1.一種三端自帶防護(hù)功能的橫向恒流器件，其特征在于：包括橫向恒流二極管結(jié)構(gòu)與瞬態(tài)電壓抑制二極管結(jié)構(gòu)；
所述橫向恒流二極管結(jié)構(gòu)包括P型輕摻雜襯底，位于P型輕摻雜襯底下方的第一P型重?fù)诫s區(qū)，第一P型重?fù)诫s區(qū)下方的第二金屬陰極，P型輕摻雜襯底內(nèi)部上方的擴(kuò)散N型阱區(qū)，擴(kuò)散N型阱區(qū)內(nèi)部上方從左至右依次為第一N型重?fù)诫s區(qū)、第二P型重?fù)诫s區(qū)、第三P型輕摻雜區(qū)、第二N型重?fù)诫s區(qū)，覆蓋P型輕摻雜襯底上表面的氧化介質(zhì)層，覆蓋第一N型重?fù)诫s區(qū)和第二P型重?fù)诫s區(qū)上表面的第一金屬陰極，位于第二N型重?fù)诫s區(qū)上方的金屬陽(yáng)極；第二P型重?fù)诫s區(qū)和第一N型重?fù)诫s區(qū)與第一金屬陰極形成歐姆接觸，第二N型重?fù)诫s區(qū)和金屬陽(yáng)極形成歐姆接觸；
所述的瞬態(tài)電壓抑制二極管結(jié)構(gòu)包括P型輕摻雜襯底，位于P型輕摻雜襯底下方的第一P型重?fù)诫s區(qū)，第一P型重?fù)诫s區(qū)下方的第二金屬陰極，P型輕摻雜襯底內(nèi)部上方的擴(kuò)散N型阱區(qū)，位于擴(kuò)散N型阱區(qū)內(nèi)部右端的第二N型重?fù)诫s區(qū)，覆蓋P型輕摻雜襯底上表面的氧化介質(zhì)層，第二N型重?fù)诫s區(qū)上方的金屬陽(yáng)極，所述第二N型重?fù)诫s區(qū)與金屬陽(yáng)極形成歐姆接觸，所述的第一P型重?fù)诫s區(qū)與第二金屬陰極形成歐姆接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三端自帶防護(hù)功能的橫向恒流器件，其特征在于：所述橫向恒流器件接入LED驅(qū)動(dòng)電路的方式為：金屬陽(yáng)極與市電經(jīng)整流橋整流后的輸出端相連，第一金屬陰極接LED燈串的輸入端，第二金屬陰極與LED燈串輸出端相接，構(gòu)成一個(gè)瞬態(tài)電壓抑制二極管與恒流二極管和LED燈串并聯(lián)的電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三端自帶防護(hù)功能的橫向恒流器件，其特征在于：第二P型重?fù)诫s區(qū)的結(jié)深和摻雜濃度與第三P型輕摻雜區(qū)的結(jié)深和摻雜濃度不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三端自帶防護(hù)功能的橫向恒流器件，其特征在于：第二P型重?fù)诫s區(qū)的結(jié)深和摻雜濃度與第三P型輕摻雜區(qū)的結(jié)深和摻雜濃度相同，即等效于沒(méi)有第二P型重?fù)诫s區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三端自帶防護(hù)功能的橫向恒流器件，其特征在于：P型輕摻雜襯底和第一P型重?fù)诫s區(qū)的摻雜濃度相同，即等效于沒(méi)有第一P型高摻雜區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三端自帶防護(hù)功能的橫向恒流器件，其特征在于：P型輕摻雜襯底8的摻雜濃度和第一P型高摻雜區(qū)不同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三端自帶防護(hù)功能的橫向恒流器件，其特征在于：器件所用半導(dǎo)體材料為硅或碳化硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三端自帶防護(hù)功能的橫向恒流器件，其特征在于：P型輕摻雜襯底摻雜濃度為8×1014cm-3；第一P型重?fù)诫s區(qū)摻雜濃度為1.2×1019cm-3；擴(kuò)散N型阱區(qū)摻雜濃度為3×1015cm-3，結(jié)深為8微米；第二P型重?fù)诫s區(qū)摻雜濃度為2×1017cm-3，結(jié)深為4微米；第三P型輕摻雜區(qū)摻雜濃度為3×1016，結(jié)深為1微米；第一N型重?fù)诫s區(qū)和第二N型重?fù)诫s區(qū)摻雜濃度為1×1020cm-3，結(jié)深為2微米。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)所述的三端自帶防護(hù)功能的橫向恒流器件的制造方法，其特征在于包括以下步驟：
步驟1：采用帶第一P型重?fù)诫s區(qū)的P型硅片作為襯底；或者采用P型輕摻雜襯底，再通過(guò)背面注入形成第一P型重?fù)诫s區(qū)；
步驟2：進(jìn)行擴(kuò)散N型阱區(qū)的注入前預(yù)氧，進(jìn)行窗口刻蝕；
步驟2：進(jìn)行擴(kuò)散N型阱區(qū)注入，然后進(jìn)行擴(kuò)散N型阱區(qū)推結(jié)，刻蝕多余的氧化層；
步驟3：進(jìn)行第二P型重?fù)诫s區(qū)注入前預(yù)氧，進(jìn)行窗口刻蝕；
步驟4：進(jìn)行第二P型重?fù)诫s區(qū)注入，然后進(jìn)第二P型重?fù)诫s區(qū)擴(kuò)散，刻蝕多余的氧化層；
步驟5：進(jìn)行第三P型輕摻雜區(qū)注入前預(yù)氧，進(jìn)行窗口刻蝕；
步驟6：進(jìn)行第三P型輕摻雜區(qū)注入和退火，刻蝕多余的氧化層；
步驟7：進(jìn)行第一N型重?fù)诫s區(qū)和第二N型重?fù)诫s區(qū)注入前預(yù)氧，進(jìn)行窗口刻蝕；
步驟8：進(jìn)行第一N型重?fù)诫s區(qū)和第二N型重?fù)诫s區(qū)注入，刻蝕多余的氧化層；
步驟9：淀積前預(yù)氧，淀積氧化物，致密；
步驟10：光刻歐姆孔；
步驟11：淀積金屬層，刻蝕，形成第一金屬陰極、第二金屬陰極和金屬陽(yáng)極。