1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，
在設(shè)于半導(dǎo)體基板上的第1絕緣膜中形成第1貫通孔，
在上述第1貫通孔中依次埋入第1銅、以及蝕刻速率成為上述第1絕緣膜的蝕刻速率以上的第1勢(shì)壘金屬，
在上述第1勢(shì)壘金屬上以及上述第1絕緣膜上形成第2絕緣膜，
通過蝕刻去除上述第1勢(shì)壘金屬上的上述第2絕緣膜、上述第1勢(shì)壘金屬、以及上述第1勢(shì)壘金屬周圍的上述第1絕緣膜，由此形成第2貫通孔，
在上述第2貫通孔中埋入第2銅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，
在上述第1貫通孔中埋入上述第1銅之后，將埋入上述第1貫通孔中的上述第1銅的上層去除，
在因去除上述第1銅的上層而產(chǎn)生的上述第1貫通孔內(nèi)的空間中，埋入上述第1勢(shì)壘金屬。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，
在上述第1絕緣膜中形成上述第1貫通孔之后，在上述第1貫通孔的側(cè)壁上形成第2勢(shì)壘金屬，
在形成有上述第2勢(shì)壘金屬的上述第1貫通孔中，依次埋入上述第1銅以及上述第1勢(shì)壘金屬。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，
上述第1勢(shì)壘金屬由氮化鉭或者鉭構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，
在上述第1絕緣膜中形成上述第1貫通孔之后，在上述第1貫通孔的側(cè)壁上形成第2勢(shì)壘金屬，
在形成有上述第2勢(shì)壘金屬的上述第1貫通孔中，依次埋入上述第1銅以及上述第1勢(shì)壘金屬。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，
上述第2勢(shì)壘金屬由氮化鉭構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，
上述第1勢(shì)壘金屬的一部分在上述第2貫通孔的內(nèi)部露出。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，
上述第1絕緣膜以及上述第2絕緣膜由SiO2膜或者SiOC膜構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，
在形成第2貫通孔之后，在上述第2貫通孔的側(cè)壁上形成第3勢(shì)壘金屬，
在形成有上述第3勢(shì)壘金屬的上述第2貫通孔中，埋入上述第2銅。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，
在包含第2銅的上表面在內(nèi)的第2絕緣膜的上表面上，依次形成第4勢(shì)壘金屬以及主布線，
上述主布線由銅構(gòu)成。
11.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，
在半導(dǎo)體基板上依次形成第1絕緣膜以及蝕刻阻擋膜，
在上述蝕刻阻擋膜以及上述第1絕緣膜形成第1貫通孔，
在上述第1貫通孔中依次埋入第1銅、以及蝕刻速率成為上述蝕刻阻擋膜及上述第1絕緣膜的蝕刻速率以上的第1勢(shì)壘金屬，
在上述第1勢(shì)壘金屬上以及上述蝕刻阻擋膜上形成第2絕緣膜，
通過蝕刻去除上述第1勢(shì)壘金屬上的上述第2絕緣膜、上述第1勢(shì)壘金屬、以及上述第1勢(shì)壘金屬周圍的上述蝕刻阻擋膜以及上述第1絕緣膜，由此在上述第2絕緣膜中形成第2貫通孔，
在上述第2貫通孔中埋入第2銅。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，
上述蝕刻阻擋膜由SiN膜或者SiC膜構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，
在半導(dǎo)體基板上依次形成上述第1絕緣膜、上述蝕刻阻擋膜、以及硬掩模，
通過使用了上述硬掩模的反應(yīng)性離子蝕刻形成上述第1貫通孔，
將上述硬掩模去除。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，
上述硬掩模由SiCN層構(gòu)成。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，
上述硬掩模具有開口直徑比上述第1貫通孔的開口直徑大的開口圖案。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，
在上述第1絕緣膜中形成上述第1貫通孔之后，在上述第1貫通孔的側(cè)壁上形成第2勢(shì)壘金屬，
在上述第1貫通孔中埋入上述第1銅，
通過化學(xué)機(jī)械研磨CMP法，將上述蝕刻阻擋膜上的上述第1銅以及上述第2勢(shì)壘金屬去除，使上述蝕刻阻擋膜的上表面平坦化，
將埋入上述第1貫通孔中的上述第1銅的上層去除，
在因去除上述第1銅的上層而產(chǎn)生的上述第1貫通孔內(nèi)的空間中，埋入上述第1勢(shì)壘金屬。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，
通過濕式蝕刻，將上述第1銅的上層去除。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，
在上述第1貫通孔內(nèi)的上述空間埋入上述第1勢(shì)壘金屬之后，通過化學(xué)機(jī)械研磨CMP法，將上述蝕刻阻擋膜上的上述第1勢(shì)壘金屬去除并進(jìn)行平坦化。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，
在形成第2貫通孔之后，在上述第2貫通孔的側(cè)壁上形成第3勢(shì)壘金屬，
在形成有上述第3勢(shì)壘金屬的上述第2貫通孔中，埋入上述第2銅。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，
在上述第2貫通孔中埋入上述第2銅之后，
通過化學(xué)機(jī)械研磨CMP法，去除上述第2絕緣膜上的上述第2銅以及上述第3勢(shì)壘金屬，將上述第2絕緣膜的上表面平坦化。