本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種薄膜晶體管及制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管(Thin-film transistor,TFT)是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一種，被廣泛應(yīng)用于顯示領(lǐng)域，對(duì)顯示器件的工作性能具有十分重要的作用。

現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管可分為底柵型薄膜晶體管(如圖1所示)和頂柵型薄膜晶體管(如圖2所示)，一般包括：基板0、柵極1、柵絕緣層2、有源層3、源極4和漏極5。TFT中溝道區(qū)域(即在TFT的柵極施加電壓后，在有源層中形成的載流子通道區(qū)域)的載流子遷移率受溫度影響非常大，尤其是低溫顯示的時(shí)候TFT中溝道區(qū)域的載流子遷移率明顯降低，從而造成顯示器的透過(guò)率、對(duì)比度低，甚至低溫啟動(dòng)困難等問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管及制備方法、顯示裝置，用以提高薄膜晶體管中溝道區(qū)域的載流子遷移率。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管，包括：柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，還包括設(shè)置在所述有源層上方或下方的熱源。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的薄膜晶體管，包括：柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，還包括設(shè)置在所述有源層上方或下方的熱源，由于該熱源在觸發(fā)信號(hào)的觸發(fā)下，可以持續(xù)釋放出熱量對(duì)溝道區(qū)域進(jìn)行加熱，因此，可以提高薄膜晶體管中溝道區(qū)域的載流子遷移率。

較佳地，所述熱源的面積大于或等于所述有源層中溝道區(qū)域的面積。

由于熱源的面積大于或等于有源層中溝道區(qū)域的面積，這樣可以盡可能的對(duì)溝道區(qū)域進(jìn)行加熱，故可以盡可能的提高薄膜晶體管中溝道區(qū)域的載流子遷移率。

較佳地，當(dāng)所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管時(shí)，所述熱源位于所述柵極的下方；或

當(dāng)所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管時(shí)，所述熱源位于所述柵極的上方。

較佳地，所述熱源包括：聚合物層和用于給所述聚合物層提供觸發(fā)熱脈沖信號(hào)的脈沖電極；其中，所述脈沖電極與用于傳輸脈沖信號(hào)給所述脈沖電極的脈沖信號(hào)線電連接。

較佳地，所述聚合物層比所述脈沖電極更靠近所述有源層。

由于聚合物層比脈沖電極更靠近有源層，這樣可以更好地對(duì)溝道區(qū)域進(jìn)行加熱，從而更好地提高薄膜晶體管中溝道區(qū)域的載流子遷移率。

較佳地，所述脈沖信號(hào)線與所述脈沖電極同層設(shè)置。

由于脈沖信號(hào)線與脈沖電極同層設(shè)置，這樣可以簡(jiǎn)化工藝，從而減少成本。

較佳地，所述脈沖電極的線寬小于所述脈沖信號(hào)線的線寬。

由于脈沖電極的線寬小于脈沖信號(hào)線的線寬，因此，脈沖電極單位長(zhǎng)度的電阻大于脈沖信號(hào)線單位長(zhǎng)度的電阻，這樣在脈沖電極處就會(huì)在單位長(zhǎng)度產(chǎn)生較多的熱量，該熱量可以作為聚合物層的觸發(fā)熱脈沖信號(hào)。

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本申請(qǐng)實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管。

由于本申請(qǐng)實(shí)施例提供的顯示裝置采用了上述的薄膜晶體管，而上述的薄膜晶體管包括：柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，還包括設(shè)置在所述有源層上方或下方的熱源，由于該熱源在觸發(fā)信號(hào)的觸發(fā)下，可以持續(xù)釋放出熱量對(duì)溝道區(qū)域進(jìn)行加熱，因此，可以提高薄膜晶體管中溝道區(qū)域的載流子遷移率。

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管的制備方法，包括：在基板上形成柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，該方法還包括：在所述有源層上方或下方形成熱源。

