本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種氧化物薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置。
背景技術(shù)：
：氧化物薄膜晶體管具有高遷移率、穩(wěn)定性好、制作工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，以銦鎵鋅氧化物(IGZO)為代表的氧化物半導(dǎo)體材料在薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)、有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板(AMOLED)、電子紙顯示面板以及集成電路等領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛。氧化物薄膜晶體管中柵極和源極之間產(chǎn)生的電容較小，使得顯示面板可以具有高分辨率、低功耗等優(yōu)點(diǎn)。頂柵型氧化物薄膜晶體管在大尺寸顯示面板的應(yīng)用中起著至關(guān)重要的作用，能夠很大程度地提高薄膜晶體管的電學(xué)性能，例如，提高薄膜晶體管的穩(wěn)定性和均勻性。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明至少一實(shí)施例提供一種氧化物薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置，在氧化物薄膜晶體管的制備過程中，在高溫下沉積絕緣層薄膜可使有源層的結(jié)構(gòu)進(jìn)一步發(fā)生變化，使其電學(xué)特性增強(qiáng)，從而可以提高薄膜晶體管的電學(xué)性能。本發(fā)明至少一實(shí)施例提供一種氧化物薄膜晶體管，包括：襯底基板；依次設(shè)置在所述襯底基板上的有源層、柵絕緣層、柵極金屬層、絕緣層和源漏電極層，其中，所述絕緣層在第一溫度下沉積得到，以使所述有源層的未與所述柵極金屬層重疊的部分被導(dǎo)體化，所述有源層的被導(dǎo)體化的部分與所述源漏電極層電連接。例如，在本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物薄膜晶體管中，所述第一溫度為290℃及以上。例如，在本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物薄膜晶體管中，所述第一溫度為290℃-400℃。例如，在本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物薄膜晶體管中，所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分被等離子體處理以被導(dǎo)體化。例如，在本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物薄膜晶體管中，形成所述等離子體的氣體包括氮?dú)?、氬氣、氦氣。例如，在本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物薄膜晶體管中，所述有源層的材料包括氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)。例如，本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物薄膜晶體管，還包括設(shè)置于所述襯底基板和所述有源層之間的緩沖層。例如，在本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物薄膜晶體管中，所述緩沖層的材料包括硅的氧化物或硅的氮化物。本發(fā)明至少一實(shí)施例還提供一種陣列基板，包括上述任一的氧化物薄膜晶體管。本發(fā)明至少一實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板。本發(fā)明至少一實(shí)施例還提供一種氧化物薄膜晶體管的制備方法，該方法包括：提供襯底基板；在所述襯底基板上依次沉積有源層薄膜、柵絕緣層薄膜和柵極金屬層薄膜，并對(duì)所述有源層薄膜、所述柵絕緣層薄膜和所述柵極金屬層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝分別形成有源層、柵絕緣層和柵極金屬層；對(duì)所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分進(jìn)行等離子體處理；在第一溫度下沉積絕緣層薄膜并對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成絕緣層；其中，在沉積所述絕緣層薄膜的過程中所述有源層的未與所述柵極金屬層重疊的部分被導(dǎo)體化。