本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管、像素單元及陣列基板、顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著顯示行業(yè)的快速發(fā)展，液晶顯示器已經(jīng)應(yīng)用到各大行業(yè)。薄膜晶體管液晶顯示器TFT-LCD的功耗越來越受到用戶的關(guān)注，其中，影響功耗的一個(gè)主要原因就是開口率。

當(dāng)光線經(jīng)由背光板發(fā)射出來時(shí)，并不是所有的光線都能穿過面板，比如給LCD source驅(qū)動(dòng)芯片及gate驅(qū)動(dòng)芯片用的信號(hào)走線，以及TFT本身，還有儲(chǔ)存電壓用的儲(chǔ)存電容等。這些地方除了不完全透光外，也由于經(jīng)過這些地方的光線不受電壓控制，而無法顯示正確的灰階，所以都需利用黑矩陣加以遮蔽，以免干擾其它透光區(qū)域。而像素單元中有效的透光區(qū)域與全部面積的比例就稱之為開口率。

由此可見，現(xiàn)有技術(shù)中的TFT區(qū)域面積影響像素單元的開口率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管、像素單元及陣列基板、顯示裝置，用以改善現(xiàn)有技術(shù)中存在的TFT區(qū)域影響像素單元開口率的問題。

本發(fā)明實(shí)施例采用以下技術(shù)方案：

一種薄膜晶體管，包括：柵極，位于所述柵極之上的有源層，位于所述有源層之上且圖案化的源極和漏極，

所述源極和所述漏極的相向而設(shè)的兩個(gè)邊界之間形成的等間距縫隙呈非直線形。

通過該方案，能夠?qū)⒃礃O與漏極之間的預(yù)設(shè)等間距縫隙通過非直線形實(shí)現(xiàn)，從而，縮小了沿?cái)?shù)據(jù)線延伸反向的TFT區(qū)域的尺寸，進(jìn)而，減小了黑矩陣覆蓋區(qū)域，從而，提升了像素單元的開口率。

可選地，所述源極和所述漏極的線寬均勻。

通過該方案，線寬均勻能夠保證TFT區(qū)域的TFT特性。

可選地，所述有源層的邊界呈與所述源極或所述漏極相配合的非直線形。

通過該方案，能夠保證TFT區(qū)域的遷移率均衡，提升TFT特性。

可選地，所述源極的遠(yuǎn)離所述漏極的邊界以及所述漏極的遠(yuǎn)離所述源極的邊界中至少一個(gè)邊界呈與其相對(duì)應(yīng)的所屬有源層的邊界相平行的直線形。

通過該方案，能夠保證TFT區(qū)域的部分遷移率均衡，提升TFT特性。

可選地，所述非直線形具體包括折線形、弧形中的一種或組合。

該非直線形可靈活選擇，且能夠較好的實(shí)現(xiàn)提升開口率的目的。

一種像素單元，包括所述的薄膜晶體管。

通過該方案，能夠?qū)⒃礃O與漏極之間的預(yù)設(shè)等間距縫隙通過非直線形實(shí)現(xiàn)，從而，縮小了沿?cái)?shù)據(jù)線延伸反向的TFT區(qū)域的尺寸，進(jìn)而，減小了黑矩陣覆蓋區(qū)域，從而，提升了像素單元的開口率。

一種陣列基板，包括所述的像素單元。

通過該方案，該陣列基板包含的像素單元中的TFT中，源極與漏極之間的預(yù)設(shè)等間距縫隙呈非直線形，從而，縮小了沿?cái)?shù)據(jù)線延伸反向的TFT區(qū)域的尺寸，進(jìn)而，減小了黑矩陣覆蓋區(qū)域，從而，提升了像素單元的開口率。

一種顯示裝置，包括所述的陣列基板。

通過該方案，該顯示裝置包含的像素單元中的TFT中，源極與漏極之間的預(yù)設(shè)等間距縫隙呈非直線形，從而，縮小了沿?cái)?shù)據(jù)線延伸反向的TFT區(qū)域的尺寸，進(jìn)而，減小了黑矩陣覆蓋區(qū)域，從而，提升了像素單元的開口率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明提供的薄膜晶體管的簡(jiǎn)化示意圖之一；

圖2為本發(fā)明提供的薄膜晶體管的簡(jiǎn)化示意圖之二；

圖3(a)-圖3(d)分別為本發(fā)明提供的另外四種結(jié)構(gòu)類型的薄膜晶體管的簡(jiǎn)化示意圖；

圖4(a)和圖4(b)分別為本發(fā)明實(shí)施例提供的另外兩種結(jié)構(gòu)類型的薄膜晶體管的簡(jiǎn)化示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

下面通過具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明所涉及的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述，本發(fā)明包括但并不限于以下實(shí)施例。

如圖1所示，為本發(fā)明提供的薄膜晶體管的簡(jiǎn)化示意圖，該薄膜晶體管主要包括：柵極11，位于柵極11之上的有源層12，位于有源層12之上且圖案化的源極13和漏極14，其中，源極13和漏極14的相向而設(shè)的兩個(gè)邊界(即源極13的邊界A以及漏極14的邊界B)之間形成的等間距縫隙呈非直線形。

通過上述技術(shù)方案，考慮到TFT溝道的溝道寬度與溝道長度之比影響著TFT的特性，因此，為了保證溝道長度不變，可以將源極和漏極的相向而設(shè)的兩個(gè)邊界之間形成的等間距縫隙設(shè)置為非直線形，即后續(xù)形成的TFT的溝道設(shè)置為非直線形，這樣，等間距縫隙的整體長度是不變的，只是該等間距縫隙所占據(jù)的沿?cái)?shù)據(jù)線延伸方向的尺寸變小，從而，縮小了后續(xù)形成的TFT區(qū)域在沿?cái)?shù)據(jù)線延伸方向的尺寸，進(jìn)而，減小了黑矩陣覆蓋區(qū)域，提升了像素單元的開口率。

