技術(shù)編號：11869930
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的實施例涉及一種氧化物薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置。背景技術(shù)氧化物薄膜晶體管具有高遷移率、穩(wěn)定性好、制作工藝簡單等優(yōu)點，以銦鎵鋅氧化物(IGZO)為代表的氧化物半導體材料在薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)、有源矩陣有機發(fā)光二極體面板(AMOLED)、電子紙顯示面板以及集成電路等領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛。氧化物薄膜晶體管中柵極和源極之間產(chǎn)生的電容較小，使得顯示面板可以具有高分辨率、低功耗等優(yōu)點。頂柵型氧化物薄膜晶體管在大尺寸顯示面板的應(yīng)用中起著至關(guān)重要的作用，能夠很大程度地提高...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。