采用該方法制備的薄膜晶體管包括：柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，還包括設(shè)置在所述有源層上方或下方的熱源，由于該熱源在觸發(fā)信號(hào)的觸發(fā)下，可以持續(xù)釋放出熱量對(duì)溝道區(qū)域進(jìn)行加熱，因此，可以提高薄膜晶體管中溝道區(qū)域的載流子遷移率。

較佳地，所述形成熱源包括：形成聚合物層和用于給所述聚合物層提供觸發(fā)熱脈沖信號(hào)的脈沖電極；其中，所述脈沖電極與用于傳輸脈沖信號(hào)給所述脈沖電極的脈沖信號(hào)線電連接。

較佳地，共用一張掩膜板形成所述聚合物層和所述脈沖電極。

該方法中，共用一張掩膜板形成聚合物層和脈沖電極，這樣可以簡(jiǎn)化工藝，從而減少成本。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中底柵型薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中頂柵型薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例一提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的薄膜晶體管中聚合物層的材料的合成圖；

圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例二提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6(a)～6(c)為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制備工藝流程示意圖。

具體實(shí)施方式

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管及制備方法、顯示裝置，用以提高薄膜晶體管中溝道區(qū)域的載流子遷移率。

下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒旧暾?qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。

需要說(shuō)明的是，本申請(qǐng)附圖中各層的厚度和形狀不反映真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本申請(qǐng)內(nèi)容。

需要指出的是，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案適用于底柵型薄膜晶體管和頂柵型薄膜晶體管，下面分別對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。

實(shí)施例一：

本申請(qǐng)實(shí)施例一提供的一種薄膜晶體管，參見(jiàn)圖3，該薄膜晶體管包括：基板0、柵極1、柵絕緣層2、有源層3、源極4和漏極5，還包括設(shè)置在有源層3下方的熱源7(如圖3中虛線框所示)。其中，熱源7在觸發(fā)信號(hào)的觸發(fā)下(一般在TFT打開(kāi)之前或TFT剛打開(kāi)時(shí)給熱源7觸發(fā)信號(hào))，可以持續(xù)釋放出熱量對(duì)溝道區(qū)域進(jìn)行加熱。

由于熱源7在觸發(fā)信號(hào)的觸發(fā)下，可以持續(xù)釋放出熱量對(duì)溝道區(qū)域進(jìn)行加熱，因此，可以提高薄膜晶體管中溝道區(qū)域的載流子遷移率。

較佳地，為了盡可能的對(duì)溝道區(qū)域進(jìn)行加熱，從而盡可能的提高薄膜晶體管中溝道區(qū)域的載流子遷移率，熱源7的面積可以大于或等于有源層中溝道區(qū)域的面積。

較佳地，如圖3所示，熱源7包括：聚合物層71和用于給聚合物層71提供觸發(fā)熱脈沖信號(hào)的脈沖電極72；其中，脈沖電極72與用于傳輸脈沖信號(hào)給脈沖電極72的脈沖信號(hào)線電連接，脈沖電極72根據(jù)接收到的脈沖信號(hào)，形成觸發(fā)熱脈沖信號(hào)。

其中，如圖4所示，聚合物層71的材料(如圖4中虛線框所示)為一種新型材料，該材料能夠吸收并儲(chǔ)存光能，且在熱脈沖的觸發(fā)下，發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并持續(xù)釋放熱量，其持續(xù)釋放熱量的時(shí)間與其儲(chǔ)存的光能有關(guān)，它可經(jīng)過(guò)以下步驟合成：以4-羥基偶氮苯為原料，加入2-甲基丙烯酰氯和四氫呋喃，在室溫下反應(yīng)48小時(shí)，再在60°的環(huán)境下反應(yīng)3小時(shí)得到該聚合物層71的材料。

較佳地，為了可以更好地對(duì)溝道區(qū)域進(jìn)行加熱，從而更好地提高薄膜晶體管中溝道區(qū)域的載流子遷移率，聚合物層71比脈沖電極72更靠近溝道區(qū)域。

