附光取出膜109。

本實施例中，不發(fā)光區(qū)域可包括第一襯底101、第二襯底106、第一水氧阻隔層107、第二水氧阻隔層108和光取出膜109。

以下列舉幾種膜層的材質(zhì)，需要說明的是，本公開的實施例給出的膜層的材質(zhì)不限于列舉的情形。例如，第二襯底106、第一水氧阻隔層107以及第二水氧阻隔層108的材質(zhì)可包括聚酰亞胺(PI)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等。封裝薄膜105可包括有機封裝薄膜和無機封裝薄膜的至少一種，例如可以一層無機封裝薄膜封裝后再進行一層有機封裝薄膜的封裝，但不限于此。無機封裝薄膜可包括氮化硅膜，有機封裝薄膜可包括六甲基二硅氧烷(HMDSO)，但不限于此。有關(guān)光取出膜109可參照通常設(shè)計。

例如，上述實施例中，第一電極為陽極，第二電極為陰極，但不限于此。

本公開的以上實施例中以剖面線處包括一個子像素為例進行說明，但本公開的實施例中，剖面線處亦可包括多個子像素，本公開的實施例對此不作限定。

本公開的實施例中切割可以采用激光切割，但不限于此。例如，還可以采用機械切割的方式進行切割。

例如，本公開的實施例中，形成薄膜例如是指形成整面的薄膜，可作為待圖形化的薄膜進行圖形化，進而得到所需的圖形。例如，形成薄膜可采用蒸鍍法，磁控濺射法等。

例如，本公開的實施例中，封裝薄膜105、第二襯底106、第一水氧阻隔層107和第二水氧阻隔層108可以整面貼附。即，封裝薄膜105、第二襯底106、第一水氧阻隔層107和第二水氧阻隔層108為面狀的薄膜。

實施例6

本實施例提供一種有機發(fā)光二極管照明燈片，如圖18a所示，包括燈片主體10，燈片主體包括照明部0011，燈片主體的邊緣圍繞的區(qū)域內(nèi)包括至少一個不發(fā)光區(qū)域002。

照明部0011包括第一襯底101以及形成在第一襯底101上的多個有機發(fā)光二極管器件，各有機發(fā)光二極管器件包括第一電極1015、第二電極104以及設(shè)置在第一電極1015和第二電極104之間的有機膜層103；有機膜層103在照明部連續(xù)延伸。

如圖18b所示，不發(fā)光區(qū)域002包括邊緣封裝區(qū)域012，還包括第三區(qū)域031。例如，第三區(qū)域031不設(shè)置像素結(jié)構(gòu)，不發(fā)光。

圖18b可對應(yīng)實施例1形成的照明燈片，實施例4和實施例5形成的照明燈片也可如圖18a所示。

例如，各有機發(fā)光二極管器件的第一電極1015獨立設(shè)置在其所屬的有機發(fā)光二極管器件中，第二電極104在照明部連續(xù)延伸。即，第一電極1015分立。第一襯底上設(shè)置多個獨立的第一電極1015。例如，每個子像素01設(shè)置一個第一電極1015。

例如，多個有機發(fā)光二極管器件經(jīng)封裝薄膜105封裝，并在封裝薄膜105遠離第一襯底101的一面設(shè)置第二襯底106。

例如，還可在第二襯底106遠離封裝薄膜105的一面設(shè)置第一水氧阻隔層107，在第一襯底101遠離第二襯底106的一面設(shè)置第二水氧阻隔層108。

本實施例提供的有機發(fā)光二極管照明燈片，可采用實施例1、實施例4或?qū)嵤├?的方法形成。例如照明部0011可與之前描述中的發(fā)光區(qū)域011對應(yīng)。

實施例7

如圖19所示，本實施例的有機發(fā)光二極管照明燈片包括鏤空結(jié)構(gòu)。例如，不發(fā)光區(qū)域002包括鏤空區(qū)域013和邊緣封裝區(qū)域012，在燈片主體靠近鏤空區(qū)域013位置處和燈片主體的邊緣位置處，第一水氧阻隔層107和第二水氧阻隔層108貼附在一起。

圖19和圖20示出了圖18b中KL處的剖視示意圖，圖19示出了KL處設(shè)置一個子像素01的情形，圖20示出了KL處設(shè)置兩個子像素01的情形。需要說明的是，圖19和圖20只是為了描述方便給出的圖示，KL處也可以設(shè)置更多個子像素，本公開的實施例對此不作限定。

圖19和圖20可對應(yīng)實施例2制備的照明燈片。實施例3的照明燈片也可參照圖18。

例如，也可將實施例6的不發(fā)光區(qū)域去除一部分，從而得到鏤空結(jié)構(gòu)的照明燈片。例如，圖18b對應(yīng)的結(jié)構(gòu)中，可去除第三區(qū)域031，從而可得到鏤空結(jié)構(gòu)的照明燈片。

有以下幾點需要說明：

(1)除非另作定義，本公開實施例以及附圖中，同一附圖標記代表同一含義。

(2)本公開實施例附圖中，只涉及到與本公開實施例涉及到的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計。

(3)為了清晰起見，在用于描述本公開的實施例的附圖中，層或區(qū)域的厚度被放大。可以理解，當諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。

(4)在不沖突的情況下，本公開的同一實施例及不同實施例中的特征可以相互組合。

以上所述，僅為本公開的具體實施方式，但本公開的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本公開揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本公開的保護范圍之內(nèi)。因此，本公開的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。