1.一種氧化物薄膜晶體管，包括：
襯底基板；
依次設置在所述襯底基板上的有源層、柵絕緣層、柵極金屬層、絕緣層和源漏電極層，其中，所述絕緣層在第一溫度下沉積得到以使所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分被導體化，所述有源層的被導體化的部分與所述源漏電極層電連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其中，所述第一溫度為290℃及以上。
3.根據(jù)權利要求2所述的氧化物薄膜晶體管，其中，所述第一溫度為290℃-400℃。
4.根據(jù)權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其中，所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分被等離子體處理以被導體化。
5.根據(jù)權利要求4所述的氧化物薄膜晶體管，其中，形成所述等離子體的氣體包括氮氣、氬氣、氦氣。
6.根據(jù)權利要求1-5中任一項所述的氧化物薄膜晶體管，其中，所述有源層的材料包括氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)。
7.根據(jù)權利要求6所述的氧化物薄膜晶體管，還包括設置于所述襯底基板和所述有源層之間的緩沖層。
8.根據(jù)權利要求7所述的氧化物薄膜晶體管，其中，所述緩沖層的材料包括硅的氧化物或硅的氮化物。
9.一種陣列基板，包括權利要求1-8中任一項所述的氧化物薄膜晶體管。
10.一種顯示裝置，包括如權利要求9所述的陣列基板。
11.一種氧化物薄膜晶體管的制備方法，包括：
提供襯底基板；
在所述襯底基板上依次沉積有源層薄膜、柵絕緣層薄膜和柵極金屬層薄膜，并對所述有源層薄膜、所述柵絕緣層薄膜和所述柵極金屬層薄膜進行構圖工藝分別形成有源層、柵絕緣層和柵極金屬層；
對所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分進行等離子體處理；
在第一溫度下沉積絕緣層薄膜并對其進行構圖工藝以形成絕緣層；
其中，在沉積所述絕緣層薄膜的過程中所述有源層未與所述柵極金屬層重疊的部分被導體化。
12.根據(jù)權利要求11所述的制備方法，還包括：在所述絕緣層上沉積源漏電極層薄膜，并對其進行圖案化處理形成源漏電極層。
13.根據(jù)權利要求12所述的制備方法，還包括：在所述絕緣層上形成過孔，所述有源層的被導體化的部分與所述源漏電極層通過所述過孔電連接。
14.根據(jù)權利要求11所述的制備方法，還包括：在所述襯底基板和所述有源層之間形成緩沖層。
15.根據(jù)權利要求11-14中任一項所述的制備方法，其中，所述有源層的材料包括氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)。
16.根據(jù)權利要求15所述的制備方法，其中，所述第一溫度為290℃及以上。
17.根據(jù)權利要求16所述的制備方法，其中，所述第一溫度為290℃-400℃。