例如，本發(fā)明實(shí)施例提供的制備方法，還包括：在所述絕緣層上沉積源漏電極層薄膜，并對(duì)其進(jìn)行圖案化處理形成源漏電極層。例如，本發(fā)明實(shí)施例提供的制備方法，還包括：在所述絕緣層上形成過孔，所述有源層的被導(dǎo)體化的部分與所述源漏電極層通過所述過孔電連接。例如，本發(fā)明實(shí)施例提供的制備方法，還包括：在所述襯底基板和所述有源層之間形成緩沖層。例如，在本發(fā)明實(shí)施例提供的制備方法中，所述有源層的材料包括氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)。例如，在本發(fā)明實(shí)施例提供的制備方法中，所述第一溫度為290℃及以上。例如，在本發(fā)明實(shí)施例提供的制備方法中，所述第一溫度為290℃-400℃。附圖說明圖1為一種頂柵型氧化物薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種頂柵型氧化物薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種頂柵型氧化物薄膜晶體管的制備方法的流程圖；圖5a-5h為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種頂柵型氧化物薄膜晶體管的制備方法的過程圖。附圖標(biāo)記：1-襯底基板；2-緩沖層；3-有源層；4-柵絕緣層；5-柵極金屬層；6-絕緣層；7-漏極；8-源極；9-有源層被導(dǎo)體化的部分；10-過孔；11-等離子體；12-像素電極；13-第二絕緣層；14-鈍化層。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。在頂柵型氧化物薄膜晶體管的制備過程中，可以將源極區(qū)域和漏極區(qū)域的氧化物有源層進(jìn)行導(dǎo)體化處理，使薄膜晶體管具有較好的開關(guān)特性。常用的導(dǎo)體化處理的方法是利用等離子體轟擊有源層的表面，使有源層表層的結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，從而增強(qiáng)其導(dǎo)電性能。但是在后續(xù)的絕緣層沉積時(shí)，通常采用在較低溫度下制備氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜，由于溫度低，所得到的氧化硅薄膜或氮化硅薄膜的膜質(zhì)不好，且溫度低也不能使得有源層表層的結(jié)構(gòu)進(jìn)一步發(fā)生變化，例如失去氧元素而使其電學(xué)特性增強(qiáng)，因此導(dǎo)致最后的薄膜晶體管開關(guān)特性不盡如人意。例如，圖1為當(dāng)前的一種頂柵型氧化物薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，該頂柵型氧化物薄膜晶體管包括襯底基板1以及依次設(shè)置在所述襯底基板1上的緩沖層2、有源層3、柵絕緣層4、柵極金屬層5、絕緣層6和源漏電極層(包括漏極7和源極8)。在柵極金屬層5與柵絕緣層4刻蝕完成后，對(duì)暴露出的有源層3進(jìn)行等離子體處理，將有源層3未與柵極金屬層5和柵絕緣層4重疊的部分進(jìn)行導(dǎo)體化；在形成絕緣層6的過程中，采用常規(guī)的低溫氧化硅工藝(例如化學(xué)氣相沉積工藝)沉積絕緣層薄膜，但是，采用低溫沉積絕緣層薄膜制備的絕緣層的膜質(zhì)不好，并且在較低的溫度(250℃以下)下也不能有效促進(jìn)有源層3未與柵極金屬層5和柵絕緣層4重疊的部分表面進(jìn)一步失去氧元素，從而不能使此部分進(jìn)一步被導(dǎo)體化。表一為對(duì)圖1所示的頂柵型氧化物薄膜晶體管的一個(gè)示例的源極8和漏極7施加不同電壓進(jìn)行測(cè)試得到的開態(tài)電流(Ion)和關(guān)態(tài)電流(Ioff)的數(shù)據(jù)。從表一中可以看出，對(duì)源極8和漏極7施加不同電壓時(shí)，當(dāng)圖1所示的頂柵型氧化物薄膜晶體管處于開啟狀態(tài)時(shí)的電流較小。