本發(fā)明涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種LED燈珠的封裝結(jié)構(gòu)及其漏電檢測方法。

背景技術(shù)：

目前，成品LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)燈珠會由于多種原因而產(chǎn)生漏電現(xiàn)象，而發(fā)生漏電現(xiàn)象的LED燈珠的壽命會大大縮短，所以出廠前對LED燈珠進行漏電檢測成為了LED燈珠產(chǎn)品品質(zhì)保障的一個非常重要的步驟。

傳統(tǒng)單色LED燈珠產(chǎn)品漏電檢測是用專用電性測試儀器進行測試，對于單色芯片封裝的LED燈珠，將電性測試儀調(diào)至反向電壓，在LED燈珠正負極引腳加反向電壓，讀取反向電流數(shù)據(jù)，一般LED的反向電流上限定義為1μA，若讀取的反向電流超過1μA，則判定為漏電不良品。但目前市面上存在的驅(qū)動芯片與LED燈珠封裝在一起的封裝結(jié)構(gòu)如圖1所示，驅(qū)動芯片的VCC(Volt CurrentCondenser，電源電壓)端與LED燈珠的VCC端(即正極)連接，這種封裝結(jié)構(gòu)無法進行漏電檢測，其原因是，當在VCC與GND(Ground，電線接地端)之間加上反向電壓時，會導(dǎo)致驅(qū)動芯片因VCC端接負電壓而燒毀。

因此對于存在驅(qū)動芯片的LED燈珠產(chǎn)品，如何進行LED燈珠的封裝及進行漏電檢測，以保障LED燈珠產(chǎn)品的品質(zhì)，是我們亟需解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種LED燈珠的封裝結(jié)構(gòu)及其漏電檢測方法，該LED燈珠的封裝結(jié)構(gòu)增加了一個VCC引腳直接連接驅(qū)動芯片的VCC端，當在漏電檢測時，將VCC引腳懸空，使用LED燈珠的VCC test引腳與GND引腳進行漏電檢測，解決了因VCC端接負電壓而燒壞驅(qū)動芯片的問題，也保障了LED燈珠產(chǎn)品的品質(zhì)。

為達此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一方面，提供了一種LED燈珠的封裝結(jié)構(gòu)，該LED燈珠的封裝結(jié)構(gòu)包括透鏡封裝體及封裝在所述透鏡封裝體內(nèi)的支架，所述支架上設(shè)置有發(fā)光芯片和驅(qū)動芯片，所述發(fā)光芯片與所述驅(qū)動芯片電性連接，所述支架上還設(shè)置有延伸出透鏡封裝體外部的VCC引腳、GND引腳、和VCC test引腳，所述VCC引腳與所述驅(qū)動芯片的VCC端連接，所述VCC test引腳與所述發(fā)光芯片的正極連接，所述發(fā)光芯片的負極連接所述驅(qū)動芯片中的NMOS管的漏極，所述NMOS管的源極連接GND引腳。

其中，所述NMOS管的柵極連接所述驅(qū)動芯片的信號控制端。

其中，所述發(fā)光芯片包括LED R發(fā)光芯片、LED G發(fā)光芯片及LED B發(fā)光芯片，所述LED R發(fā)光芯片、所述LED G發(fā)光芯片及所述LED B發(fā)光芯片的正極均連接VCC test引腳。

其中，所述驅(qū)動芯片分別與所述LED R發(fā)光芯片、所述LED G發(fā)光芯片及所述LED B發(fā)光芯片電性連接，以分別控制所述LED R發(fā)光芯片、所述LEDG發(fā)光芯片及所述LED B發(fā)光芯片的灰度。

另一方面，還提供了一種基于上述LED燈珠的封裝結(jié)構(gòu)的漏電檢測方法，該漏電檢測方法，包括：

將VCC引腳懸空，VCC test引腳接-5V電壓，GND引腳接0V電壓；

檢測經(jīng)過所述LED燈珠的電流，得到所述LED燈珠的反向漏電電流；

根據(jù)所述反向漏電電流與預(yù)設(shè)反向漏電電流閾值的比較結(jié)果判斷所述LED燈珠是否漏電。

其中，所述根據(jù)所述反向漏電電流與預(yù)設(shè)反向漏電電流閾值的比較結(jié)果判斷所述LED燈珠是否漏電包括：

判斷所述反向漏電電流是否大于等于預(yù)設(shè)反向漏電電流閾值，若是，則所述LED燈珠漏電，所述LED燈珠為不良品；若否，則所述LED燈珠不漏電，所述LED燈珠為良品。