脈沖電極72與脈沖信號(hào)線的材料可以為同種金屬材料，當(dāng)然，也可以不為同種金屬材料，本申請(qǐng)實(shí)施例并不對(duì)其進(jìn)行限定。較佳地，為了簡(jiǎn)化工藝，減少成本，脈沖信號(hào)線與脈沖電極72可以同層設(shè)置。

較佳地，脈沖電極72的線寬可以設(shè)置得盡可能小，而脈沖信號(hào)線的線寬可以設(shè)置得盡可能大。

由于脈沖電極72的線寬可以設(shè)置得盡可能小，而脈沖信號(hào)線的線寬可以設(shè)置得盡可能大，因此，脈沖電極72單位長(zhǎng)度的電阻會(huì)盡可能大于脈沖信號(hào)線單位長(zhǎng)度的電阻，這樣在脈沖電極72處就會(huì)在單位長(zhǎng)度產(chǎn)生較多的熱量，該熱量可以作為聚合物層71的觸發(fā)熱脈沖信號(hào)。

需要說(shuō)明的是，一般情況下，對(duì)于一顯示裝置，其脈沖信號(hào)線的長(zhǎng)度是一定的，為了進(jìn)一步盡可能地增大脈沖電極的電阻，例如可以將脈沖電極做成環(huán)線狀，以增長(zhǎng)脈沖電極的長(zhǎng)度，從而增大脈沖電極的電阻。

較佳地，為了不影響薄膜晶體管的開(kāi)關(guān)功能，熱源7一般不設(shè)置在有源層3與柵極1之間，且熱源7一般不與有源層3直接接觸，如圖3所示，熱源7位于柵極1的下方，這樣既可以不影響薄膜晶體管的開(kāi)關(guān)功能，還可以簡(jiǎn)化工藝。

需要說(shuō)明的是，熱源7也可以設(shè)置在有源層3上方，較佳地，此時(shí)可以在有源層3與熱源7之間設(shè)置一絕緣層，這樣可以不影響薄膜晶體管的開(kāi)關(guān)功能。

實(shí)施例二：

參見(jiàn)圖5，圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例二提供的一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管，與本申請(qǐng)實(shí)施例一提供的底柵型薄膜晶體管相類似，相同的部分在此不再贅述，下面只說(shuō)明不同的部分。

本申請(qǐng)實(shí)施例二提供的一種薄膜晶體管，參見(jiàn)圖5，該薄膜晶體管包括：基板0、柵極1、柵絕緣層2、有源層3、源極4和漏極5，還包括設(shè)置在有源層3上方的熱源7(如圖5中虛線框所示)。

較佳地，，為了不影響薄膜晶體管的開(kāi)關(guān)功能，熱源7一般不設(shè)置在有源層3與柵極1之間，且熱源7一般不與有源層3直接接觸，如圖5所示，熱源7位于柵極1的上方。

當(dāng)然，熱源7也可以位于有源層3的下方，較佳地，此時(shí)可以在有源層3與熱源7之間設(shè)置一絕緣層，這樣可以不影響薄膜晶體管的開(kāi)關(guān)功能。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管的制備方法，該方法包括如下步驟：在基板上形成柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，該方法還包括：在所述有源層上方或下方形成熱源。

較佳地，所述形成熱源包括：形成聚合物層和用于給所述聚合物層提供觸發(fā)熱脈沖信號(hào)的脈沖電極；其中，所述脈沖電極與用于傳輸脈沖信號(hào)給所述脈沖電極的脈沖信號(hào)線電連接。