表一VdsIonIoffIon/Ioff0.11.1E-99.0E-151.2E+55.15.6E-84.0E-151.4E+710.11.1E-75.0E-152.3E+715.11.8E-71.0E-151.8E+820.12.7E-72.0E-151.4E+8為解決上述問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種頂柵型氧化物薄膜晶體管，該頂柵型氧化物薄膜晶體管，包括：襯底基板；依次設(shè)置在襯底基板上的有源層、柵絕緣層、柵極金屬層、絕緣層和源漏電極層。在第一溫度下沉積絕緣層薄膜，并使有源層的未與柵極金屬層重疊的部分被導(dǎo)體化，有源層的被導(dǎo)體化的部分與源漏電極層電連接。在該頂柵型氧化物薄膜晶體管的制備過程中，在高溫下沉積絕緣層薄膜可使有源層的結(jié)構(gòu)進(jìn)一步發(fā)生變化，使其電學(xué)特性增強(qiáng)，從而可以提高薄膜晶體管的電學(xué)性能。下面通過幾個(gè)實(shí)施例進(jìn)行說明。實(shí)施例一本實(shí)施例提供一種頂柵型氧化物薄膜晶體管，圖2為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種頂柵型氧化物薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。例如，如圖2所示，該頂柵型氧化物薄膜晶體管包括：襯底基板1；依次設(shè)置在襯底基板上的有源層3、柵絕緣層4、柵極金屬層5、絕緣層6和源漏電極層(包括漏極7、源極8)。該絕緣層在第一溫度下沉積(未示出)以使有源層3未與柵極金屬層5重疊的部分被導(dǎo)體化，有源層3的被導(dǎo)體化的部分(即有源層被導(dǎo)體化的部分9)與源漏電極層(包括漏極7、源極8)電連接。有源層3采用氧化物半導(dǎo)體材料制備，并且有源層3的未與柵極金屬層5重疊的部分(源極區(qū)域和漏極區(qū)域)可以通過例如等離子體處理工藝而導(dǎo)體化，以增加其導(dǎo)電性，降低其與例如金屬導(dǎo)電薄膜接觸時(shí)導(dǎo)致的歐姆接觸電阻。在絕緣層6的形成過程中，采用高溫沉積絕緣層薄膜的方式，且該頂柵型氧化物薄膜晶體管處于真空高溫狀態(tài)中，有源層3未與柵極金屬層5重疊的部分(即有源層被導(dǎo)體化的部分9)會(huì)進(jìn)一步失氧，使得有源層被導(dǎo)體化的部分9的導(dǎo)電性進(jìn)一步增強(qiáng)，從而使該薄膜晶體管的電學(xué)特性提高，甚至在350℃以上沉積的這層絕緣薄膜時(shí)，并不需要單獨(dú)的等離子體處理即可達(dá)到導(dǎo)體化處理效果，例如，使得其開態(tài)電流提高，關(guān)態(tài)電流降低。表二為對(duì)圖2所示的頂柵型氧化物薄膜晶體管的一個(gè)示例的源極8和漏極7施加不同的電壓進(jìn)行測(cè)試得到的開態(tài)電流(Ion)和關(guān)態(tài)電流(Ioff)的數(shù)據(jù)。表二VdsIonIoffIon/Ioff0.15.9E-74.0E-161.5E+095.12.8E-54.0E-167.1E+1010.15.4E-51.2E-154.5E+1015.18.0E-54.0E-162.0E+11與對(duì)圖1所示的頂柵型氧化物薄膜晶體管測(cè)試得到的數(shù)據(jù)相比，在同樣的條件(除了絕緣層的制備條件以外)下，圖2所示的頂柵型氧化物薄膜晶體管的開態(tài)電流變大，并且其關(guān)態(tài)電流變小。例如，當(dāng)電壓為5.1V時(shí)，圖1所示的頂柵型氧化物薄膜晶體管的開態(tài)電流為5.6E-8，關(guān)態(tài)電流為4.0E-15；圖2所示的頂柵型氧化物薄膜晶體管的開態(tài)電流為2.8E-5，關(guān)態(tài)電流為4.0E-16。從上述數(shù)據(jù)可以得出：圖2中所示的薄膜晶體管的開態(tài)電流為圖1中所示的薄膜晶體管的開態(tài)電流的500倍，圖2中所示的薄膜晶體管的關(guān)態(tài)電流為圖1中所示的薄膜晶體管的關(guān)態(tài)電流的1/10。與圖1中的頂柵型氧化物薄膜晶體管相比，本實(shí)施例中的頂柵型氧化物薄膜晶體管的開態(tài)電流顯著提高，關(guān)態(tài)電流明顯降低。例如，在形成絕緣層6的過程中，沉積絕緣層薄膜的第一溫度為290℃及以上，例如，該第一溫度為290℃-400℃，例如290℃、300℃、350℃、400℃。該第一溫度范圍比圖1所示的薄膜晶體管的制備過程沉積絕緣層薄膜的溫度要更高，屬于高溫工藝。在該第一溫度下，在沉積絕緣層薄膜(例如氧化硅薄膜、氮化硅薄膜)的過程中，有源層3的未與柵極金屬層5重疊的部分會(huì)進(jìn)一步失氧，有源層被導(dǎo)體化的部分9會(huì)被進(jìn)一步導(dǎo)體化，以形成電學(xué)特性滿足需求的薄膜晶體管。