其中，所述預(yù)設(shè)反向漏電電流閾值為1μA。

其中，所述判斷所述反向漏電電流是否大于等于預(yù)設(shè)反向漏電電流閾值，若否，則所述LED燈珠不漏電，所述LED燈珠為良品之后，還包括：

將所述VCC引腳與所述VCC test引腳短接。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果為：本發(fā)明提供的LED燈珠的封裝結(jié)構(gòu)包括：透鏡封裝體及封裝在所述透鏡封裝體內(nèi)的支架，所述支架上設(shè)置有發(fā)光芯片和驅(qū)動芯片，所述發(fā)光芯片與所述驅(qū)動芯片電性連接，所述支架上還設(shè)置有延伸出透鏡封裝體外部的VCC引腳、GND引腳、和VCC test引腳，所述VCC引腳與所述驅(qū)動芯片的VCC端連接，所述VCC test引腳與所述發(fā)光芯片的正極連接，所述發(fā)光芯片的負極連接所述驅(qū)動芯片中的NMOS管的漏極，所述NMOS管的源極連接GND引腳。本發(fā)明提供的LED燈珠的封裝結(jié)構(gòu)增加了一個VCC引腳直接連接驅(qū)動芯片的VCC端，當在漏電檢測時，將VCC引腳懸空，使用LED燈珠的VCC test引腳與GND引腳進行漏電檢測；若檢測出是良品后，將VCC引腳與VCC test引腳短接，即可正常使用，解決了因VCC端接負電壓而燒壞驅(qū)動芯片的問題，也保障了LED燈珠產(chǎn)品的品質(zhì)。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對本發(fā)明實施例描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)本發(fā)明實施例的內(nèi)容和這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)存在的驅(qū)動芯片與LED燈珠封裝在一起的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明具體實施方式中提供一種LED燈珠的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖一。

圖3是本發(fā)明具體實施方式中提供一種LED燈珠的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖二。

圖4是本發(fā)明具體實施方式中提供的一種發(fā)光芯片從正極VCC test引腳經(jīng)過驅(qū)動芯片中的NMOS管連接到負極GND引腳的漏電檢測電路的示意圖。

圖5是本發(fā)明具體實施方式中提供的一種LED燈珠的漏電檢測方法的方法流程圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明解決的技術(shù)問題、采用的技術(shù)方案和達到的技術(shù)效果更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例的技術(shù)方案作進一步的詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

請參考圖2和圖3，圖2是本發(fā)明具體實施方式中提供的一種LED燈珠的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖一，該圖為封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖3是本發(fā)明具體實施方式中提供的一種LED燈珠的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖二，如圖所示，該LED燈珠的封裝結(jié)構(gòu)包括透鏡封裝體及封裝在所述透鏡封裝體內(nèi)的支架，所述支架上設(shè)置有發(fā)光芯片和驅(qū)動芯片，所述發(fā)光芯片與所述驅(qū)動芯片電性連接，所述支架上還設(shè)置有延伸出透鏡封裝體外部的VCC引腳、GND引腳、和VCC test引腳，所述VCC引腳與所述驅(qū)動芯片的VCC端連接，所述VCC test引腳與所述發(fā)光芯片的正極連接，所述發(fā)光芯片的負極連接所述驅(qū)動芯片中的NMOS管的漏極，所述NMOS管的源極連接GND引腳。所述支架根據(jù)產(chǎn)品需要還可包括其他引腳，也不僅僅只是VCC引腳、GND引腳、和VCC test引腳，所述VCC引腳與所述VCC test引腳不連接。

需要說明的是發(fā)光芯片的正極連接VCC test引腳，即發(fā)光芯片的VCC端連接VCC test引腳。本發(fā)明實施例增加了一個VCC引腳直接連接驅(qū)動芯片的VCC端，驅(qū)動芯片的VCC端與發(fā)光芯片的VCC端不連接，當在漏電檢測時，將VCC引腳懸空，使用LED燈珠的VCC test引腳與GND引腳進行漏電檢測，解決了VCC端接負電而燒壞驅(qū)動芯片的問題，也保障了LED燈珠產(chǎn)品的品質(zhì)。

進一步地，如圖4所示，其本發(fā)明具體實施方式中提供的一種發(fā)光芯片從正極VCC test引腳經(jīng)過驅(qū)動芯片中的NMOS管連接到負極GND引腳的漏電檢測電路的示意圖，如圖所示，所述驅(qū)動芯片包括一個NOMS管，所述發(fā)光芯片的負極連接所述NMOS管的漏極(D極)，所述NMOS管的源極(S極)連接GND引腳。所述NMOS管的柵極(G極)連接所述驅(qū)動芯片的信號控制端。所述發(fā)光芯片經(jīng)過所述驅(qū)動芯片中的NMOS管連接GND引腳，當LED燈珠的VCC test端接反向電壓時，NMOS管產(chǎn)生的寄生二極管使NMOS反向?qū)?，此時若LED燈珠有漏電，漏電檢測電路就會產(chǎn)生反向漏電電流，如果反向漏電電流過大，則說明該LED燈珠為不良品，需要篩選掉。

