技術(shù)總結(jié)
一種氧化物薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置。該氧化物薄膜晶體管包括：襯底基板；依次設(shè)置在所述襯底基板上的有源層、柵絕緣層、柵極金屬層、絕緣層和源漏電極層，其中，所述絕緣層在第一溫度下沉積得到以使所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分被導(dǎo)體化，所述有源層的被導(dǎo)體化的部分與所述源漏電極層電連接。在第一溫度下沉積絕緣層薄膜的過程可使有源層進(jìn)一步失氧，從而使其導(dǎo)電性能增強(qiáng)，進(jìn)而可提高薄膜晶體管的電學(xué)性能。

技術(shù)研發(fā)人員：劉威;方金鋼
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司
文檔號碼：201610798600
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.31
技術(shù)公布日：2016.11.16