例如，有源層3通過等離子體進(jìn)行處理，使有源層3未與柵極金屬層5重疊的部分被導(dǎo)體化(即形成有源層被導(dǎo)體化的部分9)。例如，在襯底基板1上依次設(shè)置有源層3、柵絕緣層4、柵極金屬層5之后，用等離子體轟擊氧化物有源層3的表面使其未與柵極金屬層5重疊的部分的表層結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，使該部分的導(dǎo)電性增強(qiáng)，即形成有源層被導(dǎo)體化的部分9。在高溫沉積絕緣層薄膜的過程中，頂柵型氧化物薄膜晶體管處于真空高溫狀態(tài)，有源層被導(dǎo)體化的部分9會(huì)進(jìn)一步失氧，表現(xiàn)出更強(qiáng)更穩(wěn)定的導(dǎo)電性，從而提高薄膜晶體管的電學(xué)特性。用等離子體對(duì)有源層3的未與柵極金屬層5重疊的部分進(jìn)行處理的過程中，例如，可以采用功率為10W～5000W的射頻管產(chǎn)生等離子體，且等離子體處理的持續(xù)時(shí)間為30秒至30分鐘。例如，形成等離子體的氣體包括保護(hù)性氣氛或者反應(yīng)性氣氛，例如，保護(hù)性氣氛可以為氮?dú)?、氬氣、氦氣、氖氣中的一種或者混合氣體。反應(yīng)性氣氛可以為空氣、氧氣、氫氣、氨氣、二氧化碳中的一種或者混合氣體。例如，有源層3的材料為氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)等金屬氧化物。該有源層3可以利用磁控濺射的方式沉積，然后通過構(gòu)圖工藝形成，其厚度可以為30-50nm，例如，可以為30nm、40nm以及50nm。例如，該柵極金屬層5的材料可以為銅基金屬，例如，銅(Cu)、銅鉬合金(Cu/Mo)、銅鈦合金(Cu/Ti)、銅鉬鈦合金(Cu/Mo/Ti)、銅鉬鎢合金(Cu/Mo/W)、銅鉬鈮合金(Cu/Mo/Nb)等；該柵金屬層的材料也可以為鉻基金屬，例如，鉻鉬合金(Cr/Mo)、鉻鈦合金(Cr/Ti)、鉻鉬鈦合金(Cr/Mo/Ti)等。例如，被用作柵絕緣層薄膜的材料包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)或其他適合的材料。例如，該頂柵型氧化物薄膜晶體管還可以包括設(shè)置于襯底基板1和有源層3之間的緩沖層2，緩沖層2在有源層3與襯底基板1之間充當(dāng)一個(gè)過渡膜層，使有源層3與襯底基板1之間結(jié)合得更穩(wěn)固，且可以防止襯底基板1中的有害雜質(zhì)、離子等擴(kuò)散到有源層3。例如，緩沖層2的材料包括硅的氧化物(SiOx)或硅的氮化物(SiNx)、氧化硅。例如，該緩沖層2可以為由氮化硅或者氧化硅構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)，或者由氮化硅和氧化硅構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)。實(shí)施例二本實(shí)施例提供一種陣列基板，圖3為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。例如，如圖3所示，該陣列基板包括實(shí)施例一中的頂柵型氧化物薄膜晶體管，例如，如圖3所示該陣列基板還包括像素電極12、第二絕緣層13和鈍化層14。像素電極12通過形成在第二絕緣層13和鈍化層14中的過孔例如與薄膜晶體管的漏極7電連接。薄膜晶體管的源極8與數(shù)據(jù)線(未示出)電連接或一體形成，薄膜晶體管的柵極金屬層5與柵線(未示出)電連接或一體形成。通常，數(shù)據(jù)線和柵線彼此交叉界定了陣列基板上的子像素，而該薄膜晶體管作為該子像素的開關(guān)元件。例如，像素電極12采用透明導(dǎo)電材料形成或金屬材料形成，例如，形成該像素電極12的材料包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鎵鋅(GZO)氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化鋁鋅(AZO)和碳納米管等。例如，該鈍化層14的材料可以為氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、丙烯酸類樹脂等。例如，第二絕緣層13的材料可以為有機(jī)絕緣材料或者無機(jī)絕緣材料或者有機(jī)絕緣材料和無機(jī)絕緣材料形成的疊層結(jié)構(gòu)。例如，形成該絕緣層的材料為氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、丙烯酸類樹脂等。