進一步地，所述發(fā)光芯片包括LED R發(fā)光芯片、LED G發(fā)光芯片及LED B發(fā)光芯片，所述LED R發(fā)光芯片、所述LED G發(fā)光芯片及所述LED B發(fā)光芯片的正極均連接VCC test引腳，即LED燈珠為多色LED燈珠，R、G、B分別對應(yīng)的是紅、綠、藍，LED R發(fā)光芯片、所述LED G發(fā)光芯片及所述LED B發(fā)光芯片的正極(即VCC端)均連接VCC test引腳，這樣使電路布線更簡單，也方便給各個發(fā)光芯片提供電壓。

進一步地，所述驅(qū)動芯片分別與所述LED R發(fā)光芯片、所述LED G發(fā)光芯片及所述LED B發(fā)光芯片電性連接，以分別控制所述LED R發(fā)光芯片、所述LED G發(fā)光芯片及所述LED B發(fā)光芯片的灰度，進而控制LED燈珠顯示不同的顏色。

本發(fā)明具體實施方式中還提供了一種基于上述LED燈珠的封裝結(jié)構(gòu)的漏電檢測方法，如圖5所示，其是本發(fā)明具體實施方式中提供的一種LED燈珠的漏電檢測方法的方法流程圖，如圖所示，該漏電檢測方法，包括：

步驟S101：將VCC引腳懸空，VCC test引腳接-5V電壓，GND引腳接0V電壓。將VCC引腳懸空，是為了避免驅(qū)動芯片的VCC端接負電壓而燒毀芯片；VCC test引腳接-5V電壓，GND引腳接0V電壓，即使發(fā)光芯片接反向電壓，當LED燈珠的VCC test端接反向電壓時，NMOS管產(chǎn)生的寄生二極管使NMOS反向?qū)ǎ藭r若LED燈珠有漏電，就會產(chǎn)生反向漏電電流，如圖3所示。

步驟S102：檢測經(jīng)過所述LED燈珠的電流，得到所述LED燈珠的反向漏電電流。使LED燈珠接反向電壓之后，檢測經(jīng)過所述LED燈珠的電流，該電流即LED燈珠的反向漏電電流。

步驟S103：根據(jù)所述反向漏電電流與預(yù)設(shè)反向漏電電流閾值的比較結(jié)果判斷所述LED燈珠是否漏電。

具體地，所述根據(jù)所述反向漏電電流與預(yù)設(shè)反向漏電電流閾值的比較結(jié)果判斷所述LED燈珠是否漏電包括：

判斷所述反向漏電電流是否大于等于預(yù)設(shè)反向漏電電流閾值，若是，則所述LED燈珠漏電，所述LED燈珠為不良品；若否，則所述LED燈珠不漏電，所述LED燈珠為良品。

作為一個優(yōu)選的實施例，所述預(yù)設(shè)反向漏電電流閾值為1μA，用戶也可以根據(jù)產(chǎn)品要求，選擇其他預(yù)設(shè)反向漏電電流閾值，這里不做限定。

進一步地，所述判斷所述反向漏電電流是否大于等于預(yù)設(shè)反向漏電電流閾值，若否，則所述LED燈珠不漏電，所述LED燈珠為良品之后，還包括：將所述VCC引腳與所述VCC test引腳短接。若LED燈珠為良品，則將VCC引腳與VCC test引腳短接，即可正常使用，方便給LED燈珠和驅(qū)動芯片提供電壓。

本發(fā)明提供的LED燈珠的封裝結(jié)構(gòu)增加了一個VCC引腳直接連接驅(qū)動芯片的VCC端，當在漏電檢測時，將VCC引腳懸空，使用LED燈珠的VCC test引腳與GND引腳進行漏電檢測；若檢測出是良品后，將VCC引腳與VCC test引腳短接，即可正常使用，解決了因VCC端接負電壓而燒壞驅(qū)動芯片的問題，也保障了LED燈珠產(chǎn)品的品質(zhì)。

以上結(jié)合具體實施例描述了本發(fā)明的技術(shù)原理。這些描述只是為了解釋本發(fā)明的原理，而不能以任何方式解釋為對本發(fā)明保護范圍的限制，附圖中所示的也只是本發(fā)明的實施方式之一，實際的結(jié)構(gòu)并不局限于此?；诖颂幍慕忉?，本領(lǐng)域的技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動即可聯(lián)想到本發(fā)明的其它具體實施方式，這些方式都將落入本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。