需要說(shuō)明的是，脈沖電極與脈沖信號(hào)線可如柵極與柵線一樣制作。

較佳地，為了簡(jiǎn)化工藝，減少成本，可以共用一張掩膜板形成所述聚合物層和所述脈沖電極。

其中，共用一張掩膜板形成所述聚合物層和所述脈沖電極，可以包括：

分別形成聚合物層膜層與形成金屬膜層；

共用一張掩膜板形成聚合物層和脈沖電極。

共用一張掩膜板形成所述聚合物層和所述脈沖電極，也可以包括：

形成聚合物層膜層；

利用一張掩膜板形成聚合物層；

形成金屬膜層；

利用同一張掩膜板形成脈沖電極。

需要說(shuō)明的是，上述形成聚合物層與形成脈沖電極的步驟可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置，例如，可以首先沉積一層金屬膜層，接著沉積一層聚合物層膜層，然后利用一張掩膜板依次進(jìn)行聚合物層膜層和金屬膜層的刻蝕，形成聚合物層和脈沖電極。

當(dāng)然，形成聚合物層與形成脈沖電極和脈沖信號(hào)線也可以不共用一張掩膜板，即利用不同的掩膜板形成聚合物層與形成脈沖電極，本申請(qǐng)實(shí)施例并不對(duì)其進(jìn)行限定。

下面以薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管，且熱源(包括：聚合物層、脈沖電極和脈沖信號(hào)線)位于柵極的下方為例，結(jié)合附圖6(a)～6(c)來(lái)具體說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制備工藝流程。

步驟一、參見(jiàn)圖6(a)，在基板01上沉積一層金屬膜層02，接著沉積一層聚合物層膜層03；

其中，聚合物層膜層03的材料能夠吸收并儲(chǔ)存光能，且在熱脈沖的觸發(fā)下，發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并持續(xù)釋放熱量，其持續(xù)釋放熱量的時(shí)間與其儲(chǔ)存的光能有關(guān)，它可經(jīng)過(guò)以下步驟合成：以4-羥基偶氮苯為原料，加入2-甲基丙烯酰氯和四氫呋喃，在室溫下反應(yīng)48小時(shí)，再在60°的環(huán)境下反應(yīng)3小時(shí)得到該聚合物層膜層03的材料。

步驟二、參見(jiàn)圖6(b)，共用一張掩膜板形成聚合物層04和脈沖電極05；

其中，脈沖電極05與用于傳輸脈沖信號(hào)給脈沖電極05的脈沖信號(hào)線電連接；脈沖電極05可以根據(jù)接收到的脈沖信號(hào)，形成觸發(fā)熱脈沖信號(hào)，提供給聚合物層04；可以通過(guò)控制線寬來(lái)使得脈沖電極05單位長(zhǎng)度的電阻盡可能大于脈沖信號(hào)線單位長(zhǎng)度的電阻，還可以將脈沖電極05做成環(huán)線狀，以增長(zhǎng)脈沖電極05的長(zhǎng)度，從而增大脈沖電極05的電阻。

步驟三、參見(jiàn)圖6(c)，在聚合物層04上形成柵極06、柵絕緣層07、有源層08、源極09和漏極010

其中，形成柵極06、柵絕緣層07、有源層08、源極09和漏極010的工藝流程與現(xiàn)有技術(shù)的工藝流程完全相同，在此不再贅述。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本申請(qǐng)實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的顯示裝置可以為顯示面板(例如液晶顯示面板)，該液晶顯示面板還包括像素電極，像素電極與漏極可以直接電連接，也可以通過(guò)過(guò)孔電連接。

綜上所述，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，薄膜晶體管包括：柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，還包括設(shè)置在所述有源層上方或下方的熱源，由于該熱源在觸發(fā)信號(hào)的觸發(fā)下，可以持續(xù)釋放出熱量對(duì)溝道區(qū)域進(jìn)行加熱，因此，可以提高薄膜晶體管中溝道區(qū)域的載流子遷移率。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本申請(qǐng)的精神和范圍。這樣，倘若本申請(qǐng)的這些修改和變型屬于本申請(qǐng)權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本申請(qǐng)也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。