例如，該陣列基板可應(yīng)用于例如液晶顯示面板、有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板、電子紙顯示面板等。實(shí)施例三本公開的實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，其包括上述實(shí)施例的陣列基板。該顯示裝置的一個(gè)示例為液晶顯示裝置，其中，陣列基板與對(duì)置基板彼此對(duì)置以形成液晶盒，在液晶盒中填充有液晶材料。該對(duì)置基板例如為彩膜基板。陣列基板的每個(gè)子像素的像素電極用于施加電場(chǎng)對(duì)液晶材料的旋轉(zhuǎn)的程度進(jìn)行控制從而進(jìn)行顯示操作。在一些示例中，該液晶顯示裝置還包括為陣列基板提供背光的背光源。該顯示裝置的另一個(gè)示例為有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(OLED)，其中，陣列基板上形成有有機(jī)發(fā)光材料疊層，每個(gè)像素單元的像素電極作為陽極或陰極用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光材料發(fā)光以進(jìn)行顯示操作。該顯示裝置的再一個(gè)示例為電子紙顯示裝置，其中，陣列基板上形成有電子墨水層，每個(gè)像素單元的像素電極作為用于施加驅(qū)動(dòng)電子墨水中的帶電微顆粒移動(dòng)以進(jìn)行顯示操作的電壓。實(shí)施例四本實(shí)施例提供一種頂柵型氧化物薄膜晶體管的制備方法，例如，圖4為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種頂柵型氧化物薄膜晶體管的制備方法的流程圖。例如，制備頂柵型氧化物薄膜晶體管的過程包括：提供襯底基板；在襯底基板上依次沉積有源層薄膜、柵絕緣層薄膜和柵極金屬層薄膜，并對(duì)有源層薄膜、柵絕緣層薄膜和柵極金屬層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝分別形成有源層、柵絕緣層和柵極金屬層；對(duì)有源層的未與柵極金屬層重疊的部分進(jìn)行等離子體處理；在第一溫度下沉積絕緣層薄膜并對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成絕緣層。在沉積絕緣層薄膜的過程中有源層的未與柵極金屬層重疊的部分被導(dǎo)體化。例如，在制備該頂柵型氧化物薄膜晶體管的過程中，還包括：在絕緣層薄膜上沉積源漏電極層薄膜，并對(duì)其進(jìn)行圖案化處理形成源漏電極層。例如，在制備該頂柵型氧化物薄膜晶體管的過程中，還包括：在所述絕緣層上形成過孔，有源層的被導(dǎo)體化的部分與源漏電極層通過過孔電連接。例如，在制備該頂柵型氧化物薄膜晶體管的過程中，還包括在襯底基板和有源層之間形成緩沖層。圖5a-5h為本實(shí)施例中的頂柵型氧化物薄膜晶體管制備的過程圖。參照?qǐng)D5a-5h，本實(shí)施例提供的頂柵型氧化物薄膜晶體管的制備過程的一個(gè)示例包括如下所述的步驟。如圖5a所示，提供一襯底基板1并在該襯底基板上形成緩沖層2。例如，該襯底基板1可以為玻璃基板。例如，緩沖層2的材料包括硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)。例如，該緩沖層2可以為由氮化硅或者氧化硅構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)，或者由氮化硅和氧化硅構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)。如圖5b所示，在緩沖層2上沉積一層有源層薄膜并對(duì)該有源層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成有源層3。例如，該有源層3的材料為氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)等金屬氧化物。該有源層3可以利用磁控濺射的方式沉積，然后通過構(gòu)圖工藝形成，其厚度可以為30-50nm，例如，可以為30nm、40nm或50nm。在本實(shí)施例中，構(gòu)圖工藝?yán)鐬楣饪虡?gòu)圖工藝，其例如包括：在需要被構(gòu)圖的結(jié)構(gòu)層上涂覆光刻膠層，使用掩膜板對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光，對(duì)曝光的光刻膠層進(jìn)行顯影以得到光刻膠圖案，使用光刻膠圖案對(duì)結(jié)構(gòu)層進(jìn)行蝕刻，然后可選地去除光刻膠圖案。