技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管、像素單元及陣列基板、顯示裝置，用以改善現(xiàn)有技術(shù)中存在的TFT區(qū)域影響像素單元開(kāi)口率的問(wèn)題。具體地，將源極和漏極的相向而設(shè)的兩個(gè)邊界之間形成的等間距縫隙設(shè)置為非直線形，即后續(xù)形成的TFT的溝道設(shè)置為非直線形，這樣，等間距縫隙的整體長(zhǎng)度是不變的，只是該等間距縫隙所占據(jù)的沿?cái)?shù)據(jù)線延伸方向的尺寸變小，從而，縮小了后續(xù)形成的TFT區(qū)域在沿?cái)?shù)據(jù)線延伸方向的尺寸，進(jìn)而，減小了黑矩陣覆蓋區(qū)域，提升了像素單元的開(kāi)口率。

技術(shù)研發(fā)人員：古宏剛;邵賢杰;王倩倩;宋潔
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
文檔號(hào)碼：201610575595
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.20
技術(shù)公布日：2016.11.16