其中，圖1所示出的薄膜晶體管的簡(jiǎn)化圖中，僅是示出了部分膜層結(jié)構(gòu)，其他未示出的膜層結(jié)構(gòu)均可以現(xiàn)有技術(shù)中的方案實(shí)現(xiàn)，在此不做贅述。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例中，參照?qǐng)D1，源極13和漏極14的線寬均勻，即源極13與漏極14均呈非直線形?？梢?，源極以及漏極的線寬均勻，能夠保證TFT區(qū)域的TFT特性。

進(jìn)一步，有源層的邊界呈與源極或漏極相配合的非直線形。具體地，在本發(fā)明實(shí)施例中，參照?qǐng)D2所示，源極13和漏極14的線寬均勻，且呈非直線形，同時(shí)，該TFT區(qū)域的有源層12的圖案與源極13以及漏極14的圖案相配合，有源層的邊界121和邊界122均呈與源極13以及漏極14相配合的非直線形，從而，使得源極13遠(yuǎn)離漏極14的邊界各處相距有源層的邊界121各處的距離相等，同時(shí)，使得漏極14遠(yuǎn)離源極13的邊界各處相距有源層的邊界122各處的距離相等，從而，保證TFT區(qū)域的遷移率均衡，提升TFT特性。

其實(shí)，在上述圖2中的TFT結(jié)構(gòu)中，雖然縮小了形成的TFT區(qū)域在沿?cái)?shù)據(jù)線延伸方向的尺寸，而且能夠保證形成的TFT結(jié)構(gòu)的TFT特性，但是，考慮到有源層12所具有的與源極13以及漏極14相適配的圖案，其在垂直于數(shù)據(jù)線延伸方向的尺寸必然會(huì)增大，即橫向占據(jù)空間會(huì)變大，然而，每個(gè)像素單元的橫向尺寸是有限的，因此，會(huì)造成像素單元無法實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的TFT結(jié)構(gòu)。

為了避免上述問題，可選地，源極的遠(yuǎn)離漏極的邊界以及漏極的遠(yuǎn)離源極的邊界中至少一個(gè)邊界呈與其相對(duì)應(yīng)的所屬有源層的邊界相平行的直線形。從而，既保證了TFT區(qū)域的占用面積不致于過大，且能夠保證TFT區(qū)域的部分遷移率均衡，提升TFT特性。

具體地，參照?qǐng)D3(a)所示，漏極14的邊界141呈與有源層12的邊界平行的直線形，漏極14的邊界142具有非直線形結(jié)構(gòu)，相應(yīng)地，對(duì)側(cè)的源極13的邊界132呈與漏極14的邊界142相適配的非直線形，源極13的邊界131則與邊界132平行，即同樣為非直線形，從而，源極13的邊界131各處相距有源層12的邊界各處的距離并不均衡，可見，該方案保證了TFT區(qū)域的部分遷移率均衡，同樣可以提升TFT特性。而且，還保證TFT區(qū)域在沿?cái)?shù)據(jù)線延伸方向的尺寸較小，以及不會(huì)增大垂直數(shù)據(jù)線延伸方向的尺寸，從而，保證了較大的開口率。

參照?qǐng)D3(b)所示，該TFT結(jié)構(gòu)中，源極13的邊界131呈與有源層12的邊界平行的直線形，源極13的邊界132具有非直線形結(jié)構(gòu)，相應(yīng)地，對(duì)側(cè)的漏極14的邊界142呈與源極13的邊界132相適配的非直線形，漏極14的邊界141呈與有源層12的邊界平行的直線形，從而，保證TFT區(qū)域的源極和漏極的偏移量均衡，提升TFT特性。而且，還可以保證較大的開口率。

在上述圖3(a)和圖3(b)中，源極13的靠近漏極14的邊界呈凸起狀，漏極14的靠近源極13的邊界也同樣呈相適配的凸起狀，從而，形成所需的等間距縫隙，即后續(xù)通電后TFT的溝道。其實(shí)，還可以參照?qǐng)D3(c)所示，源極13的靠近漏極14的邊界呈凹陷狀，漏極14的靠近源極13的邊界也同樣呈相適配的凸起狀；或者，如圖3(d)所示，折線的彎曲方向反向。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例中，等間距縫隙所呈的非直線形具體包括折線形、弧形中的一種或組合。

參照?qǐng)D4(a)所示，非直線形可以為折線形，其中，折線的彎折次數(shù)可以根據(jù)實(shí)際的溝道比以及所需的TFT區(qū)域的尺寸進(jìn)行選擇；例如，可以是圖中所示的三次彎折，也可以是一次彎折或多次彎折。

參照?qǐng)D4(b)所示，非直線形可以為弧形，其中，弧形的彎曲程度、彎折次數(shù)可根據(jù)實(shí)際的溝道比以及所需的TFT區(qū)域的尺寸進(jìn)行合理選擇，例如：可以將弧形的弧度設(shè)置的較為平滑，同時(shí)，弧形個(gè)數(shù)可以設(shè)置的較多。

此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種像素單元，包括上述所涉及的薄膜晶體管。

同時(shí)，還提供了一種陣列基板，包括上述所涉及的任意一種薄膜晶體管。其中，該陣列基板可以為OLED陣列基板，也可以為液晶陣列基板，或其他采用TFT元件的陣列基板。。

另外，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述所涉及的陣列基板。其中，所述顯示裝置可以為液晶面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。對(duì)于該顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對(duì)本發(fā)明的限制。

盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。