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一種AgNWs薄膜、量子點發(fā)光二極管及其制備方法與流程技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:11837227

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本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領域,尤其涉及一種AgNWs薄膜、量子點發(fā)光二極管及其制備方法。背景技術(shù)半導體量子點具有尺寸可調(diào)諧的光電子性質(zhì),已經(jīng)被廣泛地應用于發(fā)光二極管、太陽能電池和生物熒光標記。量子點合成技術(shù)經(jīng)過二十多年的發(fā)展,人們已經(jīng)可以合成各種高質(zhì)量的納米材料,其光致發(fā)光效率可以達到85%以上。由于量子點具有尺寸可調(diào)節(jié)的發(fā)光、發(fā)光線寬窄、光致發(fā)光效率高和熱穩(wěn)定性等特點,因此以量子點作為發(fā)光層的量子點發(fā)光二極管(QLED)是極具潛力的下一代顯示和固態(tài)照明光源。量子點發(fā)光二極管(QLED)因具備高...
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