根據(jù)需要，構(gòu)圖工藝還可以是絲網(wǎng)印刷、噴墨打印方法等。如圖5c所示，在有源層3上沉積一層?xùn)沤^緣層薄膜，并對(duì)該柵絕緣層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成柵絕緣層4。例如，被用作柵絕緣層薄膜的材料包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)或其他適合的材料。如圖5d所示，在柵絕緣層4上沉積一層?xùn)艠O金屬層薄膜，并對(duì)該柵極金屬層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成柵極金屬層5。例如，柵極金屬層5與柵絕緣層4重疊。例如，該柵極金屬層5的材料可以為銅基金屬，例如，銅(Cu)、銅鉬合金(Cu/Mo)、銅鈦合金(Cu/Ti)、銅鉬鈦合金(Cu/Mo/Ti)、銅鉬鎢合金(Cu/Mo/W)、銅鉬鈮合金(Cu/Mo/Nb)等；該柵金屬層的材料也可以為鉻基金屬，例如，鉻鉬合金(Cr/Mo)、鉻鈦合金(Cr/Ti)、鉻鉬鈦合金(Cr/Mo/Ti)等。如圖5e所示，對(duì)有源層3未與柵極金屬層5重疊的部分進(jìn)行等離子體處理，用等離子體轟擊氧化物有源層3的同時(shí)其表面未與柵極金屬層5重疊的部分的表層結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，使該部分的導(dǎo)電性增強(qiáng)，即形成有源層被導(dǎo)體化的部分9。例如，形成等離子體的氣體包括保護(hù)性氣氛或者反應(yīng)性氣氛，例如，保護(hù)性氣氛可以為氮?dú)狻鍤?、氦氣、氖氣中的一種或者混合氣體。反應(yīng)性氣氛可以為空氣、氧氣、氫氣、氨氣、二氧化碳中的一種或者混合氣體。如圖5f所示，采用第一溫度在緩沖層2上沉積絕緣層薄膜，在沉積絕緣層薄膜(例如氧化硅薄膜、氮化硅薄膜)的過程中，有源層3的未與柵極金屬層5重疊的部分會(huì)進(jìn)一步失氧，即有源層被導(dǎo)體化的部分9會(huì)被進(jìn)一步導(dǎo)體化，以形成電學(xué)特性滿足需求的薄膜晶體管。例如，沉積絕緣層時(shí)采用的第一溫度為290℃及以上。進(jìn)一步地，沉積絕緣層時(shí)采用的第一溫度為290℃-400℃，例如，290℃、300℃、350℃或400℃。例如，該絕緣層的材料為氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)。如圖5g所示，在絕緣層上形成過孔10。例如，該過孔10與有源層被導(dǎo)體化的部分9連接，即暴露出該有源層被導(dǎo)體化的部分9。如圖5h所示，在絕緣層6上沉積源漏電極層薄膜，并通過構(gòu)圖工藝對(duì)其進(jìn)行圖案化處理形成源漏電極層(包括漏極7和源極8)。例如，源漏電極層與有源層被導(dǎo)體化的部分9通過過孔10(參見圖5g)電連接。在本實(shí)施例的另一個(gè)示例中，例如，圖5c和5d所示的形成柵絕緣層4和柵極金屬層5的步驟合并，也即，連續(xù)沉積柵絕緣層薄膜和柵極金屬層薄膜，然后通過同一構(gòu)圖工藝得到柵絕緣層4和柵極金屬層5。本發(fā)明的實(shí)施例提供一種氧化物薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置，并且具有以下至少一項(xiàng)有益效果：(1)在沉積絕緣層薄膜的過程中采用高溫(即第一溫度)沉積，形成的絕緣層的膜質(zhì)好；(2)有源層未被柵極金屬層覆蓋的部分進(jìn)一步地被導(dǎo)體化，使其電學(xué)特性增強(qiáng)，從而顯著提高薄膜晶體管的電學(xué)特性。對(duì)于本公開，還有以下幾點(diǎn)需要說明：(1)本發(fā)明實(shí)施例附圖只涉及到與本發(fā)明實(shí)施例涉及到的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計(jì)。(2)為了清晰起見，在用于描述本發(fā)明的實(shí)施例的附圖中，層或區(qū)域的厚度被放大或縮小，即這些附圖并非按照實(shí)際的比例繪制。(3)在不沖突的情況下，本發(fā)明的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合以得到新的實(shí)施例。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。當(dāng)前第1頁1 2 3